記憶體的種類

austin

& w# X3 O0 D$ G" M1 f0 W* h! [: {' j- z M' ^) Y# F8 k, s7 l0 l; P, z; T2 ~& M0 p6 g+ M, h8 D9 d+ `, B, B2 a/ Q1 P6 I2 ~! Y2 I+ _ K4 K4 k& i% E- z( A' y4 \9 ]6 Z. I% C+ ^6 u3 E$ [* Q+ T+ ^' W7 w0 H6 C# X2 F! M2 w1 H6 _' X2 I5 D& F% ]9 D: R# T( d a$ |1 w- s4 [2 ~( D' j9 X, c8 m" J3 X9 w' V( a% X0 E i9 U# N% O6 o% q3 c4 i- N# @" n+ m; K+ a/ N8 o9 R% G5 q$ c7 _1 u( X B& F" r0 d+ Y9 v9 h8 m" f% r! k7 h" q3 U! R4 J/ t4 Q" m0 P* {, W3 D/ O- ^5 r; {8 a* k4 i- Y7 \1 ~7 u6 l- |; r" N/ D8 G4 c# W, p* o) s; I/ X' A$ C/ R$ I0 B2 w! l, ~- X+ _) t! J. t) d4 [2 `4 |& Q2 A' ~6 d* S$ |4 s0 m4 M- L9 X5 O/ e7 [3 U) U2 m0 U! N4 [% r/ n' w+ I, E. v3 H1 T; X8 k. B; Z- b8 P7 @+ X/ q6 f) A8 W2 B* T6 D) J! c& C! d" e6 @; A' _# b- q: l( `. R0 j3 Y! P, }+ i' x' U' r0 c' F) b3 U- N* l+ V) A- m5 O* @0 N% v9 C# q: |5 K2 d- K! z( ^, q, w& b% i2 ?; @# ]1 q/ ~- {' j0 U( s- h0 r* z" B* S- Q0 r! p6 Q2 q: q! T" v0 [# C6 c* ^: k, D% f% ] k3 P+ f8 t9 C8 E& ~, @0 n4 ~! |0 q( ^+ X; J- C" \1 ]. N5 m, Z$ E( R2 P0 o! M5 O9 ?- H: r z& x; _" V, o# h0 b, i, M" S/ g8 g8 W: X+ z6 u& G6 p" K+ d* k# j! T0 T

