請選擇 進入手機版 | 繼續訪問電腦版

正通股民學校

 找回密碼
 申請入學
查看: 19675|回復: 7

[轉貼] 記憶體的種類

[複製鏈接]
發表於 2007-9-17 23:23:54 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
; v8 S& o, p' ?+ x2 D2 @7 Z" ^: x" k& D, \" G D8 @) o. |2 L+ f6 ]) i- z4 I( |6 p& h; g- X0 h( J. @$ ]# r% h% Z! C; {0 A9 _/ y& c0 m/ l- K' g6 M, a t# C' Q8 b8 q4 b: m7 E3 d- E8 M, @- O* O- t$ C5 t! s3 {( n; G( L4 q4 G, A& f6 C/ K7 q) l: w5 u! a8 F& W3 \8 }& J5 D; O( i3 t' i. b! j! n% ]" y7 y, j9 G' I4 d5 S( B9 v2 o$ |( |# Y: ?4 \# S6 x7 y; |; j6 p. E* A5 ?* _+ W, J5 ? ~, O) W& N5 _0 n3 J3 T( \3 z8 n) m$ M0 [, E2 I, s9 [* {# _" p& h, o' T- D5 i; N( H# x% g: `# n+ G# Y7 D( W5 [! g; A: c+ z( e1 O& L7 S. n. I! t# j9 s) [8 J0 n& j! l' d( x7 t0 n1 h5 P% ?" b6 \* h( S$ q6 Y# ^) }7 {8 e+ t5 Q0 L1 a" Z& K8 L( c+ q: U' s3 k% [6 R4 t" P: G6 ~3 T5 T8 K, d) ]% ?6 L( k8 }! L! Q# s8 j# v Y! G8 `# L+ T- J& U9 j% H" D7 `5 ^. j; o$ w6 q/ V* r( B" x/ T! A1 [5 r8 u- d& f: d5 y" U- a# ]& t y2 k) G6 @; |3 W0 L3 v: w+ v) z; H7 j/ Z M! d5 z* C" N+ t! ?1 N+ w/ @! C6 E9 J! a% |$ [0 D! i9 e- w1 [6 Y" q& w$ ?3 n; c8 A, C/ `. ^4 z/ H4 i% V2 r; d6 U6 u9 @- _7 q( I3 L% {9 z; K5 s1 |7 a" ?" R- Y" o8 H0 S! |2 C) i: A* {' v- c7 y2 |$ |& W1 @9 f2 {4 `# O* }( u9 f+ w) ^1 N" c1 s; J2 }! @# a" e4 }2 [9 l9 j& E" h0 A, W1 S) i) X, m5 k! D/ y0 i4 O6 I" L3 C' L" h) }7 z7 \1 Y( h9 B6 q( m$ r0 p% q6 L6 }, e0 ~& {5 a9 ]3 h9 |# [& w2 Q. F; {9 u1 S0 [7 {* m7 |8 R" I( j$ F }6 W% r0 s. D" x+ z3 a! B- S4 i1 g, h1 k1 M$ l0 N3 V# A+ Y: o5 N* h6 I; E6 M# o/ l( S; o! A8 ?* _9 @% H; L6 z( c. @1 g1 T$ N* ^4 \* c( j( ~# B, t$ k3 b- p. f+ K4 K3 u. m' ]/ h+ Z4 x/ Z. @0 n% L* M1 f( _6 Q- U# H0 ?6 w. [( ^4 \; d. o& V% A% a6 b7 Y- s: L# d4 J% T! U8 j- |: H4 z" }( c: F. ~0 n/ T6 v, }3 E% z% X* `+ N- O _# I/ E/ |) }4 T* ]$ q5 X" r3 S! n; N& f. j9 a. [ L/ m, |4 b( U5 _! I" @, O2 \8 K2 T) h" O/ M: }) ^' l4 x7 {0 X U- `4 x" m# J1 n+ K0 X7 b2 ~3 ?7 Q; n7 N. a' k2 m6 ~! M. i1 w3 L, e3 q/ \+ b3 a0 C5 Y; r+ B. E3 ?/ |. y# A k- y0 h; _7 _7 l+ e+ Z# X& H; u/ y" ~( F. k, I7 z
7 A% M k% y( h( V8 ? 4 Z5 c9 b1 S I; T* h9 B, c! k/ v- Q- _7 {2 s B; Y+ ?# w, `# z1 H, A! `
Cache Memory
快取記憶體

