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[轉貼] 記憶體的種類

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發表於 2007-9-17 23:23:54 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
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Cache Memory
快取記憶體

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快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種,其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時,它會先到快取記憶體中尋找,如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話,就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快,CPU若要連續存取記憶體的話,必須等待數個時脈週期,所以硬體工程師在設計CPU時,也將快取能力應用在CPU上,像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體,通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能,使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。

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DDR
雙倍資料傳輸率
1 k J, M( f& |' h% L8 x& T5 o / P8 y$ V5 }6 S6 [9 @0 t! `6 I: b- a6 x! m$ @. o- ?. f4 H$ d5 m
DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz,但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍,即200或266MHz,系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加,因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。

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DIMM
雙直列記憶體模組
1 O, _. [0 N- W2 c' b1 z7 M$ ~! u" E' |% {: T# |6 h |; t: Z4 X8 P! B1 w6 e. c; p9 i$ @- R' w. E/ w4 [& ?1 a2 ^& g
DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版,可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成;一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ,並有168個接腳,若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元,便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作,所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓,這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種,目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型,而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數,讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。

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DRAM
動態隨機存取記憶體
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一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種,差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體,需要週期性地補充電源,以保持記憶體內資料不會流失,SRAM每個位元使用6個電晶體組成,不需要週期性地補充電源,速度較快,價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM,快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展,陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。

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ECC
Error Checking and Correction

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在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差,也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。

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0 O( p S/ S) `( U0 F a" b* I$ _2 ~9 J& n4 w8 p9 x3 e; Y* n6 e+ F" v P+ o ]: G6 r0 x# h/ w5 R4 ^5 C" t) \9 n; s* l
EDO DRAM
EDO動態存取記憶體

# K' k; |& s/ S3 d; J, e+ ]8 J0 R$ V! U2 h* J, t$ [! e0 g2 E, E+ [! o/ v4 u3 _( H; G% A6 ^7 r! G6 T
EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM,這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組,為了提高EDO DRAM的讀取效率,EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣,而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。

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# D) P3 S1 R. i# a$ r9 V ! B9 v1 M/ g( }" e& R6 c( ^, n |( g* B$ a- ^8 y" b! K! Z- h9 A+ _/ V& \) { u& v
EEPROM
電子抹除式唯讀記憶體

% o1 ~9 o' Q0 G- J" y9 i! b ( C9 F8 A d7 L4 a! q7 j$ I4 T7 Y) M" u2 R; e# `7 o( ?: B% Y8 A# }% z. y$ M
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ,與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似,電源消失後,儲存的資料 (Data) 依然存在,要消除儲存在其中的內容,不是用紫外線照射方式,而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器,內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ,通常就是EEPROM。

A k! S1 c2 }, [: X h; r- P. h- R& }- G7 }: o0 R1 z5 `& Q" G" m9 `4 h( B2 o' {, W& F/ k) s1 s! d- o8 E5 g7 v; @5 |" L& ~+ p# U: T3 {

5 S8 o# o/ u1 _6 L) W1 g/ _4 n3 y, k/ F, W! _2 x) N+ T, \& Q. Y. s6 F8 k" z# [! E+ p1 E) ~8 ^$ Z3 R8 m3 j
EPROM
抹除式唯讀記憶體

5 J$ m% V9 |7 w' @- h3 I& @4 ?# [5 A5 e+ ?; y7 f- Z* S1 p; o% }/ b8 B \* x2 A3 P, Q6 p3 K6 B
EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ,不需要電力來維持其內容,非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式,因為內容消除容易,常在測試中使用,通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。

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" ~! y" A; t1 K0 v/ ?/ `+ q) \+ f: B+ Q& b' z* `) |" t! P4 p7 E" n d9 r% e! E. l9 G O9 j* u* v5 i$ D7 A
Flash Memory
快閃記憶體

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屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種,瞬間便可更改內部資料,一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次,售價低廉,許多電子產品內部均裝設快閃記憶體,電源關閉後,儲存在其內的資料不會流失,甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ,特性差不多,但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料,快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此,若需儲存大量資料 (Data) ,如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片,一定要使用快閃記憶體,因為EEPROM容量遠不及它。

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RAM
隨機存取記憶體

* d: T- i: b1 [/ Z ) d! J& n/ U- Y, Q1 |9 w* d6 y L9 ]9 c8 S( f+ E( b1 \& y- l0 r6 C
RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體,是記憶體 (Memory ) 的一種,由電腦CPU控制,是電腦主要的儲存區域,指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體,它幫助中央處理器 (CPU ) 工作,從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令,幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ,以便日後仍可取用,也能主動把資料送到輸出裝置,例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度,RAM越大,所能容納的資料越多,CPU讀取的速度越快。

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Q/ b" O& q3 m9 Z% ~2 l& Z) ?, g* P) \; t+ h, ^; B0 Q( ]7 D4 S+ M5 p9 G3 o7 g9 J; z! }0 c1 T! w5 G' A
RDRAM
動態隨機存取記憶體

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RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ,提供了1000Mbps的傳送速率,作業時不會間斷,比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速,當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體,不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求,可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ,製造商展示的RDRAM則可達600MHz,記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長,若將RDRAM並排使用,可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ,將記憶體增為32或64位元。

