記憶體的種類

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0 N# E& e8 W& U9 A* L* ?2 h5 a( |# w; V% e" D m9 F, \. `) r$ \9 k5 t* }( A/ P: I4 j" Z6 ]& d( G1 \* s- v/ V( o6 p3 e+ t4 o/ V" k! N1 G3 M7 y# O& Q8 q7 ~2 r2 ^6 A: d0 j" k- w' c% Z1 B* ~: w% _2 g5 {- T2 H6 ?& j7 T, L1 h2 T8 b& ] y# @: y/ K$ Y+ ~& H E% z; m* w) w5 x, D1 a3 ^& Z- A2 z1 t, } Z& ]6 j+ \- `! `$ [6 V$ y8 }: u" F2 r! f) V7 ^3 @. N. O8 d3 q" X1 y2 b" K! }) w) d: `9 A. ?3 ]& ~+ l" Y# p6 A! _! {3 N0 L$ y# @* W2 N, `/ ?* _' C( @8 a3 h% F- J7 W$ ^% J' U9 q9 Q, N' A7 p& N; s/ H* D- ^3 H5 ]5 Q; ~6 H( \, T3 C: Q) o! @$ X- t' x% @* C; `1 f6 r$ p5 Q' U5 P- Z$ @: E% B$ b9 m9 T6 }3 s8 I9 M9 P7 N- c% k4 \1 q, k( ?5 u' {9 z/ b0 J: b# j$ k1 J) r2 v/ W+ |# n- A# I. q3 P/ o( v I, j- W& i% S' \+ @+ M1 n/ `7 N- P2 h* _5 T0 e$ K. S, ?$ ^# T. Y4 }. V v( B% F3 i# k! m1 B. ^8 n/ n. h' @( b V: h$ l" J5 h( @( h% C; e9 E, S7 w9 f% O3 k9 `# b- u

