記憶體的種類

austin

# T+ A. x: x6 K2 _& H- E% ?: [$ r# f6 g4 g' M. b; E2 {7 ?; U3 g1 Q+ C2 ]- t$ D0 K+ o3 s5 @4 S* m4 D P# U& X6 P O$ v3 g& w- f+ k6 Z, j4 f3 E) @ [0 A7 \: w- o0 s4 X7 H8 ~; a r, J" v2 P( ^% `) P9 _. c C* V( \9 y4 f. C5 U1 ? E; x" c" [3 h9 P* A: O# p* K: Z- Z; W( ?: C0 L/ i" O- h% `- i$ |0 K6 A9 [' p$ `1 K j) J, W4 n* f' S& J4 C; N& C. u5 B# w' P- `: }6 n8 x- ?+ g6 a7 \$ u* u) K) f# ] T. f0 G# a" l/ T( h) s, ]- T6 h: b8 c' `1 p, V+ S4 B2 z: P% a% y0 G5 L- f, N3 ?3 `' K3 r: |& w! V) f, P' [- }. i* F' O. ?; r6 m" G) B# `& m8 Q% D+ l4 ]; C% y8 S* d6 L4 g3 z- F+ r4 V# n# L% S* x) c3 `/ R: w6 z1 C: m; T/ S# x, ~/ u; S/ j( t5 r1 s' }! [# |+ ]& F% T; ]( ~5 N$ f& W o8 b$ L4 t+ |3 x$ J7 V0 ?* o* P- L/ y' x q- Q5 P1 g3 l/ ?! s4 X. G9 q8 v" m; p5 h7 R! t% @. t% E2 `( r$ x! F" G% [1 ], ]$ S0 Y, O' U3 I8 D# O! Q8 N- Z' k6 _( b% g x! U# R" m+ n p0 p8 c- w6 Y% z/ l7 I8 f/ s3 a" ]7 \1 J7 |1 f U/ z9 K+ |: F$ k5 i0 c9 A+ N: Q( V( D; K' @3 Z; s+ h( @' `3 D; ~8 @& K, g7 Y2 x) H; k! h; V# k* s: ~) g. a6 k$ |* y% [6 `8 i' Y& V* N) \% l0 v' x) L6 z+ \, W: b( a7 N+ i# t5 c! }" P+ @% K/ E1 Y7 C! t( M6 R/ Y6 I

