記憶體的種類

austin

8 e" N+ ^0 |) e* S, K e4 ? g+ I: S! z5 C% r5 U1 W8 C" w1 a3 J5 B4 m; I2 M! F3 }% g- s8 d$ O- w! b8 V# V& ]) `' D/ a$ \: S3 F- e5 l6 G( [( Q1 Q7 R Q9 U$ `$ R- z- D: R/ l$ i$ @, D4 j" u1 p7 y8 M0 j/ q+ _$ w* @* C! \: T0 ~% I, K9 U4 D: P5 ~/ c9 {7 N& [* N, Q. Z. Q: ]5 Y; v# Y. ^6 N# }, s2 K7 H9 {1 J% [/ L/ ^- l9 u: O$ p, h& p/ L: a- C; Y/ y2 k" p- e$ O3 {3 g$ n, m6 u" n( B, \6 \8 B4 V* k; z8 r3 X# U9 U. b1 P6 U2 e7 ?: |, S% \* G" ^1 n, k9 x4 m& W8 w+ _3 x5 T1 J, I' J+ X X9 v$ Y- n `0 |5 t8 i4 _ {# M- j; X& g2 c' n6 D2 h1 l+ P$ P% L: ?7 y! b- c! ]0 \# x7 \! Z9 _ U9 e8 Y( K$ {5 g6 O- t L. C; ?1 B2 ]' X3 L+ I( J: ?; ^% j6 o# Y8 R8 ~. z% V( U" ^" y2 M& v0 w- k- F, V3 ]0 W+ b% I3 @! S6 }! u* ^) H4 v* ~) y6 ^2 {4 D1 Y, A, I3 H, i" O- I* R# f3 |" x7 y) J- i" f+ E6 H7 ]6 n* P% W* l- ~, L1 K) Q7 b2 j8 L6 h% B0 w( D% C6 K, C6 z% k- b. L2 q" w2 G! y8 L C' ^6 S- ]6 F+ R+ E0 h& r& U. h9 c. f8 y) [% `# ^+ y7 R1 [) w& S) `5 d' u% _7 F( m" J* e! s. G' |- [/ C3 p8 E8 u3 v7 B+ {1 s1 P4 Q+ p" V: x0 s0 r* F* J, U: `5 z$ _3 \2 O$ \% i* z! i1 A3 C }1 Q7 o3 s1 s1 y" y, S' y

