權值股；台積電 – 台積進擊7奈米 力壓英特爾

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轉貼2018年6月22日經濟日報，供同學參考

台積研發人才 十年增三倍

經濟日報 記者謝佳雯／新竹報導

台積電總裁暨副董事長魏哲家昨（21）日向上、下游合作夥伴喊話，台積電擁有1,500名設計人才，但從不跟客戶競爭，是客戶忠誠的夥伴，未來對於研發的投資也會持續上升。

魏哲家也在現場秀出台積電在研發上的投入。他指出，從2014年至今，台積電花了1.1兆元擴充產能，去年和今年分別投入100億美元以上。他並與會的供應商喊話：「台積電支援各位，必須買先進機器，使各位的產品能夠成功，這是台積電的任務。」

魏哲家強調，台積電擁有1,500位設計人才，跳下去做設計業務或許可以成功，但不會這樣做，因為沒有夥伴會跟客戶競爭。

魏哲家說，台積電的7奈米已經在大量生產，5奈米明年初產品定案，大量生產再明年底或後年初；為了支援這樣的研發，十年內，該公司的研發人數擴增三倍，去年研發人數將近6,200人，比2008年多了近二倍。

魏哲家說，這6,200人只從事研發，不事生產，這還不包括生產線上還有一部分也是從事技術發展的員工，研發費用達到780億元。

評析
為了支援5奈米的研發，十年內，研發人數擴增三倍，去年研發人數將近6,200人，比2008年多了近二倍。

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轉貼2018年6月22日經濟日報，供同學參考

需求火熱 台積產能大躍進

經濟日報 記者謝佳雯／新竹報導

各產業對半導體需求日增，台積電昨（21）日指出，該公司積極擴產，今年總產能將達1,200 萬片約當12吋晶圓產能，年增9%，其中，7奈米與10奈米產能將較去年倍增。

台積電昨日舉行年度科技論壇活動，12吋廠技術委員會處長黃裕峰主講台積電的「卓越製造」時，對外說明台積電目前的產能布局概況。

黃裕峰指出，至今年底，台積電的總產能可達1,200萬片約當12吋晶圓，比去年同期增加9%；其中，7奈米和十奈米未來會呈倍數成長，明年還會比今年再增加五成。

黃裕峰表示，台積電每年資本支出約100億美元，用於先進製程和擴充產能，自2013年至2018年的六年來，28奈米以下先進製程技術產能年複合成長率達到30%，特殊製程產能年複合成長率約17%。

評析
7奈米和十奈米未來會呈倍數成長，明年還會比今年再增加五成。

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轉貼2018年6月22日聯合晚報，供同學參考

重兵除息 台積電悄悄熱身

聯合晚報 記者張家瑋／台北報導

台股權值股除息大戲登場，下周一（25日）由晶圓龍頭台積電（2330）將於率先除息，周二由富邦金與國泰金接棒，三檔大型股除息成市場指標。

由於近期外資出具研究報告多看衰第3季營運表現，且全球貿易局勢緊張，美股四大指數收黑，今除息前夕雖遇逆風，外資賣壓沈重，盤中一度至224元，跌幅1.1%，惟中場後買盤回溫翻紅，終場上1元，收在227.5元，除息行情仍受期待。而台積電下周填息走勢是否順利，也將攸關今年半導體族群除權息表現，為重要風向指標。

台股上市櫃公司進入除權息旺季，權值股台積電打頭陣率先於下周一除息，今年每股配發8元現金股利，發放總金額達2,000億元，創下歷年來新高記錄，對台股而言，預料也將是一大資金活水，有利後續行情表現，不過下周一除息將先影響大盤指數近80點，形成潛在壓力。

台積電昨舉行年度科技論壇，宣示5奈米將投入7,500億元，創下台灣科技業最高投資規模，在先進製程上保持領先，但外資似乎對於高配息政策不領情，近5個交易日連續賣超7萬張，持股比重由過去高峰79.6%降至目前77.33%。

主要外資近期出具報告看壞第3季營運表現，法人指出，由於台積電7奈米製程良率提升速度優於去年10奈米，使得蘋果等大客戶不急於立即投片下單，加上加密貨幣目前佔台積電營收約10%，隨著相關半導體產能增加，台積電計畫推出7奈米挖礦晶片，今年下半年加密貨幣獲利恐降低。

不過，法人也並非一面倒唱衰台積電下半年營運表現，法人指出，台積電短期營運遇逆風，但長期發展仍十分看好，尤其新運算時代來臨，台積電會是主要受惠者，今年7奈米出貨量約在25萬片，2019年出貨量將倍數成長至100萬片以上，主要受惠於5G時代到來，帶起物聯網、車聯網及其相關應用，客戶投片量大增，加上人工智慧推波助瀾，2019年將是台積電營運成長大爆發一年。

另台積電在5奈米狠砸7,500億元主要爭取高端客戶訂單，由於5奈米製程勢必採用極紫外線（EUV）曝光機及蝕刻設備，而EUV機台價格動輒1億元以上，對於後進者資本支出門檻高，確保台積電在先進製程競賽中保持領先。

評析
台股權值股除息大戲登場，25日由晶圓龍頭台積電將於率先除息，填息走勢是否順利，為重要風向指標。

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轉貼2018年6月23日經濟日報，供同學參考

虛擬幣退燒 台積挖礦訂單恐腰斬

經濟日報 編譯劉忠勇、記者謝佳雯／綜合報導



彭博資訊報導，有分析師預測，在數位貨幣市場價格受壓的情況下，全球前兩大虛擬貨幣挖礦機業者比特大陸和嘉楠耘智出貨受衝擊，可能對台積電和三星電子各再砍五成訂單。

隨著比特大陸和嘉楠耘智傳出對台積電大砍單，凸顯虛擬貨幣市場急轉直下的狀況。由於挖礦、智慧型手機市場的拉貨動能均見放緩，近期市場傳出包括蘋果、比特大陸、博通、聯發科等重量級大客戶紛紛下修投片量，法人憂心，台積電在下個月的法說會上，很可能再度下修全年成長目標。

台積電向來不對單一客戶與訂單動向置評，至截稿前，無法取得比特大陸和嘉楠耘智回應。

台積電原預估，若以美元計算，今年全年營收會比去年成長約10%，將持續改寫歷史新高紀錄。法人認為，若第3季趨勢不如預期，台積電在下個月的法說會上，有可能再次下修今年全年營運展望；是否同步修正原本上修後的115億到120億美元資本支出規畫，則是另一項焦點。

Rosenblatt分析師張軍（Jun Zhang）發布報告指出，若比特大陸果真削減訂單，可能使台積電在7月19日的第2季法說會上，更加保守看待第3季展望。張軍認為，比特大陸訂單減少，對台積電第3季營收的衝擊上看3%。

Rosenblatt先前預估，第3季中國挖礦設備出貨量季比可能下滑30%，並在第4季反彈，但張軍預期，第3季出貨量的降幅將介於60%至70%，對第4季也較不樂觀。

