記憶體的種類

austin

: \3 j+ [6 v' {9 p9 h9 y( h. O2 M( A$ \% }# F: g# g1 g2 f4 W- p* M3 x; {6 h% e0 }& h+ W, h& q- b4 h6 u! O, U1 ^2 Y8 _" Y) }2 V7 w8 I$ i7 O! L- t/ v0 w/ l1 g, d) O) H5 |. c! t; i9 n( G9 E' c; F. i" H; \: \ }$ z/ l) D: m: K, `; K# Y* n& V6 ]# h/ K# \ v8 P, I5 f) c, g* J4 I# Z9 E: m) Y8 _: K6 B% M0 e f: n) m' m7 o, U4 n$ G2 D: M; c3 Q# q2 U, b7 z( Q3 C# o! Y0 ?; s1 D! P1 ?4 U! o0 @; m# G3 T" [& s/ C/ O! x& W* _2 e5 p& ?* n' {+ Z: E' K, B( i, p0 f' X2 O7 ^6 [, v" M# ?& @* c4 _" g, P% X% G7 h; S% u. V/ i% O, o3 {4 D3 \) r, q% j8 ~: }" J4 {. }, J1 w& ]: }- M& i; x& q- }+ g' t w* V3 y+ B' A+ ~! @6 P$ t& h1 |3 D& p9 a6 a: f, X6 ~2 H1 m. F L8 U! _' S$ H! ]( `) N5 T2 X& i' [/ F! M t' m. {- t0 y; B5 {" c& t) C0 A" J$ l& i3 \* F+ u/ u" ^$ ~( e5 K; i$ a) _6 ^2 P C+ }$ x |. P* \5 r- U& Z5 c) u+ M" ?8 v% [9 w2 Q9 C7 G9 l8 [: N) r. p* f; W! L

* B0 _9 F( o3 x4 [& I) w% U3 ~! o) v" V. ?# |. m2 \/ ?$ ?4 T" b* B# Q. P' q2 f- Q) _2 s: b& b' o4 V! y5 J5 I( p Cache Memory 快取記憶體	. b: c* ~2 x! e, P$ ?* x, w! a8 D- h; _! r. { Y! ?5 Y( V6 G f5 a1 b" J. q8 p( r/ i6 e; z* A 快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時，它會先到快取記憶體中尋找，如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話，就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快，CPU若要連續存取記憶體的話，必須等待數個時脈週期，所以硬體工程師在設計CPU時，也將快取能力應用在CPU上，像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體，通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能，使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。
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L# h+ Y5 d4 J3 r7 I$ F" K. b# |& } DDR 雙倍資料傳輸率	n; L; R0 e8 p9 e% {: ~ DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz，但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。
" { A) b& A9 d! c0 F8 [/ q2 | V( o, m1 x' l DIMM 雙直列記憶體模組	2 V3 c7 q5 t6 U) D1 W7 ~3 E; I' ]8 k. w5 |5 | o$ H0 b$ t- Q. E- m( z4 P% O' @( |9 }& p) i- A9 E0 `3 Z/ z% ^# Q+ ~9 ]+ G K0 }6 j DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版，可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成；一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ，並有168個接腳，若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元，便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作，所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型，而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數，讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。
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: G' N) }' W7 x2 |) G5 J* Z6 ~% g$ i* J0 i! x' R DRAM 動態隨機存取記憶體	: A" d: [" Z9 v: ^# b 一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種，差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體，需要週期性地補充電源，以保持記憶體內資料不會流失，SRAM每個位元使用6個電晶體組成，不需要週期性地補充電源，速度較快，價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM，快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展，陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。
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& b! o+ G& [) F2 Q( v; k- R) z1 S4 B* v/ ~6 H' d$ ]3 j, Y& p. [& Z. y( u$ l- O: D8 ]' E0 [/ z4 |1 `" @) M$ R3 ]3 ^+ \: E ECC Error Checking and Correction	2 Y: @& N; t0 {' O3 A5 ]9 A+ \2 i0 B% T; I. G9 u( t9 T 在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差，也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。
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EDO DRAM EDO動態存取記憶體	8 W! A7 N: r' B2 N" j" `" \3 @# `9 F6 V q2 V3 ^. G# t1 M0 u EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。
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5 M6 J5 I- q4 i* Q% y EEPROM 電子抹除式唯讀記憶體	|, Z" p( ^6 F2 k+ q+ l) m. l* t+ c8 H" f! \5 i$ i EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ，與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似，電源消失後，儲存的資料 (Data) 依然存在，要消除儲存在其中的內容，不是用紫外線照射方式，而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器，內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，通常就是EEPROM。
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$ a6 l) |( Q0 J" l5 H4 n- S8 q- C2 P) ~" ` A* a$ j9 `5 }, r8 s# y+ l4 d EPROM 抹除式唯讀記憶體	3 x7 n! G5 S# |, c; m3 a9 C EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式，因為內容消除容易，常在測試中使用，通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。
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+ g- i- e* D) w8 @; ]+ W6 s! T/ s$ J6 h7 T6 l% U/ I# m: V9 U Flash Memory 快閃記憶體	: i1 |: M. C/ N 屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次，售價低廉，許多電子產品內部均裝設快閃記憶體，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失，甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ，特性差不多，但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料，快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此，若需儲存大量資料 (Data) ，如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片，一定要使用快閃記憶體，因為EEPROM容量遠不及它。
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9 ~! _8 ^4 J2 N. m, s: ^# g) z3 x" ~& Z+ S$ F) x% T o% W! B6 D2 q2 O; g I9 l0 G8 Z% H& e" ], B+ W1 P8 G) u3 h" Y RAM 隨機存取記憶體	4 @% h1 G; b$ @; i, W' H RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體，是記憶體 (Memory ) 的一種，由電腦CPU控制，是電腦主要的儲存區域，指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。
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- U5 k) w) K' r2 |* _* J: s5 r2 Z* F8 v( \2 [ RDRAM 動態隨機存取記憶體	- J7 V [3 r- g/ W RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會間斷，比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達600MHz，記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ，將記憶體增為32或64位元。
8 A/ M9 o2 m: ~& `( G* |4 d# G5 u! B' T9 ^9 r! W( H6 {0 X& S) ?; B4 o" b T' L$ G' K( T7 h+ P5 A
. q2 F5 M8 ?% [/ ]8 z1 t6 T6 h" O" N6 F, V" k4 V8 w3 |" j9 f) ~( b4 k) F# l; h1 _ ROM 唯讀記憶體	& R y, p1 R( W5 ?4 u. \% F* }: U& w4 [) f; p* D9 d2 v2 h4 l' D Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體，這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令，和使用儲存在ROM的資料，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
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& k) t# T4 n/ D0 K( n ` T. h7 W- f9 l) \' ?" j- j$ q# Y1 ^% Y% T( q8 R( H9 n- c! W: E6 P/ Q0 Z1 y SDRAM 同步動態隨機存取記憶體	$ m( X9 t8 T6 H# m' R- B% W6 r2 N8 v e+ K- o! r, d$ }+ c. q SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。
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8 v8 o) C. N* q% n0 f: \- S" G# R; |+ k% O' ]) F, {% b7 S- {0 U) z. v) [" X& p SIMM 單直列記憶體模組	& p1 Q6 T. [* J/ W3 t7 o1 X! N5 N/ Q; T- P1 k& {9 H4 a) a4 }0 {1 b( q, ^5 H SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上， 當時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ，一次資料存取 (Access) 為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) ， 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。
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& W7 I. |( e" O* M1 F9 C SRAM 動態隨機存取記憶體	5 b( W# ~& k# S- w( z L- |( y$ ~1 @7 D, R5 ]4 e0 N3 [! V' i3 R& E2 W9 z9 s9 t z |" n2 i SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同，每個位元使用6個電晶體(transistor)組成，不需要不斷充電以保持資料不流失，其存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體，SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了，或是沒有插好，主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。
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, x4 U$ B( e$ S$ a6 y2 Z1 m1 z Q: G1 u. G6 w o; a. @! P3 U* I$ q3 @ VCM SDRAM 虛擬通道記憶體	" [5 {1 F: O5 o' o2 d L VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者， 大力推廣所謂的VCM模組技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後， 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬通道（Virtual Channel）， 每一個通道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔， 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作， 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦， 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔，以及本身低耗電的特性， 相當適合筆記型電腦的運用，品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。

