記憶體的種類

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6 P1 {: ~) n! o8 @0 v/ Q/ ? l: j5 Z9 m9 T( @- i Q( B' Z+ ~9 r9 t: r Cache Memory 快取記憶體	0 o, ^6 r1 {3 C9 }+ J8 v; w+ A% Z! f; ^, k$ f& X: D+ y3 `0 X 快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時，它會先到快取記憶體中尋找，如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話，就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快，CPU若要連續存取記憶體的話，必須等待數個時脈週期，所以硬體工程師在設計CPU時，也將快取能力應用在CPU上，像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體，通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能，使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。
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: G/ S# t. e' h6 K( ]6 f& L! ?) L! M# x4 y1 Q& D3 ~ DDR 雙倍資料傳輸率	DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz，但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。
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DIMM 雙直列記憶體模組	: H- C. I( V5 }, C3 \* O' B0 z5 [; J" p( q- `& ~& n, q8 ^# n# @0 F0 ]( ?# d DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版，可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成；一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ，並有168個接腳，若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元，便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作，所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型，而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數，讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。
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, l# r* y- u& H+ v" }: j8 F0 l, w( P6 D/ `% X8 q% L- t DRAM 動態隨機存取記憶體	7 {6 u! @1 g& K( y$ k6 K& t6 r. |* m& I. j1 l7 m9 c; ?: e2 |, Z* E( i! h% L! p3 ~ 一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種，差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體，需要週期性地補充電源，以保持記憶體內資料不會流失，SRAM每個位元使用6個電晶體組成，不需要週期性地補充電源，速度較快，價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM，快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展，陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。
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& ^/ g7 ?. N% b$ |7 Q1 E7 ~0 G) x; |7 j( n/ e/ H* M! `9 Q) x7 W5 ~! F' }* t1 a ECC Error Checking and Correction	9 j- v% }1 G$ o' E) P' ^) A f/ o 在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差，也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。
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3 m' q |& y! C, x7 z4 z EDO DRAM EDO動態存取記憶體	9 F9 g4 c$ H: [: U8 n/ u9 d+ O& P4 @* A0 k2 v) `8 V) g/ g9 D EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。
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7 }* m3 x! W) L& u) K0 g7 T% s D9 r8 |" k+ r EEPROM 電子抹除式唯讀記憶體	7 ~) E- i6 q" B k7 ?! Z# B0 x4 X5 s. l' f7 n- f& b c1 c8 U/ g+ R+ u0 y l# ]1 c" x% B( U2 G: V( c EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ，與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似，電源消失後，儲存的資料 (Data) 依然存在，要消除儲存在其中的內容，不是用紫外線照射方式，而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器，內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，通常就是EEPROM。
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. z; Z7 Z6 I0 N. ~, d- q; Y" b* V/ O0 g7 l" J' c! J U6 s% d, X/ A8 \9 {7 S& K' t6 p8 v% q0 ]* c3 g0 g EPROM 抹除式唯讀記憶體	( [4 X0 D6 K7 \0 c2 G EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式，因為內容消除容易，常在測試中使用，通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。
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7 Y4 E x6 E) ^# X7 R3 y, G' G( V9 x7 ]2 } k; `! c* i+ C- e- J/ u: I Flash Memory 快閃記憶體	, m- v. a- M* `% N+ D6 J- S8 L5 C3 E, J- Y7 \- A5 f/ ~ 屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次，售價低廉，許多電子產品內部均裝設快閃記憶體，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失，甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ，特性差不多，但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料，快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此，若需儲存大量資料 (Data) ，如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片，一定要使用快閃記憶體，因為EEPROM容量遠不及它。
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1 I, K' N! V$ [+ M% W- G- ] RAM 隨機存取記憶體	" J! e( t" h8 a/ `; n" ?; V* ?6 U. t W' Y6 d' k1 Z5 o! ?: f. M1 g8 L8 e% ? RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體，是記憶體 (Memory ) 的一種，由電腦CPU控制，是電腦主要的儲存區域，指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。
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P# l6 |9 k: m/ V( J* K' ^: @" h) v9 p d' x% n1 _4 R( ?0 h! B4 { RDRAM 動態隨機存取記憶體	, e8 W8 X: ~- p" P" h9 X5 n3 P+ j) q) |4 x V, _1 I2 ^3 R; x8 s3 d5 }+ F8 T+ P0 I2 o' f# n' O9 x& B2 g" l RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會間斷，比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達600MHz，記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ，將記憶體增為32或64位元。
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ROM 唯讀記憶體	# r) i2 Y0 p8 f a) B8 ^$ }- o+ |) P4 S Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體，這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令，和使用儲存在ROM的資料，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
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. \& B( C# q Y) Q7 T9 g" I8 [2 Z5 X5 ]2 Z8 r+ K ? u6 J, A2 P SDRAM 同步動態隨機存取記憶體	/ I# C) R+ M& ^7 H ^; |* \( ^) o, ~! Q! c8 O! }4 }: m8 o; H SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。
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, z0 L- l8 b6 `8 W1 r, r+ |% z4 F% j' D* ?4 e) U SIMM 單直列記憶體模組	7 J6 P2 l% d/ }# Y3 [3 b4 j9 u5 v% q9 z1 b( p4 V" [6 _2 ?- V1 K( |3 _ SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上， 當時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ，一次資料存取 (Access) 為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) ， 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。
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1 f7 x% ^# q3 ?) e& }2 H/ l9 ^9 A. l) ~% I: X0 U- q6 E, {$ b m8 }* x) T* b) M SRAM 動態隨機存取記憶體	: e6 K/ S5 Q# Q7 ^ v# b7 x2 ]: X) w! p) O) j6 l% I SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同，每個位元使用6個電晶體(transistor)組成，不需要不斷充電以保持資料不流失，其存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體，SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了，或是沒有插好，主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。
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( i# v* t$ N7 X \# H6 k+ W. ? VCM SDRAM 虛擬通道記憶體	. Y5 E/ H5 S7 z* _2 J& ?. s. h1 _% Z2 d% K1 h% g, w* Y6 K VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者， 大力推廣所謂的VCM模組技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後， 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬通道（Virtual Channel）， 每一個通道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔， 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作， 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦， 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔，以及本身低耗電的特性， 相當適合筆記型電腦的運用，品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。

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7 x; H$ A2 I5 T: m 認識財務報表專有名詞	* v) o6 Z6 n4 c1 u. Y% c% q+ c( P3 y2 y 認識財務比率分析 (上)	認識財務比率分析 (下)	: \. k+ S4 r+ w5 g2 I6 B 認識每股盈餘 EPS	& u$ H$ I) V* e9 l' E   認識本益比 P/E Ratio (PER)
認識股價淨值比 P/B Ratio (PBR)	減資的基本認知	除權息的基本教戰手則	如何衡量個股投資的風險	+ D5 F9 S ~7 E5 V, |: x. L+ p 認識現金殖利率

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NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明，並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取，所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存，但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia，還有很多種的儲存卡跟隨使用：MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外，手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體，作為存放多媒體檔案的媒介之一，著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始，NAND型快閃記憶體的產能陸續開出，價格也滑落到很普及的水準，業界也進一步利用NAND型快閃記憶體，製作出固態硬碟，也就是Solid State Disk或Solid State Drive，可稱作SSD硬碟，擁有高速、省電的優勢，但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高，SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。