記憶體的種類

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4 }9 F) X- ]6 E F; d, h" T/ T; c$ |9 @0 v3 {+ b _" p2 O* I; x- {5 o. N& e1 v, w6 c+ d8 F) N, }- h- k; `6 v. |1 P/ r( }8 y# |* v. U: }+ p+ f( N, G) M+ _) c, p% a/ o+ \# q5 p9 `" j# r# V# D4 }9 B$ x) G9 o8 B; y2 L, w. v+ z$ {( F1 G0 d4 |8 |5 m6 E8 _9 e' T9 B0 M; c, b, l L, }: o* x% `+ i: p- t5 y5 _0 V4 f9 X7 M! B+ C) ~9 M1 W( K5 h! B$ T+ S: Y9 M0 S* m; o& K5 h8 K( v f3 q) W3 s$ A9 Z, s+ ^/ E* T% U/ o V5 k+ {7 l8 Y9 C# S7 P i8 a$ R2 d, s6 @" l. @9 M$ }( f b7 H5 k8 f( |, [8 ?& ]4 T9 S0 _; C. M5 n" T( w- P3 {: ]7 m" g8 K* E* n' m7 D% \% F) u. d z+ T) a4 K' N% q2 a2 M3 m$ u6 k3 B. }/ h- C/ u* |# h& Z) y3 c0 y5 V& K% o" V) w0 c( z; {; o: @! Y+ s9 m `. h+ p* \- Y+ {9 Q6 p% ]/ |. S, l! _, g9 i4 \1 U% f* K; I9 s; p: I5 R$ p2 h$ t+ h+ u: k! S8 g# ?, D8 { \; |# M4 K4 A) I2 p" D8 Q. v0 V [) u _7 p( z! h& ]& T) ]8 C; f/ }& D: [' o4 [2 ~5 ~3 g( R7 i2 |2 N% c' n0 v' r' N, [- F5 Y3 A* n+ v( n* s+ B6 r. Y+ H$ _" J5 D- K1 P& P) b* A2 j' S% v( G; ]2 O5 c& u8 v3 L8 n8 p( R* |3 ?1 |' e g* z! H4 B% I) s+ k# Q, I' E; t: n% B& f" g/ Q3 ?# W

