請選擇 進入手機版 | 繼續訪問電腦版

正通股民學校

 找回密碼
 申請入學
查看: 18874|回復: 7

[轉貼] 記憶體的種類

[複製鏈接]
發表於 2007-9-17 23:23:54 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
! ?$ Q. u F! k/ s5 V0 H0 C- O3 G9 I: K- n+ `0 L' Y) f7 s1 B- z4 s3 k# L4 `$ M/ |/ r8 k& [7 d* D# [( Q$ m! {4 j: i% ]& t6 _4 |$ p$ {) p1 k3 k5 h% z. q) L- y" K6 l b5 y+ i2 W$ e/ K$ i7 d5 g, p9 ~/ g, \: J, S v; X) t8 u" b" r1 K4 o) M0 ?- P) \0 K$ P/ ? ]8 ?0 {5 o# n$ U) J( G- v4 ?7 v5 z) |* o1 K. H1 c* Q& z7 H& G! u9 T- R/ l, B" l* m/ u7 h* |- ?, y+ R: V2 W* A+ d, b4 v1 P6 Z, X/ d) c& S F* b! A1 l3 S1 m8 j: L+ ?2 e; Z- n/ S9 y$ Q# X9 q2 J4 G2 A+ _/ T7 E2 B% T/ x e v7 n- X( t( G" k# b/ \: R, U2 e* ?& ^; j% Y1 J5 W6 x4 t; [& r9 a! d: d* |6 B& X g* U* |$ C1 T2 w9 t5 @ q! V+ P& O( t( U G- i7 s+ [4 [3 h/ ^7 J. ?2 u4 ?0 s& `) f2 E$ Q+ o( x; \0 `5 |( m9 | w1 M) a% h& ~; p. X# m2 ]* u; A- [. u% y1 }! w9 p3 s. M0 w, n2 ]- B- `8 T& c1 a, f, J( M1 K) u$ Y3 _: ~4 W- u6 B G- Y! \ A6 f3 T8 F* O) H k# F# ]) t* b+ V5 \, z8 G5 B+ E' V( w9 y2 x2 U) A; n+ ^- C9 \3 i- Z8 |5 P/ {9 {" t; A4 |8 b p- c- g3 G7 E6 C) [3 P+ [ P- H3 i$ c+ `2 m' _2 L& e8 f2 r# O% p! o: F) Y: z4 Q6 J/ B( b: V% V. K! k0 c6 j j8 ~# d8 ?9 b1 L/ H0 @# O4 C7 V/ `; n! S3 L% R1 s2 ?9 ?; w; D* W* p" ]* [! T9 H9 \1 N* i3 ?$ S/ p) n' X4 j. \3 n5 E7 j, S3 C; g+ j3 c- R5 k. ~; {' [% l: V6 R' i6 b# p, x- j- U& p% Y0 {1 ~2 {8 K8 ^# x, z+ `3 ^/ V8 s6 o/ F2 A$ y! t7 W Y) ?9 h# s, F. O) Z" e4 K( F: Z' `) y/ o: Q8 N0 C1 k+ ]6 U! c* C z5 a6 k8 K K( |3 [' q) q* w* u* }8 I: V& {) U$ J0 e: ~% l1 w9 P* a0 g) K Z. e: U5 A* E# n! E, G4 r' @ G& S' c( G' }/ D" o( f; u" N5 F/ \9 D) E$ |3 }; m' j0 c8 ^! e3 P c: j! p2 K; `' L$ h: X) N9 b4 r* M4 \$ n! e1 M! e" S; n2 f4 E) f0 B2 l6 m& d7 k- w8 X5 E d( H) y6 B; ]( c$ N( W; l/ \" i: E* Z+ l0 x! u$ H5 Q8 ^/ ^7 ~$ `3 c& L' o8 j* U4 n, d$ B, }- J' S' R. { z' Z" T; D l2 E! o$ B& S0 e6 q( o3 H- i$ I" I N1 {6 A1 J$ I0 C) X5 T6 Y9 y5 M) X. M/ p- u: `. s: M8 S9 u$ q0 ?$ @8 q5 r3 O8 Z( E8 I$ Q% M, R9 |* E8 i" N3 G: }6 w0 O- v3 n: s! y* J `0 |& ]" u% c8 [
& n' B% ~% \. N3 T% @1 Z( q1 ?' c9 i& M4 p3 _0 {& M9 v: f% p) l/ L. j
Cache Memory
快取記憶體