- z* k8 T# n1 a' Z2 v& c$ M. m: p* x7 D3 C7 R. X' S Z) v1 s. F. F( ]' s2 R% I7 ^: L, ^% R8 q; `" K# U* [ R K
快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種,其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時,它會先到快取記憶體中尋找,如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話,就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快,CPU若要連續存取記憶體的話,必須等待數個時脈週期,所以硬體工程師在設計CPU時,也將快取能力應用在CPU上,像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體,通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能,使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。

8 O: s2 {1 {2 h * i# G8 I+ H$ A9 w) i# I) A' V3 v8 [3 d6 j5 P) d( P& r8 w+ G: x: \6 `( h8 x" s* U( J x& b8 v* z3 p0 z

3 f1 a! J7 R1 L5 Z( E2 S' E9 T1 s, D% {% K$ `1 r! q" T5 x. f f5 E4 Z0 [% W# A# u9 I& g0 }) q& t6 h1 Q; K: h8 e
DDR
雙倍資料傳輸率
; H7 s* t6 e8 t) ~: I1 M- P ' a8 }0 b; w& q( v. L" J9 q& `2 A( ?: |& u5 l5 e5 V: B% P) P( s7 `6 d
DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz,但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍,即200或266MHz,系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加,因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。

7 W( s1 D4 `; b* O" i4 |0 B, u: R % U" i2 i$ ~# S4 I" N$ R% q% e, I2 A* I! l4 b2 I# ]4 H2 h W3 V$ N# Q7 U( t7 p8 R. v/ N4 w' A X8 k

2 D5 j9 K7 k9 C2 Y# P . L/ e ], P' o# A1 l% z: Z! c0 Z1 C% g% e* ?8 w* k0 z2 b K4 l0 n( X# G6 i: u8 w- F" Z4 M9 ^7 L5 K/ l0 w
DIMM
雙直列記憶體模組
& a! h$ g$ g5 T5 A; O" m' W) m+ x5 N. r1 H+ G ~. Q: R' {" z$ e( C" m' d9 V: |
DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版,可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成;一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ,並有168個接腳,若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元,便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作,所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓,這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種,目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型,而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數,讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。

) S, c. a, V7 e' [' g3 I+ Y5 z [; z% Y6 H# j& ^/ g0 Q, ?9 C. N: x$ k1 ~& p- u& z+ L" E/ Z6 v" M+ ^+ h

: I% b, _: y; t" L 9 X4 x8 C: q9 j- x( L& z% `9 s: x! M, `* }4 w7 q/ X) O. S1 M: _5 e F5 U" h& K+ p, L# \+ B
DRAM
動態隨機存取記憶體
4 n" v7 S3 T* Y5 k 8 P! q5 C$ W' }6 q9 q, v: _# k; |( W2 t5 a% s, W+ x3 @% _3 T; A: T5 [4 K
一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種,差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體,需要週期性地補充電源,以保持記憶體內資料不會流失,SRAM每個位元使用6個電晶體組成,不需要週期性地補充電源,速度較快,價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM,快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展,陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。

, s) C8 N ?. Q1 A+ y, _$ I" ~# W3 M+ S. b- P6 d, S' L3 [7 C2 b" T& j0 Q% h9 g7 _ F) h& m+ X7 h: \7 H$ |0 `% ], a; h# M, A# @) T# H' z# |

3 C0 a: S; x8 l3 Z5 A. e) r( I# x/ n4 d+ b4 u, Z4 F. _. w o: }9 W! X1 L8 \9 _7 B% n% ~9 t5 ^2 |2 N' K" ]) `4 ^/ I. s& C. R
ECC
Error Checking and Correction

/ ^: _" C/ d# r6 E1 \* Q1 A6 E, l5 m6 C6 t. [+ T* ? K3 F2 Z% w1 C2 I8 {1 H! T# J3 s+ o0 N
在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差,也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。

9 _/ c) p! Y* J# T0 r p0 k8 O0 M; c6 ~1 T! U- N6 y0 F+ d. v7 ^: B* k, O3 |: }8 V% p" t$ j+ k& D8 N3 I: D6 i3 S& H n- q

e4 R% \) Q2 j6 b! M ) h9 l, Z; p' i9 I" M+ ~2 e) e6 J0 N' X W$ X; j9 r+ K0 w! T( r% {: L- W; X$ E* D9 M- G7 e
EDO DRAM
EDO動態存取記憶體

% i$ t3 F, R' J* k/ P, @: q; Q0 h! v2 P4 p6 K! I/ K2 z$ L1 K0 v' m1 z- `' s; N0 o" {- S5 [
EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM,這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組,為了提高EDO DRAM的讀取效率,EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣,而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。

