記憶體的種類

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' R7 }) M( A& @ a0 a* H8 k3 G' y8 R$ Z7 d0 Y0 p1 V/ O7 G- f: q3 T& T- M5 _' t) j: o5 I# P z: F5 }, [" v" M# M7 B4 K9 q# B9 o! p- M! l1 q7 K$ ^5 t+ M/ T( g, |2 R) y: p" ]1 ?. I1 {3 b( M4 x+ V/ c% B% P" z: \/ `% Q9 g" k2 V% h7 v7 |4 p, V* M u6 ^9 z8 I9 e3 V: q' V0 E: M1 R1 f j$ l+ f+ j. N! c* a3 Q+ o3 @9 u; F% g1 L- D$ J. i o0 i- t' A& {- \1 l4 K. i/ H; Q8 r* q% I0 G. L# x7 Y# @/ T t" ?; ?# Z# F5 q, c% m2 Y- f% l- n! v) k7 ] D+ U! h! V; i* a( j7 J$ r) `/ i5 }4 y9 X+ M) ~% ]# ?+ [* `0 {% `& B1 [) {/ C- j9 e _( m5 A' o* z' t5 g" v) y# ]# |+ i7 w/ @ g- L3 D/ n; y% L) Z+ w. y0 a" E4 p$ X8 `' }8 X4 w- v- a) ?* X0 j0 F; I/ A% o9 s1 i3 t/ u4 t, d! i' U2 i. M$ c/ Q/ t2 l3 c" e5 ^3 S( k( @( U ^( P' j8 _4 G8 S- o) e& S A; G- e! l& S3 Y2 b/ T8 j( p9 P( N$ l- Y/ o* W$ z* k( x; j8 B+ u4 j S$ w7 i/ M# x7 N8 v7 P, S W; m0 p9 R# ^; I- D$ W: J% C, D* o0 O: a k& \4 \% s" f$ M$ X9 |2 z7 @; f+ [2 r3 T l) a" {7 s. R4 H