, ^; `$ ?9 Y5 W9 k% w$ R& H0 N Y* D; J! A+ H7 j% L. h' F! m" X0 ~& J Cache Memory 快取記憶體	8 H5 l0 O- a% k6 S0 @$ p: Q* o* [4 L8 G$ p7 f/ u 快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時，它會先到快取記憶體中尋找，如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話，就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快，CPU若要連續存取記憶體的話，必須等待數個時脈週期，所以硬體工程師在設計CPU時，也將快取能力應用在CPU上，像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體，通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能，使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。
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, M2 v' W7 I: c- a3 v$ H# \- q DDR 雙倍資料傳輸率	5 e& j, k+ b7 D3 u8 n" R3 v4 C7 z5 z- S6 ~% u( `" i& z- l, j2 o; T5 t4 t5 o8 E2 H" K9 v: | DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz，但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。
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, @/ Z6 }3 @9 j) G5 i- t9 i' n3 F- w q2 R3 J. } DIMM 雙直列記憶體模組	( H: A2 G5 M; Z v- a: H- f- N5 _( E+ Q: L+ J1 [+ i DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版，可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成；一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ，並有168個接腳，若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元，便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作，所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型，而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數，讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。
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$ G! H1 ]( u3 F4 N5 @) b- L2 e4 }( l# U f! a E& K, o7 w# N. A4 R' H1 U& ~) r7 S: Z! P2 g DRAM 動態隨機存取記憶體	7 ^7 S# Z( J/ k* N+ _6 ?/ K- j' y4 T 一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種，差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體，需要週期性地補充電源，以保持記憶體內資料不會流失，SRAM每個位元使用6個電晶體組成，不需要週期性地補充電源，速度較快，價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM，快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展，陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。
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5 j2 E' v/ [$ o" p8 f1 t( Z" T4 S3 v4 r3 i% }/ M: J, w# s2 w- ?6 c/ h; T1 R1 `" Q6 R& P( ]4 n0 R- | ECC Error Checking and Correction	8 m( j. l5 K/ H) Z& i' Q& f' y* i, g) e, N/ A2 R! v) _) ^9 d* w: y% a" V6 k m 在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差，也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。
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1 _# j( J" L5 s8 x# t) |$ Z4 X) ?& t! W4 R5 T3 ]9 t% o- a- b) F& J: m9 s+ X EDO DRAM EDO動態存取記憶體	+ j3 c0 I* I0 H: K+ Y! n9 o6 \& ] c$ Z& \' H1 H/ T2 u$ i5 E$ s0 {' P; v: D7 ?8 Q; D EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。
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% Z) w9 o- @% [2 s EEPROM 電子抹除式唯讀記憶體	+ H7 `# b7 T- q) ^4 x2 L+ ^ EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ，與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似，電源消失後，儲存的資料 (Data) 依然存在，要消除儲存在其中的內容，不是用紫外線照射方式，而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器，內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，通常就是EEPROM。
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4 B |/ C# e' D2 C3 V6 Y$ V1 p8 l5 u9 }5 o* d; ^* t% t6 X3 a5 j EPROM 抹除式唯讀記憶體	* |' X9 }" F9 ?7 C* O. j: A! G/ B% b; J1 ?6 b( ]9 n EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式，因為內容消除容易，常在測試中使用，通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。
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" s. n5 {+ V. v1 n, n& w6 b5 G6 ?4 e$ N( |# B6 U/ b7 l m9 _2 t0 x- o, g Flash Memory 快閃記憶體	9 A$ G# P6 L, a* h R# \ Z" D" W6 V$ a9 k3 j7 ]+ p5 F% L1 q! V& }, U% C* m) ^ 屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次，售價低廉，許多電子產品內部均裝設快閃記憶體，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失，甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ，特性差不多，但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料，快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此，若需儲存大量資料 (Data) ，如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片，一定要使用快閃記憶體，因為EEPROM容量遠不及它。
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- n1 v6 j( o4 R Y5 I& N3 v& a/ w/ t$ _8 r' ~* @7 b v7 S1 V, l RAM 隨機存取記憶體	' s/ f% O L: C, f9 ~- I M' K RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體，是記憶體 (Memory ) 的一種，由電腦CPU控制，是電腦主要的儲存區域，指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。
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$ e7 p* Y3 J, q$ | G; `8 A8 p3 [8 s9 b7 n9 S8 e: N z4 F+ M% M/ A, d: w" F0 B" j7 N RDRAM 動態隨機存取記憶體	1 a$ k$ H: j8 `9 O" I1 z- A' ]7 R- q S9 f RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會間斷，比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達600MHz，記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ，將記憶體增為32或64位元。
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# p* |6 ~" L* z% D' v& X& C5 v2 B1 R0 {+ Z Z$ Y ROM 唯讀記憶體	4 Y# O$ k' `0 V, T) Q/ [. W0 {. H6 f4 d+ h# }% h; j, p Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體，這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令，和使用儲存在ROM的資料，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
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0 [: I" R/ ?9 Y) u+ _/ |0 s4 v# A4 j& W( k% M; n7 {# I7 K SDRAM 同步動態隨機存取記憶體	* w% S# I& t" l" V8 Y/ T. @1 l a( A0 o! Z* F8 T0 O, `) U# q' Z" E$ ^* t SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。
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3 b; h' m* T/ ?8 X: c1 S- C$ j. y) c SIMM 單直列記憶體模組	; O- i! t/ ~1 ~. s) i SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上， 當時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ，一次資料存取 (Access) 為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) ， 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。
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SRAM 動態隨機存取記憶體	SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同，每個位元使用6個電晶體(transistor)組成，不需要不斷充電以保持資料不流失，其存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體，SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了，或是沒有插好，主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。
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. @) B2 h5 R/ T) C( g- T$ U* e; n9 e) Q+ c2 l8 S. O- v/ r& C- ?' t* I. k: c8 b3 f VCM SDRAM 虛擬通道記憶體	VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者， 大力推廣所謂的VCM模組技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後， 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬通道（Virtual Channel）， 每一個通道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔， 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作， 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦， 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔，以及本身低耗電的特性， 相當適合筆記型電腦的運用，品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。

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% f. ^9 Y0 m6 g3 H; I+ N$ u/ v 認識財務報表專有名詞	認識財務比率分析 (上)	Y; A' k. E+ ^8 r, K% Y 認識財務比率分析 (下)	2 A! S K5 K5 W 認識每股盈餘 EPS	4 U& V- O/ s: V( M4 o   認識本益比 P/E Ratio (PER)
認識股價淨值比 P/B Ratio (PBR)	# F! r4 t D+ Q$ w* N, X7 f   減資的基本認知	% Y! q4 V9 A6 L+ c3 R 除權息的基本教戰手則	如何衡量個股投資的風險	( u+ |# }) h4 J$ O" g5 Q 認識現金殖利率

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NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明，並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取，所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存，但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia，還有很多種的儲存卡跟隨使用：MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外，手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體，作為存放多媒體檔案的媒介之一，著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始，NAND型快閃記憶體的產能陸續開出，價格也滑落到很普及的水準，業界也進一步利用NAND型快閃記憶體，製作出固態硬碟，也就是Solid State Disk或Solid State Drive，可稱作SSD硬碟，擁有高速、省電的優勢，但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高，SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。