根據彭博資訊報價，比特幣價格22日盤中跌5.9%至6,321.26美元，過去半年來累計跌約56%。

評析
隨著比特大陸和嘉楠耘智傳出對台積電大砍單，凸顯虛擬貨幣市場急轉直下的狀況。

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轉貼2018年6月25日經濟日報，供同學參考

台積今除息 指數蒸發70點

經濟日報 記者簡永祥、趙于萱／台北報導

權值股除息秀今日由台股「權王」台積電率先除息打頭陣，台積電配發8元現金股利，除息參考價219.5元，大盤將蒸發近70點，台積電共發出2,074億元現金股息，創台股新紀錄。

行政院國發會將是單一最大受益者，將可領到約132億元，台積電創辦人張忠謀則可拿到約10億元現金。台積電展望下半年營運遠優於上半年，但填息之路仍得看外資臉色。

外資近期對台積電第3季營收成長態度轉空，認為受到iPhone出貨遞延及虛擬貨幣動能趨保守等影響，下季增幅恐不如往年，包括摩根士丹利證券半導體產業分析師詹家鴻預期，台積電第3季營收季增幅將低於該券商預測的14%，更低於市場預期的15%至20%。加上美中貿易戰風波不斷，美元走強拖累新台幣，外資提款權值王台積電，上周賣壓尤其重，單周賣超7萬張。

外資分析師指出，台積電填息的速度，關注新台幣、主要亞股與內外資動向。分析師指出，台積電營運是「短空長多」，雖然下季表現不如預期，然而第4季受遞延效應影響，旺季表現可能更旺，研判台積電仍將複製過去十年，有九年皆填息的紀錄。

評析
台積電展望下半年營運遠優於上半年，但填息之路仍得看外資臉色。

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轉貼2018年6月25日工商時報，供同學參考

台積填息 外資盯3關鍵

工商時報 林燦澤、呂淑美、簡威瑟／台北報導

美中貿易戰牽連歐美股市走弱，影響台股周K連兩黑，台積電今（25）日引領除息，外資圈推斷，台積電今日開盤即有望挑戰部分填息，但接下來走勢端視三大觀察指標，外資半導體產業分析師說，可以樂觀期待中期填息，但不能忽視短線風險。

台積電除息及其填息行情向來是台股年度盛事，台積電今日將除息8元，配出2,074億元現金股利，影響指數蒸發近70點。

針對今年的填息進度，外資半導體產業分析師說，台積電的產業競爭力無庸置疑，關鍵在於以下三點：1.國際資金現在處在對新興亞股提款階段，最大權值股承受不小賣壓。2.台積電發放8元現金股利，迅速填息難度略增。3.半導體主流從智慧機轉往人工智慧（AI）相關，必須更緊密留意市場如何評價新商機。

台積電2014～2016年度股利政策分別是4.5、6與7元，突破過去多年都發放3元的鐵板。觀察過去3年台積電填息進度，台積電去年花費32個交易日完成填息，前年僅3個交易日便填息，但2014年度股利發放後，耗費長達154個交易日才完成填息。整體看來，台積電填息進度，受國際資金態度影響最高。

國泰證期顧問處協理簡伯儀認為，台積電因之前股價跌幅已大，股價扣完現金股利後處低基期，預期本周部分填息機率高，且因台積電漲跌1元對台股加權指數影響8～9點，若填息表現好，也有利指數表現。

外資今年來賣超台積電36.67萬張，提款超過873億元，占台股整體賣超金額2,293億元的38％。法人表示，除了比特幣價格波動下滑之外，蘋果iPhone拉貨力道如何，以及Android陣營智慧機表現普普，都是造成台積電暫時不獲外資青睞的主要原因。

另外，金控雙雄國泰金、富邦金緊接在明（26）日除息，國泰金除息2.5元，富邦金除息2.3元，兩檔合計配息達549億餘元。能不能攜手台積，炒熱權值股填權息行情熱度，關係台股除權息行情。

評析
外資圈推斷，台積電今日開盤即有望挑戰部分填息，但接下來走勢端視三大觀察指標

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轉貼2018年6月25日科技新報，供同學參考

詳細解讀 7 奈米製程
看半導體巨頭如何拚老命為摩爾定律延壽

作者 雷鋒網

談起半導體技術的發展，總是迴避不了「摩爾定律」──當價格不變，積體電路上可容納的電晶體數目，約每隔 18~24 個月會增加一倍，效能也將提升一倍。

晶片製程常用 XX 奈米表示，比如 Intel 最新的六代酷睿 CPU 就採用 Intel 自家 14 奈米++ 製程。所謂的 XX 奈米指的是積體電路 MOSFET 電晶體柵極的寬度，也稱為柵長。柵長越短，就可在相同大小的矽片上整合更多電晶體。

目前，業界最重要的代工企業台積電、三星和格羅方德，半導體製程的發展越來越迅猛，10 奈米才剛應用一年半，7 奈米便已好似近在眼前，上個月才報導下一代 iPhone A12 處理器理器將使用台積電 7 奈米製程生產的消息。

業界盛行摩爾定律將死的論調下，如此猛烈的突擊 7 奈米製程需要克服怎樣的困難？幾家大老又如何布局關鍵節點？本文為讀者解讀。

半導體製程的 Tick-Tock
Tick-Tock，是英特爾（Intel）晶片技術發展的戰略型態，在半導體製程和核心架構這兩條路上交替提升。半導體領域也有類似形式，在 14 奈米／16 奈米節點之前，半導體製程在相當長的時期裡有「整代」和「半代」的差別。

高登‧摩爾提出著名的摩爾定律後，半導體產業一直堅持以 18 個月為週期升級半導體製程。直覺結果是，製程演進一直在以大約 0.7 的倍數逐級縮減，如 1,000 奈米→700 奈米→500 奈米→350 奈米→250 奈米等。

製程邁過 180 奈米節點後，台積電等代工廠提出一種比 Intel 製程縮減 0.9 倍的製程。這種製程可在不大改產線同時，提供 1.24 倍電路密度的晶片。Intel 對此等技術非常不以為，還為其掛上半代製程的名號。

自此，Intel 和 IBM 製造技術聯盟（包括三星和格羅方德等）依然嚴格按 180 奈米→130 奈米→90 奈米→65 奈米→45 奈米→32 奈米→22 奈米的步調前行（三星和格羅方德在 32  奈米後轉向 28 奈米），而台積電等半導體晶圓代工廠則走上 150 奈米→110 奈米→80 奈米→55 奈米→40 奈米→28 奈米→20 奈米的路線。



不過當半導體製程繼續向前，隨著電晶體尺寸逐漸縮小至接近物理極限，在各種物理定律的束縛下，半導體廠如同戴著手鐐腳銬跳舞，因此幾家廠商紛紛出現「不規則狀況」：本應屬於整代製程的 16 奈米製程被台積電所用，Intel 的 14 奈米製程字面上卻應該屬於半代製程的範圍。再接下來，幾家不約而同選擇 10 奈米→7 奈米→5 奈米路線，整代和半代的區別自此成為歷史。