& N8 y! Q, G% Y, f7 L; ]: A" |% j* \- N( t/ C2 F) l Cache Memory 快取記憶體	3 x. L- r- K! @6 I8 C" ?& w$ n; ?. \* a6 `& X1 @. e1 Z9 w6 [1 ^& [& g+ g' `0 l* @7 c9 q 快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時，它會先到快取記憶體中尋找，如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話，就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快，CPU若要連續存取記憶體的話，必須等待數個時脈週期，所以硬體工程師在設計CPU時，也將快取能力應用在CPU上，像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體，通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能，使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。
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- E/ D! d& h; _. c+ a) j3 p3 T6 c+ x- B8 p! J# Q" w' e* N' u* v- P+ q& a8 `3 r! I# k4 W: m) F3 D2 A- M- G; | DDR 雙倍資料傳輸率	1 D1 {9 u3 i2 v2 s; x( Y DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz，但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。
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# ]7 e. N" r; A* \7 Q/ ~$ j- v: |! A! C6 \& k# E/ s* ^: O( R DIMM 雙直列記憶體模組	! C: V3 z2 }! g# w) o3 a9 g8 I6 a4 H9 E. ?2 n. c# w7 v. {2 t1 | DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版，可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成；一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ，並有168個接腳，若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元，便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作，所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型，而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數，讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。
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# u' s2 g7 g* D4 i+ O5 @5 L# [ t, X! {8 C7 q DRAM 動態隨機存取記憶體	8 r0 K: b: I8 W V0 L" o, x! F' o' f6 p0 }3 A t0 x- E2 V% t+ q1 T8 n f 一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種，差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體，需要週期性地補充電源，以保持記憶體內資料不會流失，SRAM每個位元使用6個電晶體組成，不需要週期性地補充電源，速度較快，價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM，快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展，陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。
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* N" t6 f/ [0 f( O2 h U; |2 d6 m3 X& t N% u' H; \' C+ |4 n# ?" Q9 W. K0 G$ i; T ECC Error Checking and Correction	# J) |) Y& P: z6 _2 ^ 在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差，也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。
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6 j# \4 x8 A6 A- B4 r2 V9 r/ t8 j* v' U" d8 `. p6 i \6 _( I( Y% s1 `: G: Z; e# g0 g5 Q U1 X" R; S0 @$ v0 J! M+ V5 J EDO DRAM EDO動態存取記憶體	, ^/ s+ c7 g. j0 X1 Y5 d3 ]% G! ? E. h) J: }3 _3 n9 ]/ h EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。
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4 F7 Z* s5 o/ O2 g8 i; g- m! ^$ [; g5 p# B9 }) W1 d& C9 d3 O. [. s! |. C! q EEPROM 電子抹除式唯讀記憶體	; ?" b0 ~6 @0 _. m* U; S& H; t8 e# X/ h% M' {- \2 v/ S, j8 g% A9 Q; ^( ^ EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ，與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似，電源消失後，儲存的資料 (Data) 依然存在，要消除儲存在其中的內容，不是用紫外線照射方式，而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器，內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，通常就是EEPROM。
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" v! b5 Q3 R1 o0 d" U+ Z3 v$ D EPROM 抹除式唯讀記憶體	h" |8 e7 |; H& T: O- N, Y, {2 Y4 m2 i" \! E* T% F8 Q8 } EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式，因為內容消除容易，常在測試中使用，通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。
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" h8 p; b9 z0 ?0 @2 W. ]2 d! Z I- B$ [1 \* e/ J# X: {+ l* |! j P! S; O3 ? Flash Memory 快閃記憶體	) H$ z9 ~) y5 R g4 Z& Q 屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次，售價低廉，許多電子產品內部均裝設快閃記憶體，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失，甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ，特性差不多，但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料，快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此，若需儲存大量資料 (Data) ，如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片，一定要使用快閃記憶體，因為EEPROM容量遠不及它。
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- Z' L: f" j2 A+ f! A$ t RAM 隨機存取記憶體	/ |6 V: W# X% _3 v) R& o# o# b- {. a5 W) X6 \4 c1 v# E) F RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體，是記憶體 (Memory ) 的一種，由電腦CPU控制，是電腦主要的儲存區域，指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。
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0 X0 k' H; C1 U7 Z3 H9 q5 G' z" q: h! D1 D3 k5 B8 v9 ^. U8 Q( y5 r RDRAM 動態隨機存取記憶體	' P9 a9 I3 V1 s1 T* S9 ?. c- z1 o# y' a RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會間斷，比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達600MHz，記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ，將記憶體增為32或64位元。
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" s# I6 T4 I+ L" u6 N$ E3 {6 I+ w& h1 O ROM 唯讀記憶體	: `- \, ~4 X8 r2 N2 I! V K9 o( h7 Q' M. V% Q3 b3 K. b: s Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體，這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令，和使用儲存在ROM的資料，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
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3 C: w S7 b0 C% H6 {% \/ g" o, f2 W3 B SDRAM 同步動態隨機存取記憶體	3 G) Z2 t& D& z, ]4 o! `/ t' N0 J H8 ?# i4 L SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。
l! A6 m V" T$ X# Z$ t8 k6 F0 ]* E) w/ u- k2 V. W% G0 \4 |* h6 {- P) \6 i; B9 [7 p; y
7 p j" j6 \2 S. r, o2 l% k. f/ X- K; Z; q/ f/ t/ N/ @/ u1 j" c- F& R8 ~- ?8 Y- g0 P; m1 d! ?3 @ SIMM 單直列記憶體模組	! e. H- _) f: F' r( ~* w' w7 f1 L: d0 m( J SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上， 當時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ，一次資料存取 (Access) 為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) ， 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。
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y. }2 f2 p6 _2 X# t# j# A3 w" ?- z! h9 B) W# i2 A9 T4 D6 C; W Y+ b Y; ?$ f+ F SRAM 動態隨機存取記憶體	0 [& x* d) h, e$ H/ [8 w1 e2 z2 e& s: v6 n% t, f; t$ S, [ SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同，每個位元使用6個電晶體(transistor)組成，不需要不斷充電以保持資料不流失，其存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體，SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了，或是沒有插好，主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。
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" ]9 D% U3 m) P/ \. C VCM SDRAM 虛擬通道記憶體	( b3 m5 U8 ]! o) _) e- }, O2 W6 n6 x VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者， 大力推廣所謂的VCM模組技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後， 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬通道（Virtual Channel）， 每一個通道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔， 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作， 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦， 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔，以及本身低耗電的特性， 相當適合筆記型電腦的運用，品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。

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基本分析與交易實務的基礎教學文章尚有....

 

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7 w1 h! \, e; Z* a% _ 認識財務報表專有名詞	1 }9 Q5 e8 `' H, p) P; A8 g. ^4 V5 v 認識財務比率分析 (上)	4 l7 Q' d9 y! ^& m8 g 認識財務比率分析 (下)	) B8 J6 ~0 e9 |* \8 s$ r- g 認識每股盈餘 EPS	認識本益比 P/E Ratio (PER)
H$ n- u) G. _3 s" X; z 認識股價淨值比 P/B Ratio (PBR)	減資的基本認知	/ q6 a! e% o# D8 \0 C0 ^4 h# ~ 除權息的基本教戰手則	如何衡量個股投資的風險	認識現金殖利率

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NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明，並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取，所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存，但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia，還有很多種的儲存卡跟隨使用：MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外，手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體，作為存放多媒體檔案的媒介之一，著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始，NAND型快閃記憶體的產能陸續開出，價格也滑落到很普及的水準，業界也進一步利用NAND型快閃記憶體，製作出固態硬碟，也就是Solid State Disk或Solid State Drive，可稱作SSD硬碟，擁有高速、省電的優勢，但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高，SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。