3 n; g* Q. U3 d6 w7 v. o; D8 h2 S7 V! a/ z/ K! c/ b c# f# J1 G; J! G* O" c0 T1 O; y, C, P2 D' K8 U7 `) Q J# X

9 f* K4 T& ~# P' [' d" Y# }5 K4 A9 a7 g4 o: Q: P5 j, _) o# Q7 {8 J1 x" |3 @$ M3 f. c3 }5 u R5 U
EEPROM
電子抹除式唯讀記憶體

: ~# {8 N" S Z5 v( G& n2 d $ u- W7 @+ f1 m/ E6 X2 S# i! _; @8 V# W9 M8 H4 |( \1 Z& i" ? Y) l2 d& @2 H
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ,與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似,電源消失後,儲存的資料 (Data) 依然存在,要消除儲存在其中的內容,不是用紫外線照射方式,而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器,內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ,通常就是EEPROM。

' ~8 }+ o- X4 B: |" m& U7 Z) _: H6 D) i/ J- Z7 @2 J) g( S# E/ a& A. T# m0 i! \% ~4 `& V! i1 D' L7 H" ^2 H

! \! r. b1 a8 X0 S1 [ 1 x" K% K9 ^8 l, k9 {* ^! m0 P3 |1 b) ~/ O! B% ~1 W3 w& ^! ?! a6 b1 r+ ^# c; K9 m7 X5 | I' [& T: x$ Q8 E4 H
EPROM
抹除式唯讀記憶體

H/ k& ~; t$ M6 z H7 q6 e3 U, u8 B" w( }, {. a) L; E* r: P2 Q! S O
EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ,不需要電力來維持其內容,非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式,因為內容消除容易,常在測試中使用,通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。

2 w6 o4 t% z- o% ]) O# T6 T& ?) D% q" ]# t+ s3 N6 d# j& I. C6 }9 G3 |7 }" {" \) Z, k/ y' ]6 \, z$ R+ s4 ^8 L8 ]: O4 a% B

" [6 G. I: S8 a+ q ( ^6 N1 l4 V7 R/ F! j# x* _2 e! v# J- j2 @/ B! F6 k# v+ m1 u/ [7 n: \5 O8 g5 X9 Q
Flash Memory
快閃記憶體

& g; T K% x4 }9 D! ~8 T6 C; H" ]4 k* W( K, _6 g4 \3 H+ l& U" c0 l( X3 I+ m5 H
屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種,瞬間便可更改內部資料,一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次,售價低廉,許多電子產品內部均裝設快閃記憶體,電源關閉後,儲存在其內的資料不會流失,甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ,特性差不多,但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料,快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此,若需儲存大量資料 (Data) ,如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片,一定要使用快閃記憶體,因為EEPROM容量遠不及它。

1 ^* G3 F. x, C1 ]+ G' L2 u" f; w 4 ~) u" n2 G* W) u% o5 E1 R4 R/ M5 m6 r O$ K8 m0 q9 Q: H/ e( R/ p# [. w, Y5 g8 Y1 H+ Z( a$ W

: S) ], H) G$ E / F4 K( n; v8 U- R2 e9 u& ]! P) B8 g4 ~- n a) S; C" l: F6 _# w6 R; e- [1 z3 _" ~5 B
RAM
隨機存取記憶體

' y/ q- [6 c9 p " k/ G" _' p4 H( p1 _1 q1 S* u' m. _5 I% _: M9 @$ @( I8 v
RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體,是記憶體 (Memory ) 的一種,由電腦CPU控制,是電腦主要的儲存區域,指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體,它幫助中央處理器 (CPU ) 工作,從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令,幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ,以便日後仍可取用,也能主動把資料送到輸出裝置,例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度,RAM越大,所能容納的資料越多,CPU讀取的速度越快。

5 B9 ~+ Z0 T1 J$ [& x - m: ^3 P& v- D: u& S+ i2 B/ C9 D/ q: |7 \ J% x% w4 C% c' _6 `: U! i' e- Z0 F1 u

; t5 k+ C4 O: W5 Z: W( E. g& }( n1 h; t P- W+ H1 z2 n) M! P( k* N7 s- ?) E# d. _ w. S1 a/ M1 J, u/ Y8 y
RDRAM
動態隨機存取記憶體