9 I( ?: B1 }8 Y( R9 D* F- Y0 x) @- G( A Cache Memory 快取記憶體	快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時，它會先到快取記憶體中尋找，如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話，就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快，CPU若要連續存取記憶體的話，必須等待數個時脈週期，所以硬體工程師在設計CPU時，也將快取能力應用在CPU上，像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體，通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能，使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。
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8 t( M+ u1 D. b; w5 r( n( P! c) x7 R2 l# p- n3 U6 m8 H- N9 Z- j, f0 t% f DDR 雙倍資料傳輸率	`/ a2 E: P# W# ^6 [1 J0 o: U) _" [# g5 }$ M% R' y) O0 x% D. p DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz，但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。
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4 K. V0 x3 X/ |( {: y/ I. K' V' z9 w! _6 v2 ~& @/ L: w$ u9 Z3 C: v! y DIMM 雙直列記憶體模組	0 a2 P% h0 d( _0 E$ c5 U3 l, `. g# [* e( ]3 G! H' Y DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版，可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成；一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ，並有168個接腳，若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元，便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作，所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型，而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數，讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。
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. |6 H3 T: A+ N* f/ m. |8 G# a" |0 Q4 E4 F D DRAM 動態隨機存取記憶體	' C" _# ]6 H; N% f( s" _6 ?8 Y; g, U* M: J 一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種，差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體，需要週期性地補充電源，以保持記憶體內資料不會流失，SRAM每個位元使用6個電晶體組成，不需要週期性地補充電源，速度較快，價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM，快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展，陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。
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5 W* Q0 ]" H* h) q+ `+ g. M0 v$ M" m2 |! \2 m# T5 K- I" L& s8 `7 b ECC Error Checking and Correction	. A% v6 F5 V5 C. n/ i2 z. u Q' F: ]) x/ G( p$ i9 y; X+ P 在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差，也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。
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3 g6 {2 g' X' d: _( V% A. G% f: d' i# U9 F9 \# ]4 Z( y" E0 `1 J& K. P5 k. p* _9 O: P6 J9 m$ V$ C4 B7 B8 h5 C' T9 Q EDO DRAM EDO動態存取記憶體	# ?! T) r* o! X5 Y$ @0 a4 e8 H3 j3 _! r3 }/ ?, W5 t1 @7 @3 A+ {8 i3 R6 | EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。
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6 t% x3 \8 n+ x, c0 s O. v: [ J/ n5 W/ H* c, ~8 d EEPROM 電子抹除式唯讀記憶體	0 Y0 A' M$ {( ~# _, a9 e$ j H4 }4 `2 @! c" e- U& v: x& {) n# C4 X; ^8 I6 | EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ，與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似，電源消失後，儲存的資料 (Data) 依然存在，要消除儲存在其中的內容，不是用紫外線照射方式，而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器，內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，通常就是EEPROM。
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/ I' Q+ v( {, i6 X, q7 z6 P) R, [4 d* b' i& m! E; \2 `* W9 X% h5 P4 b& o" W EPROM 抹除式唯讀記憶體	) f4 f9 W) B3 `, Y" A# \+ r/ y( ]6 y+ D+ s# r z# y6 O EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式，因為內容消除容易，常在測試中使用，通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。
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; t9 x2 V) A. F3 B" I5 d6 `. j1 u& p3 k7 [; F# ]" G: Q0 Q; t+ S8 @+ L, J& i- b, [# C( K Flash Memory 快閃記憶體	( X) f" i. P9 p v" M F6 K% F4 j. T$ u9 \4 ] f! Y 屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次，售價低廉，許多電子產品內部均裝設快閃記憶體，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失，甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ，特性差不多，但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料，快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此，若需儲存大量資料 (Data) ，如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片，一定要使用快閃記憶體，因為EEPROM容量遠不及它。
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9 ?9 c% d% ]2 v0 u, Q" R RAM 隨機存取記憶體	RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體，是記憶體 (Memory ) 的一種，由電腦CPU控制，是電腦主要的儲存區域，指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。
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RDRAM 動態隨機存取記憶體	' H0 o' ^. }. B3 [5 j! X) K0 }1 B( c/ v; l+ z( I1 |9 y RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會間斷，比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達600MHz，記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ，將記憶體增為32或64位元。
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7 O( _( e+ i' m- `" R9 @- `. G- n. p! b z+ Q: S+ i/ Y( Z$ R( H, o: m ROM 唯讀記憶體	/ ~5 t" Z7 X' }" ~8 V% f2 r+ a) F5 f3 c7 }, h0 i; V# K* A Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體，這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令，和使用儲存在ROM的資料，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
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: V( J. R* J( i6 m) y1 a; e8 m2 Y! ?! P. J+ R) M5 s" i$ |$ {5 O! p/ U# u# g" r* X) Z* A; ]# F# `1 w* z3 \ ~0 Z+ m9 u+ r( t+ s" [ SDRAM 同步動態隨機存取記憶體	% P, Q' c# k" w SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。
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* p' i' h" U$ W' J5 x! O X/ ?: u5 g H3 R$ e SIMM 單直列記憶體模組	4 Y% z. u. Y/ Z ~5 K: a7 L9 y- ]' N5 M0 D SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上， 當時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ，一次資料存取 (Access) 為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) ， 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。
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9 l0 M; @4 b+ v3 \, F( Q SRAM 動態隨機存取記憶體	( E0 p4 a; m* K& X SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同，每個位元使用6個電晶體(transistor)組成，不需要不斷充電以保持資料不流失，其存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體，SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了，或是沒有插好，主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。
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* ?" f" c( Y7 n: Y7 |4 k* Z% W j0 {- F) N7 a9 {1 s- X4 {3 Y& j4 {6 K2 | u( [3 m VCM SDRAM 虛擬通道記憶體	% N& c& k* k+ f8 d* @" M% I1 ^6 B. f. R+ B) H d* ~* h. i% B$ J9 }4 b$ `- z9 K T VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者， 大力推廣所謂的VCM模組技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後， 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬通道（Virtual Channel）， 每一個通道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔， 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作， 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦， 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔，以及本身低耗電的特性， 相當適合筆記型電腦的運用，品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。

 

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認識財務報表專有名詞	認識財務比率分析 (上)	認識財務比率分析 (下)	認識每股盈餘 EPS	: t7 N! |2 M) C+ y8 }% p8 r   認識本益比 P/E Ratio (PER)
1 [; c# V& W) j3 q2 O3 g 認識股價淨值比 P/B Ratio (PBR)	減資的基本認知	8 G# C: q; {, D, o+ B" b 除權息的基本教戰手則	如何衡量個股投資的風險	% U+ t4 O' L7 a 認識現金殖利率

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NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明，並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取，所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存，但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia，還有很多種的儲存卡跟隨使用：MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外，手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體，作為存放多媒體檔案的媒介之一，著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始，NAND型快閃記憶體的產能陸續開出，價格也滑落到很普及的水準，業界也進一步利用NAND型快閃記憶體，製作出固態硬碟，也就是Solid State Disk或Solid State Drive，可稱作SSD硬碟，擁有高速、省電的優勢，但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高，SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。