/ K. N7 a3 @" V; f8 M- W" W# f( C0 t1 @: y. x Cache Memory 快取記憶體	, c P7 v( D! S 快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時，它會先到快取記憶體中尋找，如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話，就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快，CPU若要連續存取記憶體的話，必須等待數個時脈週期，所以硬體工程師在設計CPU時，也將快取能力應用在CPU上，像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體，通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能，使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。
: H9 _; l. ~, t% b! L/ k! `$ j* i; Q) u/ Q1 y
1 t) h) _2 S# c# ` M9 F" M( c+ l4 x2 V2 f2 W& G" d DDR 雙倍資料傳輸率	+ [# b0 a4 [3 J4 p6 l" w2 {+ O) R' s$ a. p3 z! v2 w& \. v' J& K- _" J4 { DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz，但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。
- D8 f) v' j$ ?$ b8 E/ `4 k. g0 P0 S: P! S' S8 I( C8 u
7 k, x0 a0 s, m! O8 h( i# h( s. c0 C7 O9 M, G- ]: W; K; l8 |. ~' z$ {5 C, Z$ v- W5 n3 @! S DIMM 雙直列記憶體模組	$ X) e7 v9 k& M8 M, C8 F' N: F9 j" R. @8 ]9 d9 y9 i6 n) t: ?7 L DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版，可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成；一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ，並有168個接腳，若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元，便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作，所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型，而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數，讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。
6 P7 A, L$ K9 y; [. U: ~0 s# g" ^5 K: a( {2 m6 w% i7 A, J. S
4 |4 E. ~9 i) k- {1 b. l% D# B+ \6 g/ }' a/ w7 H/ ?: F* l# I$ k8 v; _5 z DRAM 動態隨機存取記憶體	0 C5 A! z, {* F o: ]6 A- o2 P" j. K5 d+ ?4 K @" p; }; W* p% S 一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種，差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體，需要週期性地補充電源，以保持記憶體內資料不會流失，SRAM每個位元使用6個電晶體組成，不需要週期性地補充電源，速度較快，價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM，快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展，陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。
" _ C) ]. a; W! S( V& c! {! s# a! J" T) @: B) T3 r1 l+ {5 ^1 o1 _6 Q2 U8 N4 i" Z4 E
ECC Error Checking and Correction	& A' Z: m2 P8 L8 F8 Y x2 r4 F9 d! m* T# x0 t# F4 T6 C4 ?- l 在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差，也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。
5 {! ?$ O/ G( |7 l, O y5 i! U" R" r7 T: i' `: A
- }6 R- p5 u% I5 g% A9 E# ?) g% j* r4 F& c7 Q2 N) B6 Y) d EDO DRAM EDO動態存取記憶體	! I& c; H/ v. r/ ~; l EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。
. t* y! Y. U: D( Y& q3 s* p/ X$ j) d$ k+ j0 X8 m2 s& L8 e( C/ n# S8 S8 @2 P! t7 `' Q& f2 y: D9 g1 A
# X0 A, w4 S6 Q4 L$ g d$ S" q3 n2 q7 ^; }# x) u( F2 e! w9 f" x2 O9 e8 P. \0 T+ U: ~ EEPROM 電子抹除式唯讀記憶體	* C9 T8 j9 M1 K2 j* F: x; m# U4 S# q* j$ q0 v B$ X1 R5 l EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ，與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似，電源消失後，儲存的資料 (Data) 依然存在，要消除儲存在其中的內容，不是用紫外線照射方式，而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器，內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，通常就是EEPROM。
) [+ u. Y3 M' w" O, M6 d
( i: ]$ M7 p9 Q/ {) y& q- X9 [3 n' H( ]9 S* L6 A: E) a7 o4 L! h* X) O9 m EPROM 抹除式唯讀記憶體	+ G. \) U+ A& g7 b' H3 `( G" ?6 K9 x6 z' |' j$ Y1 s EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式，因為內容消除容易，常在測試中使用，通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。
( o2 _; D- X! ^, A% U: ~$ U' Y- [7 n# y
2 f; Q4 [( h! Z6 v# N+ N- Z) {3 n Flash Memory 快閃記憶體	# x4 g( t4 h, G# D4 F, y& ^' Z( }; C3 g9 L3 A" p! g; K& Z; Z1 p9 ]$ J- t" }/ C4 ^& l" b7 b1 f. i 屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次，售價低廉，許多電子產品內部均裝設快閃記憶體，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失，甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ，特性差不多，但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料，快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此，若需儲存大量資料 (Data) ，如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片，一定要使用快閃記憶體，因為EEPROM容量遠不及它。
0 P+ p9 E5 A0 B, q8 W
3 w+ l( ]/ x, [+ C( K' b3 n0 F3 d! K3 U/ O/ \1 u& R" ~& i/ T$ E3 |& ]6 v( ]- v3 r8 j+ l RAM 隨機存取記憶體	' v& F7 ]4 X: D/ e+ r/ f% N+ {, G: v4 M$ N RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體，是記憶體 (Memory ) 的一種，由電腦CPU控制，是電腦主要的儲存區域，指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。
* Z' |/ P' d C: H) y, O) N/ a" ^3 _/ F3 y- [/ T2 z$ P. B, |2 {3 g/ s7 ?! s! c r4 l
RDRAM 動態隨機存取記憶體	RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會間斷，比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達600MHz，記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ，將記憶體增為32或64位元。
8 ~. v7 x$ s9 V7 J5 B6 O. q+ w; q! d; u' P4 A; u+ V2 J2 v0 s3 A9 c3 }; j. N0 Y# v8 J! _1 b% K9 x4 }' T1 G6 ~5 W/ T
1 G2 [( O0 j7 a% i; v7 U1 b- E# b7 q. p6 `. N0 @8 J2 W9 S/ \+ z- s, p8 a* b ROM 唯讀記憶體	$ i' G7 |4 c$ A& x9 T Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體，這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令，和使用儲存在ROM的資料，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
% E9 I7 t0 q2 Y3 \3 e& W9 Z8 ?6 m4 k' ?9 F8 D! \( h$ u" x, O) H1 V
) W* G j f6 j: J' ~- ]9 Z* N/ M7 A SDRAM 同步動態隨機存取記憶體	; p& |% i2 `+ N4 U, m) z( P$ Z* ?' O r( c2 \! ]* O% @0 P# D- ~, X6 n( ] SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。
2 t8 U! m& t% V/ y8 k) R' a* b! a* _+ {7 S5 X4 C! E8 W4 _4 O+ X( D: C9 N9 F$ ?: L" K. O4 ~7 X8 V9 Q) c
$ T: r; l# M$ b5 b" X: W, Y2 c, R% ?4 s& l7 n8 W* U6 n8 K+ h) l, C, i/ p/ v9 C" o3 i! m SIMM 單直列記憶體模組	SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上， 當時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ，一次資料存取 (Access) 為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) ， 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。
# m2 L: I: W4 F* R" K0 u ?; P$ D# s( ^* ?8 M3 I4 {
& A/ Q9 u5 W0 T$ H% t SRAM 動態隨機存取記憶體	1 x& o6 \/ x; J: I+ M/ j+ [; J- E SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同，每個位元使用6個電晶體(transistor)組成，不需要不斷充電以保持資料不流失，其存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體，SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了，或是沒有插好，主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。
* P& |) O7 S2 M- S* B
: u- h) k6 {, \+ }5 d& ?, `4 d- Q5 h( Z$ \+ K+ q, m5 `) D4 m- B! d VCM SDRAM 虛擬通道記憶體	3 ]1 r! ], J& ~$ b( m VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者， 大力推廣所謂的VCM模組技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後， 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬通道（Virtual Channel）， 每一個通道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔， 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作， 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦， 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔，以及本身低耗電的特性， 相當適合筆記型電腦的運用，品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。