, A; G* I7 O5 G3 ^1 C7 `3 B9 q2 p1 s5 ~2 {* _6 H" r: S+ _" s+ ^$ u) h+ w9 y1 g: C& i
快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種,其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時,它會先到快取記憶體中尋找,如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話,就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快,CPU若要連續存取記憶體的話,必須等待數個時脈週期,所以硬體工程師在設計CPU時,也將快取能力應用在CPU上,像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體,通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能,使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。

8 M2 M$ p7 k: v2 q) F7 w, I0 |7 d! a$ d) U( i: F& x' O8 n3 @- M+ n, b$ O" U% K; D8 H& }2 n* U. o! {% t$ v2 h" Z3 [" ]/ a+ {

# B, ~; T! q6 G1 H1 u2 e1 Z* M + c# u1 y A! C& l: H& [/ x) Y( W* w2 W7 G/ u0 l8 c, ^; k6 `! G" a0 g9 M H& e. W! {9 f% X4 Y+ W
DDR
雙倍資料傳輸率
' _/ c2 S8 r9 ]0 Z( Z 0 e9 d7 B" e* I, S! s& ?% g* I' f8 Z' r6 c, ?' R/ _% N4 q1 ^ R$ u- S+ ^$ Y+ Y' D$ k
DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz,但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍,即200或266MHz,系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加,因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。

* p+ A; V9 w/ F- }& W% D4 c' G3 s) l( v% e) z/ ~( ~+ F, e2 Z1 `- A, `& @- [& ^* D2 L' Q3 z" j' e0 f0 n8 g+ C6 h, r+ I) y* G2 U- @2 T

4 J) y% z. v$ D: \4 {3 }/ Q% f& R! D- H. u' ?( B1 T% q# u2 e, C. Z# A2 H, o' |8 f" Y: c; A: I
DIMM
雙直列記憶體模組
) J, K1 s+ d- g- K& H1 R6 K+ i1 a* r6 K6 M k3 o! @6 S9 Z& S( y7 x5 V: H
DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版,可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成;一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ,並有168個接腳,若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元,便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作,所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓,這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種,目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型,而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數,讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。

5 X8 k$ ]9 @! ?: x# ^7 F i! C ; O* j; K5 e5 W* h/ Q! Z) ~* \& w' Z2 l" ?9 G4 ]: R' F+ i" J- R8 P! |) [2 i4 r: Q- O* t' F

$ H4 \) |9 Q4 k7 E: h- @! G, t! C( J+ |( m* S) i5 J" n* V/ n4 N& _6 m6 y5 K2 Q& M) o4 L) ~+ h+ _6 Y6 s, b f8 ?5 N
DRAM
動態隨機存取記憶體
) A( z7 ~5 f$ [, V, R; K6 w- p6 e3 }- ^& w8 O& k. Y+ ~" H3 O9 {4 s$ G, q z" `5 L+ `/ {) u6 ~
一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種,差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體,需要週期性地補充電源,以保持記憶體內資料不會流失,SRAM每個位元使用6個電晶體組成,不需要週期性地補充電源,速度較快,價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM,快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展,陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。

/ [$ [5 d8 n) u9 R. d3 e. c" t8 y8 K2 i6 i/ L- X0 i$ [1 T x# X" V: C+ M1 ^9 U' a% S2 y! F/ i! z/ s h8 M9 Q7 t