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認識財務報表專有名詞	認識財務比率分析 (上)	認識財務比率分析 (下)	認識每股盈餘 EPS	認識本益比 P/E Ratio (PER)
- |( {5 I. T) e/ Y/ x 認識股價淨值比 P/B Ratio (PBR)	7 D( B, b$ T' [1 ]$ Q$ C" P) k   減資的基本認知	0 }: C/ B( s H v 除權息的基本教戰手則	: e/ v4 W# j# F0 J 如何衡量個股投資的風險	1 d/ {1 |4 m0 G' t% Z3 \* w! v! E6 a 認識現金殖利率

chaosteo

NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明，並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取，所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存，但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia，還有很多種的儲存卡跟隨使用：MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外，手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體，作為存放多媒體檔案的媒介之一，著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始，NAND型快閃記憶體的產能陸續開出，價格也滑落到很普及的水準，業界也進一步利用NAND型快閃記憶體，製作出固態硬碟，也就是Solid State Disk或Solid State Drive，可稱作SSD硬碟，擁有高速、省電的優勢，但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高，SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。

allyhyw

目前正在研究臺灣的半導體產業。就發展前景而言，NAND Flash前景看好，尤其是未來在SSD 方面的應用

albert0920667

感謝校長分享的資料,幫助更認識這個產業!

shng

SRAM
動態隨機存取記憶體
==> 應該是“靜態”隨機存取記憶體吧？
因應平板電腦與手持裝置的需求，現在又有一個新的“Mobile RAM"的分類：
“Mobile RAM主要適用於手持式產品，包括智慧型手機、電子書、可攜式衛星導航裝置、數位相機和MP3播放器等。主要包含 Pseudo SRAM及Low Power DRAM兩種產品，與標準型DRAM相異之處在於，Mobile RAM因為用於可攜式領域，因此相當強調省電和低功率效能，滿足輕、薄、短、小系統的設計需求，以技術能力而言，進入障礙高於標準型DRAM。”

DIGITIMES中文網 原文網址: Mobile RAM http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?CnlID=10&cat=25&id=0000178904_ZUG817IQ1NBKRB3BSOXKU&ct=2#ixzz1Id0vIOw6

jack0910

好深奧喔~~~~