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8 i* E. c2 d5 u/ U' }) H2 Z& w5 Z7 v3 c# c1 u$ ^& M' ?/ Q$ p, N9 j1 k2 i P8 y! p( u8 F9 w# x! z% G D' F' V
ROM
唯讀記憶體

# c# w4 U1 o S3 P9 L- q7 Y- s! I$ B8 v, _0 J# e" V' C; V. W: v+ e" h8 Y9 [) v9 m* l) c, c% M
Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體,這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變,電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令,和使用儲存在ROM的資料,但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上,也就是說,即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存,所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令,開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試,在最初的測試中,檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。

5 Y" ]# q( J, M7 | 1 Z; U( c: ^ ~5 X$ ^ D# n$ W4 `3 g) x& V: s+ l8 u7 H* }0 {+ C/ Q! ~- k4 @; Q4 }2 o8 b. V) T8 J# V' d

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SDRAM
同步動態隨機存取記憶體

( y( X6 B* [# L' l) V$ E/ e) w7 z9 t$ X, N6 O4 s& w( {3 s7 d2 z" b+ Y! b2 v1 P4 }
SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步,所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快,採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V),168個接腳,還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ,而有66與100MHz不同的規格,100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。

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5 E/ M7 n4 B6 U- S! D# k1 P) \# a8 ^" f' V. h: y/ @7 y& g/ v+ u/ Z, ]* N9 [3 T+ a; E
SIMM
單直列記憶體模組

' n( c G- R$ X5 c9 N6 |! @6 q* @$ E. |5 W6 A/ b H7 H- d! L; I% j I0 v: ?+ b, v
SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上, 當時的接腳主要為30個,可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ,一次資料存取 (Access) 為32個位元組,所以分為四條一組,因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins,不過只能提供32位元組的工作量,但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) , 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。

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: L) i, A' A3 }+ j 2 B( U+ D. G- V* @# L( h8 K/ ?3 ^/ a6 w6 W; L) J- m7 @# g5 I1 C1 }) D3 Q! K. `) [) Y5 d/ c7 {5 u
SRAM
動態隨機存取記憶體

( N- a' k2 s9 H ( a- a3 y7 Q2 P- n& x4 i) k- q% T) b' H6 x2 i V) ^4 R5 T1 d+ [) ^5 @# U
SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同,每個位元使用6個電晶體(transistor)組成,不需要不斷充電以保持資料不流失,其存取時間較短,製造成本較高,主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體,SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了,或是沒有插好,主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。

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VCM SDRAM
虛擬通道記憶體

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VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨,而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者, 大力推廣所謂的VCM模組技術,而為消費者廣為接受,日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品,並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後, 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理,然而VCM的內部區分為16條虛擬通道(Virtual Channel), 每一個通道都負責一個單獨的memory master,因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔, 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作, 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦, 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔,以及本身低耗電的特性, 相當適合筆記型電腦的運用,品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。
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發表於 2008-2-26 10:10:11 | 顯示全部樓層

NAND快閃記憶體 轉貼 from Wiki

NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明,並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取,所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存,但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia,還有很多種的儲存卡跟隨使用:MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外,手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體,作為存放多媒體檔案的媒介之一,著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始,NAND型快閃記憶體的產能陸續開出,價格也滑落到很普及的水準,業界也進一步利用NAND型快閃記憶體,製作出固態硬碟,也就是Solid State Disk或Solid State Drive,可稱作SSD硬碟,擁有高速、省電的優勢,但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高,SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。
發表於 2008-6-16 11:15:42 | 顯示全部樓層
目前正在研究臺灣的半導體產業。就發展前景而言,NAND Flash前景看好,尤其是未來在SSD 方面的應用
發表於 2013-10-10 16:34:21 | 顯示全部樓層
謝謝你的分享
發表於 2011-3-28 11:18:29 | 顯示全部樓層
感謝校長分享的資料,幫助更認識這個產業!
發表於 2011-4-5 14:40:02 | 顯示全部樓層
SRAM
動態隨機存取記憶體
==> 應該是“靜態”隨機存取記憶體吧?
因應平板電腦與手持裝置的需求,現在又有一個新的“Mobile RAM"的分類:
“Mobile RAM主要適用於手持式產品,包括智慧型手機、電子書、可攜式衛星導航裝置、數位相機和MP3播放器等。主要包含 Pseudo SRAM及Low Power DRAM兩種產品,與標準型DRAM相異之處在於,Mobile RAM因為用於可攜式領域,因此相當強調省電和低功率效能,滿足輕、薄、短、小系統的設計需求,以技術能力而言,進入障礙高於標準型DRAM。”

DIGITIMES中文網 原文網址: Mobile RAM http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?CnlID=10&cat=25&id=0000178904_ZUG817IQ1NBKRB3BSOXKU&ct=2#ixzz1Id0vIOw6
發表於 2012-4-28 11:54:49 | 顯示全部樓層
好深奧喔~~~~
發表於 2013-9-28 21:55:39 | 顯示全部樓層
真是專業阿  佩服佩服
發表於 2013-11-28 19:52:21 | 顯示全部樓層
對記憶體有更多的認識,謝謝
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