正因如此，半導體廠商進軍 7 奈米製程的道路並不順利，還需要翻過「光刻」、「電晶體架構」和「溝道材料」3 座大山。

工欲善其事，先搞光刻機
半導體製程最具代表性的，曝光技術可稱為現代積體電路最大的難題，沒有之一。

所謂光刻其實很好理解，就是讓光通過掩膜投射到塗抹光刻膠的矽片上，將電路構造印在上面，類似「投影繪圖」，只是繪圖的不是人手，而是機器，照射圖樣的也不再是可見光，而是紫外線。

目前半導體生產使用波長 193 奈米的深紫外（DUV）曝光。實際上，製程發展到 130 奈米之前，有人就曾指出 193 奈米深紫外光會發生嚴重的衍射現象而無法繼續使用，需要換用波長為 13.5 奈米的極紫外（EUV）光刻，才能繼續縮小半導體製程。

EUV 的研發始於 1990 年代，最早希望 90 奈米製程節點投入應用，然而 EUV 曝光機一直達不到正式生產的要求。無奈之下，人們只能透過沉浸式曝光、多重曝光等手段，將 DUV 一路推到 10 奈米階段。

目前 ASML 的 EUV 光刻機使用 40 對蔡司鏡面構成光路，每個鏡面的反光率為 70%。也就是說，EUV 光束通過該系統每一對鏡面都會減半，經過 40 對鏡面反射後，只有不到 2% 的光線投射到晶圓上。

到達晶圓的光線越少，曝光所需的時間就越長，生產成本也就越高。為了抵消鏡面反射過程中的光能損耗，EUV 光源發出的光束必須夠強，這樣才能與現在非常成熟的 DUV 曝光技術比時間成本。

但多年以來，光照亮度的提升始終未能達到預期，ASML 的 EUV 產品市場負責人 Hans Meiling 曾表示，人們嚴重低估了 EUV 的難度。實驗中的 EUV 光源焦點功率剛達到 250 瓦，可支撐機器每小時處理 125 個晶片，效率僅有現今 DUV 的一半。

如果再加上價格和能耗，EUV 取代 DUV 還會更難。最新的 EUV 曝光機一台價格超過 1 億歐元，是 DUV 曝光機價格的 2 倍多，且使用 EUV 曝光機批量生產時會消耗 1.5 百萬瓦電力，遠超過現有的 DUV 曝光機。

ASML 表示，EUV 曝光裝置尚未徹底準備完成，最快也要到 2019 年才能應用生產，因此幾大半導體代工廠均在 DUV+ 多重曝光技術繼續琢磨，以求撐過 EUV 曝光機上工前的空窗期。

全新電晶體架構和溝道材料
透過 DUV+ 多重曝光或 EUV 曝光縮小柵極寬度，進而畫出更小的電晶體，只是達成 7 奈米的關鍵要素之一。隨著半導體製程的發展，半導體溝道上的「門」會在大小進入亞原子級後變得極不穩定，這需要換用全新電晶體架構和溝道材料來解決。

根據三星在 CSTIC 大會的報告，GAAFET（Gate All Around）是 7 奈米製程節點最好的選擇。GAAFET 是周邊自動換行著 gate 的 FinFET，和目前垂直使用 fin 的 FinFET 不同，GAAFET 的 fin 設計在旁邊，能提供比普通 FinFET 更好的電路特徴。

此外，進入 7 奈米製程時，半導體中連線 PN 結的溝道材料也必須要改變。由於矽的電子遷移率為 1,500c㎡/Vs，而鍺可達 3,900c㎡/Vs，同時矽器件的執行電壓是 0.75~0.8V，而鍺器件僅為 0.5V，因此鍺在某時期曾被認為是 MOSFET 電晶體的偏好材料，IBM 實驗室的第一塊 7 奈米晶片使用的就是 Ge-Si 材料。

IMEC（微電子研究中心）研究新的摻鍺材料，篩選出兩種可用於 7 奈米的溝道材料：一種是由 80% 鍺組成的 PFET，另一種是 25%~50% 混合鍺的 FET 或 0~25% 混合鍺的 NFET。

但近來，III-V 族材料開始受到更多關注。III-V 族化合物半導體擁有更大能隙和更高的電子遷移率，可讓晶片承受更高溫並執行在更高頻率上。且現有矽半導體製程很多技術都可應用到 III-V 族材料半導體，因此 III-V 族材料也被視為取代矽的理想材料。

7 奈米群英會
了解三大技術難題後，我們來看看幾大半導體代工廠分別如何部署 7 奈米製程節點。

三星
身為晶片代工業的後來者，三星是「全球 IBM 製造技術聯盟」的激進派代表，早早就宣布 7 奈米時代將採用 EUV。今年 4 月，三星剛宣布完成 7 奈米新製程研發，並成功試產 7 奈米 EUV 晶圓，比原進度提早了半年。

據日本 PC WATCH 網站後藤弘茂分析，三星 7 奈米 EUV 的特徵大小為 44×36 奈米（Gate Pitch×Metal Pitch），僅有 10 奈米 DUV 製程一半左右。

除了一步到位的 7 奈米 EUV，三星還規劃了 8 奈米製程。這製程實際使用 DUV 曝光＋多重曝光生產的 7 奈米製程，繼承所有 10 奈米製程的技術和特徴。

由於 DUV 曝光的解析度較差，晶片的電氣效能不如使用 7 奈米 EUV，所以三星為其商業命名為 8 奈米。從這點看來，8 奈米相比現有的 10 奈米，很可能在電晶體密度、效能、功耗等方面終極最佳化，基本上可看做深紫外曝光以下的技術極限了。

此外，三星在 7 奈米 EUV 之後，還規劃使用第二代 EUV 曝光技術的 6 奈米製程，和 8 奈米同樣是商業命名，屬於 7 奈米 EUV 製程的加強版，電氣效能會更好。

根據路線，三星將於今年下半年試產 7 奈米 EUV 晶圓，大規模投產時間為 2019 年秋季。8 奈米製程大約在 2019 年第 1 季登場，6 奈米製程應該會在 2020 年後出現。

台積電
相比三星直接引入 EUV 光刻的激進，台積電在 7 奈米選擇求穩路線，並沒有急於進入極紫外曝光時代。台積電表示將繼續使用 DUV 曝光，利用沉浸式曝光和多重曝光等技術平滑進入 7 奈米時代，然後再轉換到 EUV 曝光。

台積電使用 DUV 曝光的第一代 7 奈米 FinFET 已在 2017 年第 2 季進入試產階段。與目前 10 奈米 FinFET 製程相比，7 奈米 FinFET 可在電晶體數量的情況下使晶片減少 37%，或在電路複雜度相同的情況下降低 40% 功耗。

接下來的第二代 7 奈米 FinFET+ 製程，台積電將開始使用 EUV 曝光。針對 EUV 最佳化的布線密度可帶來約 10%~20% 的面積減少，或在電路複雜度相同的情況下，相比 7 奈米 FinFET 再降低 10% 功耗。

