記憶體的種類

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* r: n- E+ m) {8 z7 l$ e$ `! ^% M* r9 \9 p: o# Y- }' P q; B9 M6 d4 k% @4 l% i Cache Memory 快取記憶體	) [( q; J( {. j9 [ 快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時，它會先到快取記憶體中尋找，如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話，就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快，CPU若要連續存取記憶體的話，必須等待數個時脈週期，所以硬體工程師在設計CPU時，也將快取能力應用在CPU上，像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體，通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能，使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。
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& V& p# O, `9 n; l" l# s" X n9 G. x, v% D i' Z3 `0 Z+ b, _. c3 k/ O9 X; x+ h DDR 雙倍資料傳輸率	$ v3 x: ]% }& I/ @" b7 H DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz，但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。
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% F% m; Y8 B$ R. [( W2 U- |) J. x3 `9 H; t* Q- Z$ h5 d3 A l0 K, b6 ^6 y5 c4 A; t DIMM 雙直列記憶體模組	$ |! K: L, [) r$ _1 m) Z$ }7 l DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版，可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成；一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ，並有168個接腳，若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元，便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作，所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型，而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數，讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。
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. z( {) e! @8 @/ ~, C/ ^: t9 C- k5 ]! O" \/ _/ \# A DRAM 動態隨機存取記憶體	8 B$ N, i( r* ~) n$ K" d4 f0 E, n. [% d 一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種，差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體，需要週期性地補充電源，以保持記憶體內資料不會流失，SRAM每個位元使用6個電晶體組成，不需要週期性地補充電源，速度較快，價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM，快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展，陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。
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! o* K# x: N4 B" g/ j2 C" H7 c! H; j4 H. k5 [( s# V) @$ m ECC Error Checking and Correction	% `+ F* Z/ ~- {3 h6 X& _. N+ s: T9 F: ^- x& L7 x# t! C1 X( G8 \% i 在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差，也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。
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4 I; q9 `# C1 H1 ^9 N& @8 v M$ T. ~$ W: [. H9 n" J& Q% p EDO DRAM EDO動態存取記憶體	' B4 h0 V2 m" f+ h3 O7 O7 D6 A. a; ` EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。
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1 O$ }3 B$ K! e9 y" l( E4 U2 ^! L( o5 W* t- d2 w( y4 B4 B: u EEPROM 電子抹除式唯讀記憶體	3 R/ _3 ]' Z/ ^7 z3 L/ h! \4 l$ c. L7 x2 V. x EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ，與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似，電源消失後，儲存的資料 (Data) 依然存在，要消除儲存在其中的內容，不是用紫外線照射方式，而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器，內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，通常就是EEPROM。
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3 x0 j9 K2 K+ ]# D W i9 ^8 y- f0 W; [1 u- D' K7 Y" e' [7 K$ q$ A7 m% d EPROM 抹除式唯讀記憶體	: f( V2 N/ P9 U" i( N" B3 ?8 j4 V; C3 g r+ x1 J$ ^! K& @" A1 \, b9 |1 [# G2 Y8 P EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式，因為內容消除容易，常在測試中使用，通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。
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5 d6 K; B- R1 D. ~- m9 r Flash Memory 快閃記憶體	& ^2 J0 c5 D1 ]+ j! b 屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次，售價低廉，許多電子產品內部均裝設快閃記憶體，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失，甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ，特性差不多，但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料，快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此，若需儲存大量資料 (Data) ，如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片，一定要使用快閃記憶體，因為EEPROM容量遠不及它。
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, j( `+ K" W. ~8 z! T0 T ~2 E+ E! k( y2 M9 O: V& v, W# m/ O( [5 Z" f RAM 隨機存取記憶體	8 u! I5 x! s7 n% ^+ Y2 s0 W) A6 ]2 z* n" h1 G4 w RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體，是記憶體 (Memory ) 的一種，由電腦CPU控制，是電腦主要的儲存區域，指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。
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; y: p$ Q+ q6 k& }& F& ]) G4 ^0 [; }; n0 O+ b! Q' p1 w, k) M9 z1 a RDRAM 動態隨機存取記憶體	RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會間斷，比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達600MHz，記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ，將記憶體增為32或64位元。
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; o: u) m/ I% E: i3 O+ F1 s' l5 |; t" R& m V6 `* D D0 g {8 k3 m$ Z; Z6 I! L. T U6 s8 u* w+ |" ]9 H ROM 唯讀記憶體	! V. M. ]- Z/ u4 c0 D9 T6 G8 _. ~4 T! i$ s Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體，這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令，和使用儲存在ROM的資料，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
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o, N9 {; L6 G1 x6 k! t SDRAM 同步動態隨機存取記憶體	9 N7 Z/ b4 q# o9 O. H6 S% e# }( c7 B1 o1 T& n' c7 z( v- E7 Q1 Y+ Y" _0 p! L9 V" `7 S SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。
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8 a) s; N1 `2 v6 c! g1 ? Y SIMM 單直列記憶體模組	m$ |* }2 \0 a0 R" I8 |. R SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上， 當時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ，一次資料存取 (Access) 為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) ， 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。
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9 L: y6 V7 r2 x, \, ]/ b9 F: Y; a. C5 C6 P5 w# s3 z. z, W SRAM 動態隨機存取記憶體	6 x' [2 k+ k9 F* t& [9 n7 c0 n0 \4 z& S" T- U! I: D- o' T$ D0 s/ i$ ^% \: z( y8 Q3 b5 |- u q SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同，每個位元使用6個電晶體(transistor)組成，不需要不斷充電以保持資料不流失，其存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體，SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了，或是沒有插好，主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。
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4 V! Z/ S8 u9 g4 n) S6 t0 ]$ l# M8 |% Y; ?& ^7 v: X, ?* G, w VCM SDRAM 虛擬通道記憶體	, Q7 D) [8 V# a3 F s9 K5 n8 L+ e& I- a VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者， 大力推廣所謂的VCM模組技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後， 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬通道（Virtual Channel）， 每一個通道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔， 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作， 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦， 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔，以及本身低耗電的特性， 相當適合筆記型電腦的運用，品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。

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基本分析與交易實務的基礎教學文章尚有....

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& c- B8 s; s: \4 E! J1 p 認識財務報表專有名詞	) M! Y4 d5 f' a; z; e* h- i4 R 認識財務比率分析 (上)	4 g% q& U5 P5 ?( |1 g7 _' r 認識財務比率分析 (下)	認識每股盈餘 EPS	8 |' j" e) G- ]0 ] {1 T   認識本益比 P/E Ratio (PER)
" T. @0 E' E8 k. }) Q 認識股價淨值比 P/B Ratio (PBR)	減資的基本認知	除權息的基本教戰手則	1 F5 j, ]. Q& o3 r9 R1 D2 X 如何衡量個股投資的風險	認識現金殖利率

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NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明，並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取，所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存，但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia，還有很多種的儲存卡跟隨使用：MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外，手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體，作為存放多媒體檔案的媒介之一，著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始，NAND型快閃記憶體的產能陸續開出，價格也滑落到很普及的水準，業界也進一步利用NAND型快閃記憶體，製作出固態硬碟，也就是Solid State Disk或Solid State Drive，可稱作SSD硬碟，擁有高速、省電的優勢，但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高，SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。