$ X& |+ E7 P' m4 P7 m. M8 [) e. d) {% C/ [. S. Z( v# l# m7 c1 A1 }5 p, f5 T% D U9 C0 f4 j" }( T
RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ,提供了1000Mbps的傳送速率,作業時不會間斷,比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速,當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體,不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求,可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ,製造商展示的RDRAM則可達600MHz,記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長,若將RDRAM並排使用,可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ,將記憶體增為32或64位元。

8 g' e7 a' O% I5 H. ] r. `$ J& K: {: B" w) c6 v1 n$ E& M7 Y6 u& l) b, d$ L# `3 O4 i( D2 Y, Y4 W. }8 D* x5 P8 i# @9 |4 G) j: j, i0 n

e/ }/ f6 c' r" w 2 q& M+ ]# Y" o ~3 [2 }: c' y7 z: s3 p; d# J! T; L/ Q4 h: `$ S- S+ i3 u6 B/ t) A4 [
ROM
唯讀記憶體

' m# ~0 b" M( s0 @( t9 i( w( I) H* k, R/ j+ G. C n- S4 G9 O( z z1 ~5 E3 {9 Y7 V8 j1 o
Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體,這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變,電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令,和使用儲存在ROM的資料,但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上,也就是說,即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存,所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令,開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試,在最初的測試中,檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。

' e6 b: s) a4 T) Q 3 M+ p5 X6 m! g3 z( o9 V" e8 i$ v* S/ ]1 c' I/ t( S3 r6 R" |+ Q& o, k8 r2 }; U: D+ }" {6 L3 @

+ F7 v2 S9 L$ F' C8 X2 a: _* G, p& q % m: z: ~$ `! o( n# b8 c- Y' I6 j" j; i$ C2 c+ o; z# Y" U8 R1 J, D( \2 `+ \( t9 N# L/ ?2 A5 F$ G7 \8 C
SDRAM
同步動態隨機存取記憶體

" R, G- C( @- u$ z* s: B4 _( |- U5 h. k0 h) k+ [7 B2 ?7 l7 T5 Q8 n3 c* r! l6 l. \' C+ z2 \5 V, n5 W
SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步,所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快,採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V),168個接腳,還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ,而有66與100MHz不同的規格,100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。

4 o# T9 I8 Q$ w2 b& u0 O! @# ~6 Q" w2 o; O! ~1 Y6 C% T) ^) }5 }2 _: o; ^1 h, K7 s6 Y; Q& f9 k- c2 ~. m& _/ I1 E' x

! U$ T% q& K u( @8 s# y& H7 K" A" z" G' Q5 b/ @# u; }. q/ \6 e/ z' A, A6 E6 k: a. W3 z# {5 P8 H8 D) w. L& [3 S) o
SIMM
單直列記憶體模組

% d! ^4 I$ A' U9 r* ?) n% Y, M+ y4 T! e/ s: K, L% Z0 ^" q4 [# J1 O: r% \8 `8 n, [* U# p# X8 }& _4 G
SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上, 當時的接腳主要為30個,可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ,一次資料存取 (Access) 為32個位元組,所以分為四條一組,因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins,不過只能提供32位元組的工作量,但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) , 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。

$ R n" j# D; W( S- j7 t4 N' ^: G* r( o6 w& k5 B' G5 X' c! C( t& N1 h. u7 t7 }! c' @ [" P2 \; J F# b6 \% u2 `3 @2 |

- W3 h! `; p$ z ( t* d* z- g+ v# G8 Z7 M8 ^& M ^! t" h3 E4 e% b5 _7 ~# A8 x* q& S) W/ f2 ^8 s$ Y7 u3 a5 b
SRAM
動態隨機存取記憶體

* w0 {: I; ^$ k" d, } + G5 w6 {0 p6 s/ d( N9 i T8 }7 q1 R5 Y' V1 y3 O! t) s
SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同,每個位元使用6個電晶體(transistor)組成,不需要不斷充電以保持資料不流失,其存取時間較短,製造成本較高,主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體,SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了,或是沒有插好,主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。

( }' U( A& r- p3 h( a3 o5 {, R3 I/ e+ G9 H D5 t8 f8 c) t2 K) ^7 Q( R9 s; K6 g) q$ j7 K9 v$ P" L7 @- }* d5 H' y. o* t

4 _# W/ f) r" V% N4 r * h+ q) V2 q) G* ? t; W0 M9 e, s/ ]1 Y, Q. g0 s! t+ T3 G3 h0 [$ _' s3 o! s2 [/ c( n4 S. r' O, M/ W
VCM SDRAM
虛擬通道記憶體

- j- T( H J8 E4 z9 s6 t5 L+ q9 G* L. s( s* c$ y/ v* h# F% Z4 n" X- d. C, ] B6 k, I L4 w: g1 `
VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨,而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者, 大力推廣所謂的VCM模組技術,而為消費者廣為接受,日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品,並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後, 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理,然而VCM的內部區分為16條虛擬通道(Virtual Channel), 每一個通道都負責一個單獨的memory master,因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔, 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作, 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦, 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔,以及本身低耗電的特性, 相當適合筆記型電腦的運用,品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。
$ o4 g9 w( z K( `

 

; }- o$ f) d4 D

基本分析與交易實務的基礎教學文章尚有....

