記憶體的種類

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' Q+ y! ^" Z" A; l2 h: U( H' e8 W Cache Memory 快取記憶體	$ U4 [) y9 n1 ~/ i" \% N( @1 r& \5 f( T W O- K% u& C0 a) Z* ]6 q6 Y3 r' a% `( H) k6 _2 q 快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時，它會先到快取記憶體中尋找，如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話，就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快，CPU若要連續存取記憶體的話，必須等待數個時脈週期，所以硬體工程師在設計CPU時，也將快取能力應用在CPU上，像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體，通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能，使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。
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3 j+ l5 b( I% y+ D* U2 o4 c5 d1 z/ o* z1 N8 R" a DDR 雙倍資料傳輸率	" S( R* |- p% p- ^8 w5 K) ]) b1 m DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz，但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。
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6 s9 J+ E0 o, F9 k" ~, H2 l! e4 z9 n8 g9 K" t1 |) @9 W DIMM 雙直列記憶體模組	DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版，可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成；一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ，並有168個接腳，若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元，便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作，所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型，而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數，讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。
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X! o" L/ J6 `* L# K# S. T, M1 Z/ J, ^, D I( u {5 ]* z6 L+ f2 Z- c0 z* K! \6 Y0 G# n4 O- S7 C# s1 ?2 O DRAM 動態隨機存取記憶體	* M1 j. \1 `1 V, z5 { `. h; V8 T, u8 @1 P; r9 P* D0 N4 X 一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種，差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體，需要週期性地補充電源，以保持記憶體內資料不會流失，SRAM每個位元使用6個電晶體組成，不需要週期性地補充電源，速度較快，價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM，快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展，陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。
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% ~$ P: q9 |: [3 R- V ECC Error Checking and Correction	2 G2 W G5 ]$ h2 }" b0 v' z 在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差，也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。
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! K' J. b6 M; {" c% S6 S# z8 g7 P8 A7 g, H8 x+ g* ~) \* U3 M9 C0 n6 {% o2 A. I/ M& l8 _6 n X4 T EDO DRAM EDO動態存取記憶體	9 m! u5 q+ t+ z3 x9 {2 z! u) d0 w; ?2 W4 w8 ~) [$ B: f9 U% }9 r+ M+ u# d EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。
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/ \& u% P4 N; \1 \* D7 E+ u/ ?2 ?6 A, a G9 N0 J1 d EEPROM 電子抹除式唯讀記憶體	4 x1 O/ d) j+ P4 Q EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ，與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似，電源消失後，儲存的資料 (Data) 依然存在，要消除儲存在其中的內容，不是用紫外線照射方式，而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器，內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，通常就是EEPROM。
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; m+ D2 B, T" Z9 T% H/ b' i& |% a# A5 r% o& X8 A7 ?+ j- B. j EPROM 抹除式唯讀記憶體	0 I* M9 r2 K. J( W# M- R; p1 ^& t- g7 |6 y5 N8 K- T P, q6 f y1 ~: v; [8 h9 O+ S9 k5 h EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式，因為內容消除容易，常在測試中使用，通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。
$ F3 ?+ L6 b) F0 w, G$ e; |6 S1 v* [- F1 m* F! d# S' x# i, L Flash Memory 快閃記憶體	屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次，售價低廉，許多電子產品內部均裝設快閃記憶體，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失，甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ，特性差不多，但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料，快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此，若需儲存大量資料 (Data) ，如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片，一定要使用快閃記憶體，因為EEPROM容量遠不及它。
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+ F# i6 |. n* E7 w7 H$ p1 Y2 [- K8 E. h: X( s: |0 H0 ?6 ]1 v. e- m! p V: d0 [ RAM 隨機存取記憶體	6 j( w! ^5 u+ J: I) v8 ^0 H# r- O/ x& q$ p; Q4 W& w, R% d1 ^1 z. x3 a4 G0 l9 s6 J: Q0 u# G0 m' P/ _) i RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體，是記憶體 (Memory ) 的一種，由電腦CPU控制，是電腦主要的儲存區域，指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。
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# D6 w% P, g/ i( N/ x" h9 H. u- S( k; V9 Q) H) y5 Q6 ` V4 [) X1 x# p9 L+ Y; h: `" ^- I* a$ X RDRAM 動態隨機存取記憶體	1 y' b; f4 [- Z) s' I4 R( P! J5 w/ x( z0 n# y `9 I4 h+ ?- m9 t7 {& C- {* u+ g8 Y, r+ X4 F RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會間斷，比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達600MHz，記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ，將記憶體增為32或64位元。
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# J- D" {" C4 T6 s2 {$ e" e4 H' Y; ]2 u" b Z, Q7 ?/ q! c8 F1 s# Y( Q4 z9 j! {2 T3 {* t! r* \0 x! v( M* ?( Z2 V& w2 g! O2 c ROM 唯讀記憶體	; \' t- U9 x. o, b9 z. ~& x! G" c ]" @% O( ]3 T Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體，這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令，和使用儲存在ROM的資料，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
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+ a' g2 i4 a: N' V" O7 J* M+ x L9 B' j* k SDRAM 同步動態隨機存取記憶體	+ i Y1 q) J# y6 P! J0 s$ T( G- O# c9 _6 k7 e3 R$ L! h! l1 k SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。
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0 y E0 D- h" v% y' |7 o3 o7 {$ s; m/ P% w1 @# u! o: c0 D. @ SIMM 單直列記憶體模組	" h1 v2 k+ Z) q# e w, I: t* g2 F. i( e& G! D$ }- v9 J2 j* O2 g) H& c2 Y) d# H$ h SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上， 當時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ，一次資料存取 (Access) 為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) ， 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。
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# G! y/ _- H7 K. C; } ` SRAM 動態隨機存取記憶體	SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同，每個位元使用6個電晶體(transistor)組成，不需要不斷充電以保持資料不流失，其存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體，SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了，或是沒有插好，主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。
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" [0 L9 f* R4 E, R" z8 }* B6 T! v. j) X% b* ~ VCM SDRAM 虛擬通道記憶體	9 h/ J1 o3 I. l3 R( n/ g0 L9 V8 m3 V' X9 M VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者， 大力推廣所謂的VCM模組技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後， 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬通道（Virtual Channel）， 每一個通道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔， 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作， 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦， 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔，以及本身低耗電的特性， 相當適合筆記型電腦的運用，品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。

 

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基本分析與交易實務的基礎教學文章尚有....

 

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1 L0 z2 t% m' i2 x0 m 認識財務報表專有名詞	認識財務比率分析 (上)	認識財務比率分析 (下)	9 ~" {2 G! ]3 ?1 i- o$ N 認識每股盈餘 EPS	認識本益比 P/E Ratio (PER)
% U0 ?6 |+ O' T% @% M 認識股價淨值比 P/B Ratio (PBR)	減資的基本認知	' u+ S+ l) O! m& I4 z% b5 G Z 除權息的基本教戰手則	2 K: L4 t0 q0 i6 y2 l/ A { 如何衡量個股投資的風險	認識現金殖利率

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NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明，並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取，所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存，但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia，還有很多種的儲存卡跟隨使用：MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外，手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體，作為存放多媒體檔案的媒介之一，著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始，NAND型快閃記憶體的產能陸續開出，價格也滑落到很普及的水準，業界也進一步利用NAND型快閃記憶體，製作出固態硬碟，也就是Solid State Disk或Solid State Drive，可稱作SSD硬碟，擁有高速、省電的優勢，但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高，SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。