根據後藤弘茂分析，台積電 7 奈米 DUV 的特徵大小介於台積電 10 奈米 FinFET 和三星 7 奈米 EUV 之間，Metal Pitch 特徵大小 40 奈米，Gate Pitch 特徵大小尚不明確，但必定小於 10 奈米時的 66 奈米。

此外，與完全使用 DUV 工具製造的晶片相比，使用 EUV 光刻生產晶片的週期也將縮短，台積電計畫在 2018 年第 2 季開始試產 7 奈米 FinFET+ 晶圓。

格羅方德
格羅方德之前曾是 AMD 自家半導體工廠，後由於 AMD 資金問題而拆分獨立。格羅方德同樣屬於 IBM「全球 IBM 製造技術聯盟」一員，半導體製程和三星同宗同源。然而格羅方德在 28 奈米、14 奈米兩個節點都遇到重大技術難題，不得不向「後來者」三星購買生產技術。

格羅方德在 14 奈米之後決定放棄 10 奈米節點，直接向 7 奈米製程進軍。雖然這個決策稍顯激進，但格羅方德也明白步伐大就容易扯到啥的道理，決定在光刻技術穩中求進，使用現有 DUV 曝光技術達成第一代 7 奈米製程，隨後再使用 EUV 曝光進行兩次升級。

去年 7 月報導格羅方德名為 7LP 的 7 奈米 DUV 製程細節，據其在阿爾伯尼紐約州立大學理工學院負責評估多重曝光技術的 George Gomba 及其他 IBM 同事透露，格羅方德將在第一代 7 奈米 DUV 產品使用四重曝光法。

相比之前的 14 奈米 LPP 製程，7LP 製程在功率和電晶體數量相同的前提下，可帶來 40% 的效率提升，或在頻率和複雜性相同的情況下，將功耗降低 60%。但受限於四重曝光這複雜流程，格羅方德表示根據不同應用場景，7LP 只能將晶片功耗降低 30%~45%。

從後藤弘茂分析可看到，格羅方德的 7 奈米 DUV 特徵大小為 56×40 奈米（Gate Pitch×Metal Pitch），應當與台積電 7 奈米 DUV 基本相當。而 7 奈米 EUV 的特徵大小為 44×36 奈米，與三星 7 奈米 EUV 完全一致（畢竟同源）。

不過 EUV 部署上，格羅方德尚有些阻礙。據了解，目前 ASML 提供的保護膜僅適用每小時 85 個晶片的生產率（WpH），格羅方德今年的計畫是達到 125WpH，這意味著現有的保護膜無法應付量產所需的強大光源。

格羅方德尚未透露將於何時開始使用 EUV 曝光，只說要等到「備妥」以後，不過看起來難在 2018 年前備妥。因此業界普遍猜測格羅方德最早也要到 2019 年才能使用 EUV 曝光生產晶片。

Intel：我沒有針對誰……
Intel 身為全球最大的半導體企業，在半導體製程方面一直保持領先，且引領大量全新技術發展。不過近幾年，Intel 半導體製程的發展速度似乎逐漸慢了下來，比如 14 奈米製程竟然用了三代，10 奈米製程也被競爭對手先占。

三星和台積電進入 16 奈米／14 奈米節點後，製程常使用一些商業命名，比如上面提到的三星 7 奈米製程，最佳化一下就變成了 6 奈米。而 Intel 的 14 奈米製程雖然歷經兩次最佳化，卻只以 14 奈米、14 奈米+ 和14 奈米++ 來命名，兩者已沒有可比性。

由於電晶體製造的複雜性，每代電晶體製程有針對不同用途的製造技術版本，不同廠商的代次之間統計演算法也完全不同，單純用代次來比較很不準確。目前業界常用電晶體密度來衡量製程水準，實際上，Intel 最新 10 奈米製程的電晶體密度甚至比三星、台積電的 7 奈米製程更高。

根據 Intel 公布的電晶體密度表格，45 奈米製程的電晶體密度約為 3.3MTr/mm²（百萬電晶體每平方公釐），32 奈米為 7.5MTr/mm²，22 奈米為 15.3MTr/mm²，上升倍數約為 2.1 倍。但 14 奈米時電晶體密度大幅提升了 2.5 倍，為 37.5MTr/mm²，10 奈米更比 14 奈米提升了 2.7 倍之多，達 100.8MTr/mm²。

根據後藤弘茂的分析，如果將 Intel、台積電、三星和格羅方德近些年製程的特徵尺寸放在一起比，也可看出 Intel 的 14 奈米製程確實優於三星和格羅方德的 14 奈米 LPP 及台積電的 16 奈米 FinFET，僅略輸三星早期 10 奈米製程。

Intel 的 10 奈米製程則更全面勝過台積電和三星的 10 奈米製程，甚至比台積電和格羅方德第一批 7 奈米 DUV 更好。雖然不如三星和格羅方德第二批 7 奈米 EUV 製程，但 Intel 肯定會深挖 10 奈米製程，第二代 10 奈米趕超三星和格羅方德的 7 奈米 EUV 也不是不可能。

國外網站 Semiwiki 日前討論三星的 10 奈米、8 奈米及 7 奈米製程情況，其中 10 奈米製程的電晶體密度是 55.5MTr/mm²，8 奈米是 64.4MTr/mm²，7 奈米也不過 101.23MTr/mm²，堪堪超過 Intel 10 奈米製程一點點。

下一站，5 奈米
目前 7 奈米製程的種種困難可以看出，5 奈米及之後節點，電晶體的架構很有可能仍需要改進，目前較受關注的是類似羅漢塔式的 Nanosheet 電晶體。

Nanosheet 是「IBM 聯盟」在 2017 年 6 月 Symposia on VLSI Technology and Circuits 半導體會議提出，電晶體為「將 FinFET 90 度放倒」的扁平堆疊化架構。

檢視後藤弘茂的分析後粗略得知，IBM 聯盟展示沿著從源級（source）到漏級（drain）方向 90 度切開的電晶體橫截面，可看到 FinFET 製程 Channel 是直立的，就如同鰭片，將這些鰭片 90 度放倒後，就變成 Nanowire 的形狀。

有趣的是，本來 FinFET 就是將原來 Planer 型電晶體 90 度「放倒」而成。Planer 型電晶體是在平面內生成，其上緊接著生成柵極（gate）。

而 FinFET 將平面 Channel 給 90 度立起來，這樣變成 3 個方向都有柵極的三重門（Tri-gate）電路。Channel 基本上脫離了矽基板，不僅抑制電子遷移，且增加柵極的長度。

與 FinFET 的三面柵極不同，Nanosheet 是 4 面 360 度全包，可進一步抑制電子遷移，提高柵極長度，加強電子驅動能力。如果都是三鰭片架構，Nanosheet 柵極長度是 FinFET 的 1.3 倍。

Nanosheet 在良率方面也比 FinFET 更有優勢。垂直 Channel 的 FinFET 更依靠曝光技術，水平 Channel 的 Nanosheet 更依靠薄膜生成技術。根據實驗室的說法，垂直加工比水平加工在半導體製程更困難。