9 i* I4 q. H4 I1 a( i# v4 N/ y; b4 C2 _+ c# ^8 ~ c6 C! B4 B( ~& q. N. f1 @9 Z% T% O6 t# m5 ?7 R3 i t. O1 ^" w- S
ECC
Error Checking and Correction

6 I8 ?- s& s5 H) c( R! z% f/ N# _/ X" ~9 q6 |' }* O0 M8 e+ G9 x( D X" h, n* H$ |4 x! V
在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差,也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。

, N% k% P( A; V: c2 j " r. c* x' K# N" Q5 O/ ~) L [. v* U' y: t. B) s. N' V+ P7 x6 O5 {7 ]0 N2 }8 M: V- [/ w: `

# n8 |6 Z" q4 z, L& g9 p4 N: g+ ]2 W& V& m$ H. U' D; t9 x J- F$ p' t5 l7 k& S5 y0 ^8 X' e) T+ Y( |' H: r& E$ }4 {3 C3 X$ b2 f2 P
EDO DRAM
EDO動態存取記憶體

( h4 H I6 S/ q) @- \/ T& o / u+ I8 r) V9 k& ?. E& L' U, e& ?* \5 Z% l' h2 s% Y& S( p: G" i0 I# W7 b0 ^9 m& q- j1 ~
EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM,這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組,為了提高EDO DRAM的讀取效率,EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣,而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。

8 [1 v3 r; f0 W" u% D; N% A2 T% u s& z* @, @ I# G" A" r3 k5 T$ K& w! [/ x. j0 O1 t$ X, @* `% B* u9 Q6 Y

+ d& K# U+ F% m1 i- t3 _ / `6 v( E9 C& F7 S4 z4 V5 l. h0 X7 ~- e Y+ B# C3 Q; e& c; V7 W% h; d6 H4 x) ~9 ^' X. h3 u- @. \% a) i" _7 E
EEPROM
電子抹除式唯讀記憶體

/ Q4 u9 m1 J% Q ; w/ S n2 V: J Z3 {) N x" h3 t7 @1 J& v" U% u2 }! ~% P$ t- y0 o, ?9 ]8 t- r- d$ N3 G6 L
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ,與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似,電源消失後,儲存的資料 (Data) 依然存在,要消除儲存在其中的內容,不是用紫外線照射方式,而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器,內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ,通常就是EEPROM。

$ l; Q0 u k; a7 E, q# V# g6 W# G% W" S( R% ?& _! B! n( V- F* r2 R4 W l' k$ }5 Q$ o% O5 a: x& D& J# ^0 s: {, M

' _, Q* E& z4 ~: O 8 v! c1 `3 Z1 {# o$ l- V8 z) q8 m4 `+ a0 d; ^! h/ p3 B1 W5 Q6 V) Q5 `4 k- b H- ~0 E$ [; M
EPROM
抹除式唯讀記憶體

# e/ A2 m/ S- Z$ Q" y- ]" Q5 d0 c! w% R8 a l* s. U1 m: O; n. A: f( M7 r, z7 _9 w2 e9 ?
EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ,不需要電力來維持其內容,非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式,因為內容消除容易,常在測試中使用,通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。

) F' {/ ]4 K' g# `. q( b1 I # J4 R7 o; W7 \ |, ]0 d3 a4 l) ^7 s% H! U3 ?* Q/ V% P% s1 t/ K# h5 m6 V K* ]3 ?