Cache Memory 快取記憶體	6 W0 R6 p+ Q0 R4 n' h k/ c( Y: `7 e# H* U% L, k6 D$ F 快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時，它會先到快取記憶體中尋找，如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話，就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快，CPU若要連續存取記憶體的話，必須等待數個時脈週期，所以硬體工程師在設計CPU時，也將快取能力應用在CPU上，像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體，通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能，使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。
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0 N2 a. N+ K Z; T0 _$ _/ c; M6 |) [% Y3 J, d$ o+ [ DDR 雙倍資料傳輸率	{3 f) Q! i/ c" {% S" p- i( `* ] z" E5 p! |! K. Q/ B' s DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz，但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。
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7 h" M7 }# H, A+ w+ H( j! M, E# Q: o9 X9 Z% J- n* H5 J# D, F* t$ o2 _1 z DIMM 雙直列記憶體模組	- e, @2 |# m. i; L4 v+ n# u4 S5 y3 P# p6 d2 \ n6 ^ DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版，可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成；一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ，並有168個接腳，若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元，便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作，所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型，而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數，讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。
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" U, l; Y; H) S& O, [/ u7 j6 X2 }, h DRAM 動態隨機存取記憶體	2 h1 X8 @( V! y9 Y5 p9 L. J" I2 k4 h" P. J+ L2 N$ J3 D0 W' K. r 一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種，差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體，需要週期性地補充電源，以保持記憶體內資料不會流失，SRAM每個位元使用6個電晶體組成，不需要週期性地補充電源，速度較快，價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM，快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展，陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。
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1 s$ ]6 B) `" Q8 G+ P' A- F9 W( |5 j ECC Error Checking and Correction	7 G( J+ d. |4 a 在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差，也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。
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/ q4 S7 B1 }: K( f- K; v8 W) X5 ]0 M: y% a- n$ z5 K" J8 E* j% ~( L2 O9 L7 M7 F EDO DRAM EDO動態存取記憶體	' Z% ^6 I0 B! G: G/ i EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。
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F& l' q6 A% d! }* W) b, ?2 i6 s& j3 ?* ]+ B EEPROM 電子抹除式唯讀記憶體	4 X- C0 f$ y3 M% {" Z/ |+ `/ F0 u$ H- b3 C+ ]! N EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ，與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似，電源消失後，儲存的資料 (Data) 依然存在，要消除儲存在其中的內容，不是用紫外線照射方式，而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器，內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，通常就是EEPROM。
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+ A: t6 H$ k& n; g6 w+ @* e" x# A g2 ]% o3 m% O: e' {3 t; U2 X EPROM 抹除式唯讀記憶體	! G0 Q8 e! |6 r( B/ c5 X* P" U: y5 @0 ~- r& ]1 ^: W' Z) C; E& F# Z& b EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式，因為內容消除容易，常在測試中使用，通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。
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: Q) M1 }9 I8 i6 K# c Flash Memory 快閃記憶體	/ X6 N6 D: _0 p& g2 t6 h6 v( t; B! D 屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次，售價低廉，許多電子產品內部均裝設快閃記憶體，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失，甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ，特性差不多，但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料，快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此，若需儲存大量資料 (Data) ，如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片，一定要使用快閃記憶體，因為EEPROM容量遠不及它。
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( T& v+ u- V" Y+ I RAM 隨機存取記憶體	& D5 r* f6 F4 C RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體，是記憶體 (Memory ) 的一種，由電腦CPU控制，是電腦主要的儲存區域，指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。
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) f: L0 Y2 X% ]' y8 j RDRAM 動態隨機存取記憶體	0 |4 V0 _4 u5 }( G7 e4 C, T0 K3 b8 O l1 D" P+ l RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會間斷，比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達600MHz，記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ，將記憶體增為32或64位元。
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4 t2 Z1 w+ k% I9 M$ o+ p7 Y; a5 I; t! d5 H1 i1 h' |6 p' y" z ROM 唯讀記憶體	! Q/ q1 j# C. M Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體，這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令，和使用儲存在ROM的資料，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
Y* ~9 B- c+ x5 [7 _5 l t. L5 p6 m5 x7 u5 F2 W1 m8 p# p0 m/ ]9 \* W" q; [ SDRAM 同步動態隨機存取記憶體	' n/ z$ n7 T. l- d) h! k+ z7 z0 O) B" M* |2 o' Q7 ~* d( f. z0 @9 H" { SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。
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6 @- ~+ i! O, ~! D8 {0 n" W G/ @- V) Y7 K Q* [0 T3 O ?, G; ]. f, M' d1 i SIMM 單直列記憶體模組	" F" W; ]' L: v9 r! n' `( p$ k! Z/ }9 Z. H+ N6 S8 K! x4 O/ Z: m0 u W. T8 S( l/ B SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上， 當時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ，一次資料存取 (Access) 為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) ， 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。
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/ Q& _5 Y H' m; ~/ u" V: T0 R: x7 d0 \1 h# i# ~. s. X+ C3 U( j* {: ~ SRAM 動態隨機存取記憶體	SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同，每個位元使用6個電晶體(transistor)組成，不需要不斷充電以保持資料不流失，其存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體，SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了，或是沒有插好，主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。
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7 H- Z/ V# }2 L5 _: _ VCM SDRAM 虛擬通道記憶體	) f' X$ v% p1 O6 _+ ~% D VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者， 大力推廣所謂的VCM模組技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後， 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬通道（Virtual Channel）， 每一個通道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔， 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作， 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦， 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔，以及本身低耗電的特性， 相當適合筆記型電腦的運用，品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。

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認識財務報表專有名詞	; W6 |" V; ? f( ^" _/ X, A 認識財務比率分析 (上)	' O7 f! Y" L' u! D0 r5 ~ 認識財務比率分析 (下)	認識每股盈餘 EPS	' q6 P- I) ?. Z* l   認識本益比 P/E Ratio (PER)
3 e: m$ G& e2 W( l& B! N 認識股價淨值比 P/B Ratio (PBR)	減資的基本認知	除權息的基本教戰手則	如何衡量個股投資的風險	: ~0 H6 l; v# f9 z 認識現金殖利率

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NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明，並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取，所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存，但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia，還有很多種的儲存卡跟隨使用：MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外，手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體，作為存放多媒體檔案的媒介之一，著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始，NAND型快閃記憶體的產能陸續開出，價格也滑落到很普及的水準，業界也進一步利用NAND型快閃記憶體，製作出固態硬碟，也就是Solid State Disk或Solid State Drive，可稱作SSD硬碟，擁有高速、省電的優勢，但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高，SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。