但是正如 7 奈米有 3 座大山，5 奈米製程要解決的也不只有電晶體架構，還有全新布線層材料等難點。根據幾家半導體廠商的 roadmap，5 奈米製程暫定 2020 年上馬，至少 Nanosheet 以此為目標。

矽半導體的夕陽紅
如同過去，摩爾定律的命運不僅取決於晶片製程尺寸，也取決於物理學家和工程師，對生產的電晶體和電路能改善到何種程度。三星、台積電和格羅方德的技術進步，讓我們看到 7 奈米製程時代的發展方向。即使需要克服大量物理與工程難題，積體電路產業也在一步步向前走。

不過當未來半導體製程進一步發展到 5 奈米甚至 3 奈米後，電路最窄的地方甚至只有十幾個原子的厚度，屆時矽半導體製程可能真的面臨極限，如今幾方競相角逐 7 奈米製程的情景完全可說是矽半導體的夕陽紅。

在這樣的情況下，我們希望這些半導體企業攜手，未來繼續努力，繼續遵循摩爾定律的腳步，將人類的計算能力和製造能力推向全新的高峰。

（本文由 雷鋒網 授權轉載）

評析
台積電在 7 奈米選擇求穩路線，利用沉浸式和多重曝光等技術平滑進入 7 奈米時代，然後再轉換到 EUV 曝光。

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轉貼2018年6月25日科技新報，供同學參考

台積電 7 奈米將吃高通驍龍 1000 平台訂單
瞄準全時聯網筆電市場

作者 Atkinson

繼日前在 Computex Taipei 2018 會場上，行動處理器大廠高通（Qualcomm）推出驍龍 850 運算平台，主打筆電市場的長續航力和全時 LTE 網路連接特點之後，高通還將更上層樓，準備推出全新專為全時連結筆電開發的驍龍 1000 運算平台。由於日前處理器大廠英特爾（intel）也展示了全時聯網的高續航力筆電產品，一時間全時聯網筆電成為兵家必爭之地。

根據外國媒體《WinFuture》的報導指出，針對這個以四位數來命名的運算平台，其 CPU 部分將採用 ARM 最近新發表的 Cortex-A76 核心架構。根據 Arm 的表示，Cortex-A76 核心架構將比上代 Cortex-A75 核心架構提升 35% 性能。而且 Cortex-A76 核心架構其中有許多是定位運用於筆記型電腦之上，其表現宣稱可以達到英特爾 Core i5-7300 的水準。

此外，報導還指出，驍龍 1000 的 CPU 最高熱設計功耗（TDP）可以達到 6.5W， 平台 TDP 為 12W，相較目前驍龍 845 的平台 TDP 的不到 5W，因為更高的 TDP 功耗，加上全新的 ARM 架構，新平台的性能應該要比現有的驍龍平台有更大的提升。因此，宣稱效能與英特爾 Core i5-7300 相近，似乎值得期待。

報導進一步表示，驍龍 1000 平台將使用台積電的 7 奈米製程，整體封裝面積大小在 20×15mm 以內，相較驍龍 850 的 12×12mm 來說大了許多，接近高通 Centriq 2400 系列的服器處理器大小，但相比英特爾 x86 處理器的封裝仍然小了許多。

以目前高通提供的測試平台，驍龍 1000 採用了插座式的安裝，不過如果未來要用到筆記型電腦等行動設備上，採用焊接的情況能能還是比較適合。此外，這套測試平台還提供了 16GB LPDDR4x 記憶體，兩個 128GB UFS 儲存記憶體、千兆 Gbps 等級的 LTE 網路連接、以及和其他無線、電源管理控制器等。預計，華碩（ASUS）將會是首家推出內建驍龍 1000 平台筆記型電腦的廠商。但最終的情況將要等到 2018 年秋季才會確認，而實際產品則可能要到 2019 年才有望看到問世。

評析
高通準備推出專為全時連結筆電開發的驍龍 1000 運算平台，驍龍1000 將使用台積電的 7 奈米製程。

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轉貼2018年6月25日聯合晚報，供同學參考

台積電除息有志難伸 小貼息

聯合晚報 記者張家瑋／台北報導

半導體族群除權息秀登場，產業龍頭台積電（2330）打頭陣，首日填息表現不如預期，股價開小高後不久隨即翻黑，終場下跌1.5元，收在今日取低的218元，呈現小幅貼息走勢，盤中最高則來到220.5元，台股指數也因台積電除息指數蒸發70餘點。

與去年除息首日強勁填息走勢相比，顯然今年受到第3季營運不如預期的市場雜音干擾，法人賣超力道大增，壓抑台積電填息行情表現。

半導體產業風向指標台積電今天除息，今年每股配發8元現金股利，創下該公司歷史記錄，除息參考價為219.5元，總計發出2,074億元現金股息，同樣創下台股單一公司最高金額紀錄，由於台積電占台股權重高達18.21%，除息首日加權指數蒸發近70點。

不過，台積電除息首日呈現貼息走勢，表現不如預期，主要受到最大股東外資法人近期連續性賣超所致，統計最近六個交易日外資賣超高達8.2萬張，持股比重下降至77.25%。

而外資圈先前不約而同調降台積電全年營收成長目標值及第3季營運表現，下修全年營收成長目標至10%至8%，第3季營收季增率則由原先雙位數成長下修至10%以下，以第2季合併營收將介於78億美元至79億美元之間，相較第1季營收84.6億美元衰退7.8%至6.6%，第2季基期相對較低之下，外資對台積電第3季營運看法轉趨保守，導致今年台積電填息表現不如往年。

而台積電營運關鍵在2019年5G及AI應用，其中5G的商轉才可真正實現物聯網、車聯網應用，AI應用面逐漸擴大，也帶動相關晶片融入AI功能，帶動台積電營運另一波高峰。

評析
今年受到第3季營運不如預期的市場雜音干擾，法人賣超力道大增，壓抑台積電填息行情表現。

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轉貼2018年6月27日經濟日報，供同學參考

外資關鍵報告 台積、三星誰勝出？

經濟日報 記者趙于萱／台北報導



台積電和三星向來被市場視為競爭對手，花旗環球證券出具「王對王：台積電vs.三星」報告建議，呼籲投資人如果看重評價，應該買三星，看好晶圓代工受惠趨勢發展，則挑台積電，因為台積技術可望持續領先。

投資台積電還是三星好？已是投資圈長久以來的話題。花旗報告指出，台積電和三星業務架構其實截然不同，一直被市場比較，主要是三星開始進軍晶圓市場，尤其近來雙方技術比拚激烈，為此該券商研究雙王技術、財務及客戶結構，最後總結評價及技術作為投資二大參考。

花旗環球證券半導體產業分析師徐振志表示，台積電因為與三星業務結構和手機周期使然，長期相對三星享有溢價，以花旗預測今年雙王每股純益，推算目前台積電本益比約16倍，三星只有七倍，評價差異仍大，因此看重評價，理應先選三星。然而，如果看重技術，三星晶圓代工業務對營收貢獻仍低，台積電則是最大市占者，三星要追上還有距離。