0 N- K# M7 F( p% ]7 a, @! ~" c5 c% a8 W& L! O' S! C; M& @8 P, ?$ g2 s) `6 c+ f [, @" U5 ?, s5 q/ I9 L9 W; U* M$ `' ]. ~" L3 J/ L* X* Q6 _
Flash Memory
快閃記憶體

1 ~4 C! F, s+ v. @6 d0 s2 a! }' A9 c8 u3 Z' k) ?: s A2 l8 X" h4 U! @+ c3 C; O" {9 K" {9 E1 P1 \# I. W' g! C
屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種,瞬間便可更改內部資料,一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次,售價低廉,許多電子產品內部均裝設快閃記憶體,電源關閉後,儲存在其內的資料不會流失,甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ,特性差不多,但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料,快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此,若需儲存大量資料 (Data) ,如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片,一定要使用快閃記憶體,因為EEPROM容量遠不及它。

) d6 d1 b. A6 p3 m Q ) @. N( T* W. Y% C6 a- l0 Z3 N! D# A3 n, [: I, p8 C: y$ z! |0 d6 G$ X0 d; g& Y* `* k# @& D

7 ]& P, s0 S& V$ A * f: R/ N( A( }* |9 {" {3 x1 I7 z$ X4 F: x" L. }% D! T; \5 ]. k/ c2 P$ z7 J. b9 E' z- @( w( A4 G0 P
RAM
隨機存取記憶體

; g# q# V: r8 W2 I1 S" p7 e3 n! q" u9 V1 H) v, }+ ]. U1 x( t; k% }1 s+ f/ G5 y/ s0 m, a5 t* L* u8 t0 K
RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體,是記憶體 (Memory ) 的一種,由電腦CPU控制,是電腦主要的儲存區域,指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體,它幫助中央處理器 (CPU ) 工作,從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令,幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ,以便日後仍可取用,也能主動把資料送到輸出裝置,例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度,RAM越大,所能容納的資料越多,CPU讀取的速度越快。

) f8 B: y9 _: u/ ^3 }/ n1 ]/ O: l S9 X0 D$ b4 v. B9 k% Q0 h# {1 u3 S/ _- [" [% q: i; }9 R$ o& _$ D+ O$ A; |; f

1 Y! B+ j8 g/ s4 J/ c7 s: o, j% v+ O4 q* G# {2 T; h: S1 B3 \4 W: ?4 Y0 y5 \' ^' E2 v' h: b( M3 A* W( k2 t n; ?5 Z8 i1 q0 T! W
RDRAM
動態隨機存取記憶體

" `6 Q- \: w7 H# t- R) L) y( w9 W5 s( \7 n% J8 Y( ^3 _" o6 S& {* e8 \/ I7 S5 G6 X; \3 F' d0 M
RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ,提供了1000Mbps的傳送速率,作業時不會間斷,比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速,當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體,不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求,可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ,製造商展示的RDRAM則可達600MHz,記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長,若將RDRAM並排使用,可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ,將記憶體增為32或64位元。

0 O0 }& H+ g' ~7 u. T0 M) s+ F2 O& a! t/ q* b8 d. N* r* I+ Q1 a! M* f8 K6 O& h' U" w! u: z/ N. b) H H/ z. g: [3 z* `7 }1 f7 V; k/ |

+ p2 R; x% E4 n# ~) b# I # n" M1 Y$ F+ o% g! ?5 s. t `6 V3 G9 k; u$ B' [% |. r6 S0 n& n/ d6 ^9 e- l' T0 K0 w2 C- E" k* }) p) h
ROM
唯讀記憶體

1 B; ]' |9 j5 k5 |& O ) x5 r: y/ K3 m- Z# F' ~$ B$ K: p2 `3 ~; [( D9 d$ e" v5 D3 Y. M. ? q, [2 a
Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體,這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變,電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令,和使用儲存在ROM的資料,但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上,也就是說,即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存,所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令,開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試,在最初的測試中,檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。

/ ]8 k9 I* Q+ `6 q$ ]1 R: r8 o$ c) d! B5 F! N+ d& b# L' Q; _7 d9 F8 w4 ^* j2 D5 y, B" J8 T8 c/ I6 y5 I% n% C2 d) x! x$ C1 A9 I