* @" S4 ]" m4 v) s5 a5 I

 

3 S8 G/ R- _ ]" r& ? v7 _+ |

/ v6 N6 |: [' |/ m# z: V

% k) k/ p# C7 X! k- E/ z9 j* |0 L- Q6 h" G" D5 w% C) \0 n- r+ s) t" n" C: |* m7 _* _) \- \; L) k% X5 j' \7 O3 g* ~6 H5 i0 u1 z% G& V; v E# K: f8 ] d; d; }! }$ e. c, |+ ?5 p' x8 d9 d4 o/ M- k1 ^0 o. A. G$ c; A% j9 d" M; E- Q0 G, N+ i X/ e5 {; Q! L' f7 `/ [$ Q. f7 m8 E- f: M- E; Q# ]6 @
8 N; o. M6 K: {$ w0 o1 P

認識財務報表專有名詞

# s) \ r7 ?* q( N+ O. p* x

認識財務比率分析 (上)

8 f$ D' `: y( R9 |: A

認識財務比率分析 (下)

: I- N2 F( t3 v. ~8 p) O7 n

認識每股盈餘 EPS

2 w+ B- a7 `* ^; V! D3 n- _5 X. G9 l

  認識本益比 P/E Ratio (PER)

6 w( o. B. Y' `- `! D2 t, F* G

認識股價淨值比 P/B Ratio (PBR)

2 Q/ Z4 L, @/ X

  減資的基本認知

9 N# ?, [: u" t

除權息的基本教戰手則

6 |. A1 R) B* X4 b& n

如何衡量個股投資的風險  

4 t) [/ u9 y: W l5 k4 `4 ?; }6 Y' F

認識現金殖利率

$ b q8 @$ i i$ S


發表於 2008-2-26 10:10:11 | 顯示全部樓層

NAND快閃記憶體 轉貼 from Wiki

NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明,並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取,所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存,但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia,還有很多種的儲存卡跟隨使用:MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外,手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體,作為存放多媒體檔案的媒介之一,著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始,NAND型快閃記憶體的產能陸續開出,價格也滑落到很普及的水準,業界也進一步利用NAND型快閃記憶體,製作出固態硬碟,也就是Solid State Disk或Solid State Drive,可稱作SSD硬碟,擁有高速、省電的優勢,但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高,SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。
發表於 2011-3-28 11:18:29 | 顯示全部樓層
感謝校長分享的資料,幫助更認識這個產業!
發表於 2011-4-5 14:40:02 | 顯示全部樓層
SRAM
動態隨機存取記憶體
==> 應該是“靜態”隨機存取記憶體吧?
因應平板電腦與手持裝置的需求,現在又有一個新的“Mobile RAM"的分類:
“Mobile RAM主要適用於手持式產品,包括智慧型手機、電子書、可攜式衛星導航裝置、數位相機和MP3播放器等。主要包含 Pseudo SRAM及Low Power DRAM兩種產品,與標準型DRAM相異之處在於,Mobile RAM因為用於可攜式領域,因此相當強調省電和低功率效能,滿足輕、薄、短、小系統的設計需求,以技術能力而言,進入障礙高於標準型DRAM。”

DIGITIMES中文網 原文網址: Mobile RAM http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?CnlID=10&cat=25&id=0000178904_ZUG817IQ1NBKRB3BSOXKU&ct=2#ixzz1Id0vIOw6
發表於 2012-4-28 11:54:49 | 顯示全部樓層
好深奧喔~~~~
發表於 2013-9-28 21:55:39 | 顯示全部樓層
真是專業阿  佩服佩服
發表於 2013-10-10 16:34:21 | 顯示全部樓層
謝謝你的分享
發表於 2013-11-28 19:52:21 | 顯示全部樓層
對記憶體有更多的認識,謝謝
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請入學

本版積分規則

手機版|正通投資團隊

GMT+8, 2019-5-27 11:57 , Processed in 0.091399 second(s), 16 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表