花旗分析，三星來自晶圓代工業務營收占比約7%，記憶體占25%，獲利來看，後者占比更達63%，且晶圓代工營益率仍低於該公司平均的12%。在三星系統半導體事業（System LSI）分拆為系統單晶片（SoC）、顯示器驅動晶片與晶圓代工部門等板塊 ，同時從事IC設計和晶圓代工，更讓市場關注業務間競合，相當程度影響其評價與技術發展。

徐振志指出，花旗仍樂觀記憶體前景，也看好三星記憶體事業，對晶圓代工形成綜效，評價可望提升。惟與台積電比較，後者營收及獲利九成皆由晶圓代工貢獻，高度專注，使其近年維持較高成長，除此，台積電在晶圓代工市占率超過五成，遠高於三星。

評析
投資人如看重評價，應買三星，看好晶圓代工受惠趨勢發展，則挑台積電，因台積技術可望持續領先。

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轉貼2018年6月27日科技新報，供同學參考

AMD 的 7 奈米製程處理器 2018 年將量產，正式超車英特爾

作者 Atkinson



在半導體晶片市場，英特爾以往最大的籌碼就是製程技術領先對手，但 2018 年開始將大不相同。英特爾 10 奈米製程難產，現在仍使用 14 奈米製程，這給了競爭對手追趕機會。因為有外媒報導，AMD 的 7 奈米製程晶片 2018 年就會出貨，正式超車英特爾。

根據《富比士》雜誌最新專文，內文提到 AMD、英特爾新製程處理器的進展。晶圓代工龍頭台積電已決定增加 7 奈米製程產能，以協助 AMD 不僅生產 GPU 晶片，還包括 7 奈米 CPU 晶片，特別是 Zen 2 架構的新一代 EPYC 伺服器晶片。

AMD 的 EPYC 處理器已在資料中心、單處理器伺服器的市場嶄露頭角，這部分業務本來是英特爾寡占。AMD 在某些情況下可提供更佳效率，以及更好性能，使 AMD EPYC 伺服器晶片在某些 OEM 廠商脫穎而出，如 DELL-EMC、HP Enterprise 及其他公司產品。預料未來 7 奈米製程的 Zen 2 架構 EPYC 伺服器處理器將繼續擴展 AMD 的優勢，以提供市場更高性能、更多核心數，以及更高效率的解決方案。

消費型市場，AMD 也有顯著的核心數量優勢，近期在高階市場推出第 2 代 Ryzen Threadripper 處理器，12 奈米製程的 Zen+ 核心數多達 32 個，硬是比相同等級的英特爾 28 核心處理器要多，同時相容現有 X399 晶片組，較勁意味濃厚。

儘管技術指標方面，英特爾 10 奈米製程技術確實很先進，電晶體密度比台積電、三星及格羅方德製程都好，但卻改變不了一個事實，就是 AMD 使用的 7 奈米製程技術比不上英特爾 10 奈米製程技術，但 2019 年英特爾就得面臨 AMD 用 7 奈米製程技術產品，和自家 14 奈米製程技術處理器競爭。英特爾這次被超車可說是一個很大打擊。

英特爾目前積極反擊，但迄今只承諾在 Cascade Lake 及 Cooper Lake 這兩代處理器中使用 14nm++ 製程、MCM 多核封裝，並預計 2018 年底及 2019 年提供更多核心而已。可預見一段時間內，英特爾還是只能以 14 奈米製程處理器與 AMD 的 7 奈米製程處理器廝殺。英特爾要有新武器上陣，恐怕也要一段時間以後了。

評析
台積電已決定增加 7 奈米製程產能，以協助 AMD生產晶片，正式超車英特爾。

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轉貼2018年6月28日工商時報，供同學參考

外資：台積電爆發力在明年

工商時報 簡威瑟／台北報導



國際資金不斷提款台股，導致台積電（2330）貼息壓力未除，現在市場更將矛頭直指第3季營運力道偏弱，摩根士丹利證券半導體產業分析師詹家鴻指出，台積電下季營收年增雙位數目標，恐難達成，摩根大通、麥格理證券也紛紛下修財務預期。

最大權值股台積電是台系半導體最重要指標，除息前夕，外資圈就曾點出三大疑慮：國際資金態度、加密貨幣需求變化、第3季營運表現，這些擔憂「不幸地」均反映在股價壓力上。

摩根大通證券半導體分析師哈戈谷（Gokul Hariharan）持續擁護台積電，惟略將推測股價由270下修至260元，他認為，台積電第3季營收季增約僅有8％，但這就是台積電明年超旺之前，市場最後一輪下修。

麥格理證券半導體產業分析師廖光河建議將眼光放遠，7奈米製程是台積電長多利器，不僅客戶更分散，營運比重也擺脫智慧機控制，吃下更多高效能運算（HPC）新應用。

凱基投顧半導體產業分析師江培嘉同樣認為，台積電明年在7奈米製程上，龍頭地位將展露無疑，股價短線壓力，只是反映今年營收有下修風險。

至於摩根士丹利證券半導體研究團隊由詹家鴻領軍，上半年多次力排眾議，要市場留心加密貨幣挖礦需求續航力，乃至點出市場對台積電營運預期太高的風險，現在看來頗為精準。

詹家鴻指出，根據產業調查，台積電7奈米製程的良率還在改善當中，意味著蘋果最新的應用處理器，得拖延到8月才會大量出貨，此外，加密貨幣價格下挫，挖礦用GPU與ASIC需求同受影響，待台積電召開法說會公布第2季業績，市場調整對台積電預期後，再來考量是否進場承接，是較佳策略。

不難發現，「長期看多、中期謹慎」是外資圈對台積電基本面的主流意見，但仍要留意，國際資金近期對台股持續大舉調節，台積電首當其衝，雖屬非戰之罪，依舊成為台積電股價壓力來源。

正因為國際資金調節的侵擾，贊同外資券商長線偏多看法的機構法人，短期並無明顯搶進動作，多抱持觀望心態，寧可確定籌碼逆風消除再進場。　不過，由於台積電除息後連日下跌，現在的報酬風險比更具吸引力，分析師不諱言，不少客戶最近都在商討進場時機，只是什麼價位進場，尚無定論。

評析
台積電明年在7奈米製程上，龍頭地位將展露無疑，股價短線壓力，只是反映今年營收有下修風險。

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轉貼2018年6月28日工商時報，供同學參考

台積中科7奈米廠 擴建環差案過關

工商時報 邱琮皓／台北報導

環保署環評大會昨（27）日審查台積電進駐的中科大肚山園區的環差案，針對台積電因製程改變而申請變更化學品數量，由於健康風險資料完整，環評委員一致無意見，順利通過環評。中科管理局長陳銘煌表示，將有助於台積電加速推動7奈米生產製程，讓半導體製程領先國際地位。