+ \# Z8 @9 G6 h5 \3 i2 a9 ?4 W- F& B5 I: n0 w8 e. @6 J1 b; b: ]- l/ k& a3 g, E& U4 L! k! A7 l2 b3 o. L, U; T2 M1 Q. V d
SDRAM
同步動態隨機存取記憶體

" U# v3 D% P0 C( ^, b% C0 i: I8 ^5 `8 N) s, _6 i3 j+ |3 h: B# N6 Q, ]" }/ L. c& w* r+ w8 p# P2 O7 u0 a
SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步,所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快,採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V),168個接腳,還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ,而有66與100MHz不同的規格,100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。

9 Y( p' f+ ?' ]6 |8 w; Z4 h5 { : v2 p) [' A1 t' V& A j* _0 `; J: D9 J0 o" {- b0 j: q0 ?0 b1 m9 Y3 T6 q4 @8 p6 W4 ?: d, g" L

1 a) A6 u- X1 x( c6 V & p" i! O$ y! O* W- X- i9 C: Y p9 w1 \& {: V. U% A7 y$ x4 Y% [5 h9 t) \3 g7 ]
SIMM
單直列記憶體模組

" Y! a* }/ k( k* R: c- N- A# T+ R: N" B5 A% W8 C8 Z1 p5 L# m& Y2 M2 X+ a7 n; P' W. k5 T( d3 y$ Q
SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上, 當時的接腳主要為30個,可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ,一次資料存取 (Access) 為32個位元組,所以分為四條一組,因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins,不過只能提供32位元組的工作量,但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) , 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。

+ X. |. S3 D# z, P$ R% s. I0 j7 y1 l8 p! z8 A& U( m7 ^. | W* v% d0 A- W. B) S" P- _4 V+ U7 b- @" v# W& s0 N2 R* y. K4 T: A

: r' S% x9 I& o$ m$ ^( f, w; X ' w$ _& M: u% `: o+ d% Y( B! i x0 D' G* G: S# p1 g) B3 a5 G+ [6 ^: }! O4 R& i- k
SRAM
動態隨機存取記憶體

/ i% ?1 ?/ p' v# v! R( p0 i- [- ~% r" P f. h$ a' v" v4 _1 N7 G! r& p. @% e8 j0 K' M: C6 Q: d: I$ K6 _. D1 _1 M. S0 C
SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同,每個位元使用6個電晶體(transistor)組成,不需要不斷充電以保持資料不流失,其存取時間較短,製造成本較高,主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體,SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了,或是沒有插好,主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。

) I& {9 [8 c8 W . Y/ f( a! u9 |; ?7 v" _' ?) _- B) x9 N& S8 t7 J m- S6 \- t2 v8 \& k' A5 v* D. c5 ^ i

, f+ [5 D- ^8 l- {; @+ I ) V! z, Z- M% A: P! b$ N# u) I+ z. q O' G/ J* r2 p& Q1 C* c$ B0 d; k( i2 ]% c6 B. i* V) `
VCM SDRAM
虛擬通道記憶體

2 q7 C9 ~4 j$ @. q; j ) k- D. V7 Z4 P; I; ?! j6 E, U$ _# T7 q+ W; o# }3 i3 m8 I- J* F1 W# i l# K+ h( D- V: n
VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨,而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者, 大力推廣所謂的VCM模組技術,而為消費者廣為接受,日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品,並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後, 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理,然而VCM的內部區分為16條虛擬通道(Virtual Channel), 每一個通道都負責一個單獨的memory master,因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔, 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作, 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦, 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔,以及本身低耗電的特性, 相當適合筆記型電腦的運用,品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。
* L2 K" y) J% ^. e+ Z

 

7 r0 @0 C* p' ?; @$ R+ q" s

基本分析與交易實務的基礎教學文章尚有....