" _0 s' @0 E5 }, W: U9 Q

 

" i, m/ }5 {7 Y" i

基本分析與交易實務的基礎教學文章尚有....

0 p% Y! [4 A6 h9 K* ^1 g

 

! e& z/ i% A( {" `; ^) v x

. T6 G5 d7 I1 f* z: n, A! _& J. u/ Y8 [! w D$ H5 i4 c: O8 U4 L, u4 J( H1 Z1 \8 C5 T3 l! v: h! t

& ]+ N; V. [. v j3 d* {1 t 認識財務報表專有名詞	認識財務比率分析 (上)	+ Q) B8 p6 f" i& E' g. t* X 認識財務比率分析 (下)	% s- n9 K$ S$ p q 認識每股盈餘 EPS	/ A( ]; M2 r" x   認識本益比 P/E Ratio (PER)
1 F9 ^, u2 F8 ~$ E; A4 z 認識股價淨值比 P/B Ratio (PBR)	減資的基本認知	C) B( L0 J2 a: W8 ? 除權息的基本教戰手則	: s. L7 u" e$ N; V) e0 h 如何衡量個股投資的風險	認識現金殖利率

chaosteo

NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明，並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取，所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存，但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia，還有很多種的儲存卡跟隨使用：MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外，手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體，作為存放多媒體檔案的媒介之一，著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始，NAND型快閃記憶體的產能陸續開出，價格也滑落到很普及的水準，業界也進一步利用NAND型快閃記憶體，製作出固態硬碟，也就是Solid State Disk或Solid State Drive，可稱作SSD硬碟，擁有高速、省電的優勢，但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高，SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。

shng

SRAM
動態隨機存取記憶體
==> 應該是“靜態”隨機存取記憶體吧？
因應平板電腦與手持裝置的需求，現在又有一個新的“Mobile RAM"的分類：
“Mobile RAM主要適用於手持式產品，包括智慧型手機、電子書、可攜式衛星導航裝置、數位相機和MP3播放器等。主要包含 Pseudo SRAM及Low Power DRAM兩種產品，與標準型DRAM相異之處在於，Mobile RAM因為用於可攜式領域，因此相當強調省電和低功率效能，滿足輕、薄、短、小系統的設計需求，以技術能力而言，進入障礙高於標準型DRAM。”

DIGITIMES中文網 原文網址: Mobile RAM http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?CnlID=10&cat=25&id=0000178904_ZUG817IQ1NBKRB3BSOXKU&ct=2#ixzz1Id0vIOw6

jack0910

好深奧喔~~~~

liwin888

真是專業阿  佩服佩服