中科台中園區擴建用地（原大肚山彈藥分庫）開發計畫，開發面積約53.08公頃，主要引進半導體產業及中下游產業及精密機械業，結合既有園區產業型態，形成群聚效應。進駐廠商目前除了台積電外，還有巨大集團全球營運總部。

中科管理局指出，此案擴建計畫用地分二期施作，第一期公共工程與廠商建廠均已經完工，第二期先期水保部分也完工，公共工程與廠商建廠則是在同步進行中。

中科管理局表示，這次主要是因為台積電製程技術提升，調整化學品使用項目及數量後，與2017年環差有所差異，因此依法辦理變更。

昨天環評大會決議審查通過後，除了協助台積電維持國際領先地位外，還有助於半導體產業及中科發展邁入新的里程碑，提昇中部地區整體產值及就業人數，並提高國家產業競爭力的正面效益。

另外，環保署審查的另一案，因為位在特定農業區，而進入二階環評的神岡豐洲科技工業園區二期園區案，在歷經3年多二階環評程序，環評專案小組歷經3次審查後，今年5月做成建議通過，但昨送審環評大會討論卻遭要求補件。多名環評委員認為，二期園區用地產業面積要給輔導未登記工廠進駐比例應再審酌，因此要求台中市政府檢討後，補件再審。

評析
這次是因台積製程技術提升，調整化學品使用項目及數量後，與17年環差有所差異，因此依法辦理變更。

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轉貼2018年6月28日經濟日報，供同學參考

台積7奈米Q4放量 挹注二成營收

經濟日報 記者簡永祥／台北報導

台積電全力衝刺7奈米，今年下半年開始放量，並獨家取得蘋果最新的A12處理器代工訂單。台積電看好，第4季7奈米營收占比可達20%，成為今年成長動能最強的製程，並積極布局5奈米等更先進製程。

台積電供應鏈預估，台積電7奈米製程第4季在蘋果、超微、高通、海思、比特大陸、賽靈思等主要晶片大廠大單挹注下，將會放量。

台積電7奈米遙遙領先強敵三星，隨著7奈米產出數量再擴大，加上5奈米也進入試產階段，台積電未來成長動能無虞。

台積電7奈米強化版也在今年下半年有晶片完成產品設計定案，第3季進行風險性試產，明年放量，明年也會導入極紫外光（ EUV ）製程；5奈米製程則預定明年上半年進行風險性試產。

評析
台積電全力衝刺7奈米，今年下半年開始放量，第4季7奈米營收占比可達20%

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轉貼2018年6月28日經濟日報，供同學參考

小摩砍台積目標價 降至260元

經濟日報 記者趙于萱／台北報導

虛擬貨幣利空頻傳，外資摩根大通證券出具最新報告，表示台積電遭虛擬貨幣挖礦機龍頭比特大陸、嘉楠耘智砍單，加上NVIDIA GPU和蘋果A12處理器代工訂單遞延，下調第3季及全年財測預估，並下修目標價由270元至260元。

摩根大通是本波繼摩根士丹利、麥格理等外資，接連發布保守看虛擬貨幣與台積電第3季動能，第三家重量級機構再對台積電下半年營運釋出審慎看法，其中麥格理已將目標價由300元降至280元，摩根大通也調降，兩家外資都是先前樂觀台積電展望的代表，對照近來外資積極調節，昨（27）日連九賣台積電，不難想像「權王」何以填息路遙。

不過摩根大通也強調，本次可望是最後一次下調台積電財務預估，預期第4季起重拾動能，可說是「短空長多」。過去三個月，台積電股價修正達15%，目前已接近底部。

台積電昨日下跌1.5元收213元，盤中一度測試212.5元低點，為今年新低。外資賣超4,079張，較前日的1.2萬張縮減，但累積連九賣達11萬張。

摩根大通證券科技產業研究部主管哈戈谷（Gokul Hariharan）表示，台積電第3季遭比特大陸、嘉楠耘智砍單，虛擬貨幣動能比先前預期疲弱。NVIDIA指出，短期內不會發表新GPU，加上蘋果A12處理器代工訂單應於第4季展現效益，下修台積電下季營收增幅至8%，之前為10%，同步下調今年營收增幅至6%，大幅低於台積電預估的10%。

摩根大通預期，台積電今年營收為9,997億元，明年起受惠7奈米進一步發揮，營收將年增12%，2020年成長9%，來到1.2兆元。

評析
台積電明年起受惠7奈米進一步發揮，營收將年增12%，2020年成長9%，來到1.2兆元。

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轉貼2018年6月29日經濟日報，供同學參考

半導體產業 四趨勢聚焦

經濟日報 記者趙于萱／台北報導

瑞銀證券亞太區半導體首席分析師呂家敖昨（28）日出席瑞銀台灣論壇指出，半導體產業有四個趨勢，是瑞銀未預見的「意外」，包括虛擬貨幣動能疲弱，下半年不樂觀；手機方面，值得注意中低階手機興起，取代高階手機成為主流。

呂家璈指出，半導體周期因為高效傳輸（HPC）、人工智慧崛起，表現還有期待，不過今年和往年比較，瑞銀注意到，半導體投資已從代工轉移至其他半導體部門，且下半年不確定性更多，有四個趨勢是瑞銀先前沒預見，值得進一步追蹤。

第一是虛擬貨幣對產業影響甚鉅。相對手機周期，虛擬貨幣波動高，公司表現大幅起伏。例如上半年，市場還樂觀挖礦潮，下半年可能走下坡，但虛擬貨幣仍能填補產能，應用在區塊鏈也很有潛力。

其次，根據拜訪大陸數十家硬體廠的觀察，中國高度關注貿易戰衝擊，除了中興通訊，晶片領域等也會受到影響，需要持續留意美中互動。

三是蘋果iPhone X的預期由大好到保守，今年新款iPhone包含一款低價LCD版iPhone，陸手機品牌也轉戰人民幣2,500元的中低階產品。這些產品都有可觀商機，市場表現樂觀。

第四，半導體因應用愈廣，電動車、感測器、電源管理晶片遍地開花，12吋晶圓之外，8吋晶圓產能也吃緊，供應鏈表現改善。

評析
半導體投資已從代工轉移至其他半導體部門，且下半年不確定性更多

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轉貼2018年6月30日經濟日報，供同學參考

8吋晶圓代工價 Q3喊漲

經濟日報 記者謝佳雯、張瑞益／台北報導



台積電、聯電、世界先進等晶圓代工廠近期向下游IC設計廠示警，8吋廠產能將緊缺到明年，請客戶預作規劃。由於產能緊缺，今年上半年晶圓代工廠先後調漲兩次價格，第3季進入旺季，市場預期將有雙位數漲幅，不利IC設計廠毛利率。

全球8吋晶圓供不應求，8吋晶圓廠緊缺自去年起延續至今年，第一波動能來自指紋辨識晶片、電源管理晶片等，龐大的車用晶片需求在今年接棒，導致晶圓代工廠的12吋BiCMOS製程和8吋廠都被傳感器、MEMS、TOF感測器、電源管理晶片等產品塞爆。