5 n) |, [+ L& F- n

 

- K0 }( E' B* @' r1 k; M

o1 d# }6 t V8 H x/ }! a `4 V, B

4 G% a8 ]/ e4 w4 I: V! ~& B. G. G4 z# C" _1 B4 _% u8 n; C) Q j7 l) ]* O) m2 C. j" ?+ I# T- l+ x) L! d6 m$ ]" Y4 a/ e" B: Z/ U- b$ @4 |5 L1 p3 J6 X+ y3 i, W& j1 k% }# h. E& q& |9 g: c/ k3 ?, W0 E) \" K/ y8 b0 u5 O" F8 j# g$ w- B: a, s+ V8 o1 M9 j8 A, M2 _: {! B) Z0 @; Q- b/ M) H% k- U f x. U4 ?! n; _8 ~! `$ T% P7 [6 I& [
3 A( ^6 n6 r' N! l

認識財務報表專有名詞

& G' K7 R) D: l- [& z. @1 t3 v

認識財務比率分析 (上)

( ^9 _- M& j- C# T

認識財務比率分析 (下)

1 m. T2 O9 k n% @ m1 a, F3 v' `0 J

認識每股盈餘 EPS

& ]& D! B( a' f" S6 h9 M8 _8 R1 ~4 L( y

  認識本益比 P/E Ratio (PER)

O: x6 P2 F5 h$ K3 X

認識股價淨值比 P/B Ratio (PBR)

: s- Z& j$ B' @& ~, y3 H

  減資的基本認知

) G3 K6 O' i8 J

除權息的基本教戰手則

6 a T+ c) D* I% ~. X

如何衡量個股投資的風險  

) i/ V# \5 v' S( d5 M7 u- Y

認識現金殖利率

# \; ^8 O4 T( v/ J3 A


發表於 2008-2-26 10:10:11 | 顯示全部樓層

NAND快閃記憶體 轉貼 from Wiki

NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明,並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取,所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存,但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia,還有很多種的儲存卡跟隨使用:MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外,手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體,作為存放多媒體檔案的媒介之一,著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始,NAND型快閃記憶體的產能陸續開出,價格也滑落到很普及的水準,業界也進一步利用NAND型快閃記憶體,製作出固態硬碟,也就是Solid State Disk或Solid State Drive,可稱作SSD硬碟,擁有高速、省電的優勢,但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高,SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。
發表於 2011-3-28 11:18:29 | 顯示全部樓層
感謝校長分享的資料,幫助更認識這個產業!
發表於 2011-4-5 14:40:02 | 顯示全部樓層
SRAM
動態隨機存取記憶體
==> 應該是“靜態”隨機存取記憶體吧?
因應平板電腦與手持裝置的需求,現在又有一個新的“Mobile RAM"的分類:
“Mobile RAM主要適用於手持式產品,包括智慧型手機、電子書、可攜式衛星導航裝置、數位相機和MP3播放器等。主要包含 Pseudo SRAM及Low Power DRAM兩種產品,與標準型DRAM相異之處在於,Mobile RAM因為用於可攜式領域,因此相當強調省電和低功率效能,滿足輕、薄、短、小系統的設計需求,以技術能力而言,進入障礙高於標準型DRAM。”

DIGITIMES中文網 原文網址: Mobile RAM http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?CnlID=10&cat=25&id=0000178904_ZUG817IQ1NBKRB3BSOXKU&ct=2#ixzz1Id0vIOw6
發表於 2012-4-28 11:54:49 | 顯示全部樓層
好深奧喔~~~~
發表於 2013-9-28 21:55:39 | 顯示全部樓層
真是專業阿  佩服佩服
發表於 2013-10-10 16:34:21 | 顯示全部樓層
謝謝你的分享
發表於 2013-11-28 19:52:21 | 顯示全部樓層
對記憶體有更多的認識,謝謝
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請入學

本版積分規則

手機版|正通投資團隊

GMT+8, 2019-2-22 01:48 , Processed in 0.102446 second(s), 16 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表