聯電、茂矽看好8吋晶圓代工後市，茂矽表示，目前8吋廠產能全都塞滿，去年以來，過去營運毛利率偏低的晶圓代工廠，都可在這波需求爆炸中選擇毛利率相對較好訂單，且一路看旺到明年。

市場人士分析，由於8吋廠產能持續緊缺，代工廠挑單生產，今年甚至造成毛利較低的驅動晶片遭到排擠，使驅動晶片出現缺貨現象；因驅動晶片公司被代工廠漲價，今年起也開始向客戶端轉嫁成本，造成產業漲價潮。

IC設計公司表示，8吋廠今年已連續調漲代工價格兩次，第3季還會再漲，等於今年價格逐季上揚；代工廠近期也明確告知，產能緊缺現象會延續到明年，請客戶預作產能需求規劃。

隨晶圓成本持續墊高且產能吃緊，今年以來，IC設計公司已陸續向客戶端爭取調漲驅動晶片、電源管理晶片等產品售價。

法人認為，在今年晶圓成本拉升和產能吃緊下，對IC設計公司毛利率表現相對不利，若可以適度轉嫁給下游客戶，才能平衡成本壓力；但相對的，對下游系統廠來說，今年仍是零組件成本壓力高張的一年。

評析
由於產能緊缺，今年上半年晶圓代工廠先後調漲兩次價格，第3季進入旺季，將有雙位數漲幅

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轉貼2018年7月2日經濟日報，供同學參考

台積、大立光營收 扮演台股風向球

經濟日報 記者趙于萱／台北報導



上市櫃公司6月營收將陸續公布，權王台積電與股王大立光業績扮演台股風向球。根據摩根士丹利、摩根大通等主要外資券商預期，台積電6月營收應會達成財測目標，但可能只達低標；大立光則持穩5月，第2季合併營收估比前季成長三成。

外資上周五（29日）轉買台積電1,349張，加上內資拉抬，終場收216.5元，上漲2.1%，美國存託憑證（ADR）跟漲1.7%。大立光也獲外資轉買62張，投信、自營商同向買超，股價收4,490元。

台積電5月營收受高階智慧手機需求仍弱，虛擬貨幣投片量減少，持續比前月業績下滑，來到809億元，較去年同期則增11%，累計4、5月營收1,628億元，以台積電預估匯率基準1美元對29.2元新台幣計算，第2季營收介於2,277億至2,306億元，6月營收估至少649億元。摩根士丹利證券半導體產業分析師詹家鴻表示，台積電受虛擬貨幣需求減弱影響，預期第2季仍會達成財測目標，但可能落在中間或偏低水平。

評析
台積電受虛擬貨幣需求減弱影響，預期第2季仍會達成財測目標，但可能落在中間或偏低水平。

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轉貼2018年7月3日經濟日報，供同學參考

陸廠利誘 我晶片技術竊案倍增

經濟日報 編譯葉亭均／綜合外電



中國大陸為切入半導體市場，祭出高薪挖角台灣人才以竊取晶片技術的情況日益嚴重，去年這類技術竊案數量已比2013年增加逾一倍，顯示出全世界貢獻三分之二半導體生產的台灣，已成為大陸力拚發展半導體技術這場密戰的目標。

華爾街日報報導，台灣政府官員與企業主管指出，由於台灣半導體業者為蘋果、輝達、高通等美國科技巨擘生產晶片，因此中國已處心積慮瞄準台灣相關業者。

官方數據顯示，台灣相關的技術竊案去年達21件，比2013年的八件增逾一倍。不過，台灣檢調大多沒有起訴竊案中最終獲得利益的陸廠，原因是沒有辦法在大陸境內執行法院的判決。

雖然大陸生產全球多數的智慧手機與電腦，但幾乎所有邏輯與記憶體晶片都靠進口。大陸去年進口晶片的規模達2,600億美元，較石油進口額高出60%。中國計劃2025年前，要讓大陸產製智慧手機中的四成晶片來自本國製晶片，這個比率是當前水準的四倍。
台灣官員指出，大陸正以優渥條件利誘台灣的企業與工程師，甚至開出加薪五倍的條件，有時則引誘新人帶走設計藍圖。報導指出，台灣最近10件與技術相關起訴案中，有九件的檢察官點出，遭竊的技術已經或目標流向大陸企業。

其中一案是，美光台灣分公司一位王姓工程師涉嫌竊取技術後提供給聯電，用於技術支援福建省晉華集成電路公司的晶片設計。另一案是南亞科一名前員工涉嫌用手機拍照竊取DRAM技術，用來向陸企求職。此外，台積電有位徐姓工程師在2006年底被上海華力微電子引誘，竊取台積電機密。

評析
中國大陸為切入半導體市場，祭出高薪挖角台灣人才以竊取晶片技術的情況日益嚴重

p470121

轉貼2018年7月3日經濟日報，供同學參考

打擊洩密…台積、南亞科 布網防護

經濟日報 記者簡永祥、張瑞益／台北報導

面對中國大陸大量竊取台灣科技業技術，科技大廠台積電、聯電和南亞科等早就嚴陣以待，台積電和南亞科甚至以竊取營業祕密等，對前員工或主管提告，藉此捍衛智財權，同時加強內部防範，全力阻斷技術流向大陸。

為防止機密外洩，加上有前員工將機密資料流入大陸中芯國際，以及前研發處長梁孟松跳槽三星的前車之鑑，台積電的保密措施做的更周全、更完善。

例如訪客甚至內部員工，都不能攜帶具有照相功能的手機。曾有員工不小心上傳未上市的手機照片，就遭公司以毀損商譽求償巨額賠償金，可見台積電打擊洩密的行為，絕不手軟。台積電也對梁孟松控告竊取機密，並要求禁止到三星上班。

台積電登陸後，為防止機密外流，更加設防護網，還包括研發人員全數集中在台灣，南京廠初期派任大量台籍幹部；另外為防止有心人士透過拼湊生產線各道製程的進度與研發過程，台積電所有產品均以代號替代。

藉由產品「代號化」與分層機制，每一站生產線員工僅知道自己部門的狀況，不會知道是那個客戶的晶片與終端應用，也不會知道整個生產線最新進度，藉由分層控管機制，層層把關，只有部分高階主管與客戶才知道整個產品全程進度。

除生產線外，台積電在廠區內其他區域也建立嚴格的控管機制，例如訪客拜會攜帶筆電時，將被要求封閉所有USB插槽，阻斷任何資料拷貝行為。

南亞科日前對離職主管竊取營業祕密到大陸正式提告，公司強調絕對捍衛公司智財權。有鑑於人是最大的技術資產，南亞科大舉調薪祭出留才措施，全力留著菁英，建立技術嚴密防線 。

南亞科和聯電都建立防範機制，包括使用公司內部提供的電腦，人員的培訓、流動到進公司後相關資訊設備，都有嚴密管控方式。

評析
台積電對前員工或主管提告，藉此捍衛智財權，同時加強內部防範，全力阻斷技術流向大陸。