7 N) u+ Y9 u _- w Cache Memory 快取記憶體	8 C2 `* [& m0 s) Q# c/ N0 e* W* H; t* G) ^( f% u* T( u& ]$ x( J0 @% y5 H 快取記憶體是隨機存取記憶體 (RAM ) 的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器 (CPU ) 處理資料時，它會先到快取記憶體中尋找，如果資料因先前已經讀取而暫存於此的話，就不需從龐大的記憶體中費時讀取資料。 由於CPU的時脈通常比主記憶體的時脈快，CPU若要連續存取記憶體的話，必須等待數個時脈週期，所以硬體工程師在設計CPU時，也將快取能力應用在CPU上，像是Pentium II分別有8KB指令快取記憶體與8KB的資料快取記憶體，通稱為L1快取記憶體 (Memory ) 。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 晶片。 快取記憶體通常包括讀取和寫入功能，使用者可以視情況設定兩種功能是否發生作用。
" @9 |" N8 f0 W6 W1 ?* _" s. H1 b# }' u, s7 v# ], T/ O! d' v) {* F" T7 t$ l/ Q1 Z: I u4 [ DDR 雙倍資料傳輸率	; W, i$ c5 [9 y- x, G+ y8 y- z ^* r5 o% n3 W0 R$ h6 D0 f* E% a2 v9 J DDR ( Double Date Rate ) 系統時脈為100或133MHz，但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM ) 好。
) [( n( L5 J1 B* N
, n5 S r+ S& p& p* Z) V* h1 X7 y8 N) b* p# v5 U$ b8 X8 _5 r0 E0 z! t0 r DIMM 雙直列記憶體模組	' G1 N+ j! H" I6 `' K. T a1 u M DIMM ( Dual in Line Memory Module ) 是一個內含隨機存取記憶體 (RAM ) 晶片 (Chip) 的小型電路版，可以說是由兩個單直列記憶體模型合併而成；一個DIMM有64位元 (bit ) 對記憶體 (Memory ) 的存取路徑 (Path) ，並有168個接腳，若中央處理器 (CPU ) 的匯流排 (BUS) 一樣是64位元，便只需要對記憶體做一次完整存取 (Access) 動作，所以一個主機板 (Mother Board ) 上只需要一個DIMM。 DIMM可以分為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種，目前比較常見的是3.3V含緩衝器類型，而DIMM還需要一個抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 供基本輸出入系統 (BIOS ) 儲存各種參數，讓晶片組 (Chipset) 達到最佳狀態。
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8 @) L' S6 a; ^" @4 w3 F) ^0 Y2 g. C5 l6 h- F3 x4 Q# J( Y& }2 @1 b- q) l7 S( p" b- U( k/ r' _( v _& w& Y: o' N% \ DRAM 動態隨機存取記憶體	3 J2 e3 }/ p+ p& Z, ^$ ?( O 一般電腦系統使用的隨機存取記憶體 - RAM ( Dynamic Random Access Memory ) 可分動態與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 兩種，差異在於DRAM一個位元只使用一個電晶體，需要週期性地補充電源，以保持記憶體內資料不會流失，SRAM每個位元使用6個電晶體組成，不需要週期性地補充電源，速度較快，價格也較高。 主記憶體一般都是使用DRAM，快取記憶體 (Cache Memory) 則是採用SRAM。 DRAM隨著不同時期技術的進展，陸續推出EDO DRAM、SDRAM、PC100、PC133、DDR DRAM、Direct RDAM等不同規格。
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E1 h* l1 c/ Y8 v9 }$ d w7 z& G6 I3 E ECC Error Checking and Correction	8 [& n0 |4 N4 Z9 @: w) d, R( `/ g7 u1 ^. X7 K5 c 在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位元的誤差，也可以作雙位元或多位元的誤差核對與改正。
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+ n- b3 h0 n( j4 I Y( t7 B$ H/ O% U0 t! R/ r/ h2 m* g& s6 Q: W# V6 X; _7 r9 h _% H+ ~ EDO DRAM EDO動態存取記憶體	# S2 H! y+ r& P8 c! s; p8 T* b& s X: P/ O1 v6 Y" k3 J0 F( O7 o/ B. M2 I7 [4 A% |, _ EDO DRAM (Extend Data Out Dynamic Random Access Memory) 也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 讀取效能的記憶模組，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個百萬位元組 (MB ) 增加到了200MB。
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: e" K, d$ }+ ]6 a% L8 H7 w+ |9 U' y Y5 _5 v' Y- \, N+ Y# e2 ^% }: p6 ~2 s0 J# y# R# \* l. f" Q! \$ h. q EEPROM 電子抹除式唯讀記憶體	( s% U" K5 e/ g5 R; x B& {/ B( }8 D( C2 I EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (Memory ) ，與抹除式唯讀記憶體 (EPROM ) 相似，電源消失後，儲存的資料 (Data) 依然存在，要消除儲存在其中的內容，不是用紫外線照射方式，而是以電子訊號直接消除即可。一般消費者常用的電視遙控器，內部所用的一、二千位元 (bit ) 的非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，通常就是EEPROM。
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' f# z0 f4 [0 L* Q7 ~& z$ V& ?1 |: v* ^8 w3 b3 y9 a EPROM 抹除式唯讀記憶體	" T3 [3 _- ]$ ?! ?% i. j( `6 u; }7 R1 f) V1 B- w4 Y; w! D+ B0 } EPROM ( Erasable Programmable Read-Only Memory )是一種非揮發性記憶體 (NVRAM ) ，不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統 (BIOS ) 。允許使用者以紫外線消除其中的程式，因為內容消除容易，常在測試中使用，通常是理工科系學生作電子電路實驗時常用的材料。
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' a7 p- O+ H6 y3 }/ V4 o( j$ r( h. N( u( v2 l$ a Flash Memory 快閃記憶體	! P: |$ ]% N+ j6 N4 d1 w+ O6 ?+ J( g) a" H 屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，一顆記憶體 (Memory ) 的壽命通常可連續更改數千次到數十萬次，售價低廉，許多電子產品內部均裝設快閃記憶體，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失，甚可保存10年。 另一種較常見的非揮發性記憶體是電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM ) ，特性差不多，但EEPROM內部一次只殺一個位元組 (bite ) 的資料，快閃記憶體則可以一次消除數百萬位元組的資料。因此，若需儲存大量資料 (Data) ，如數位相機 (Digital Camera ) 儲存圖片，一定要使用快閃記憶體，因為EEPROM容量遠不及它。
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+ z6 K5 n$ D) Q+ i( U; b; g1 P. F: R# M8 @9 S& e7 z1 P6 ^8 K RAM 隨機存取記憶體	RAM ( Random Access Memory )隨機存取記憶體，是記憶體 (Memory ) 的一種，由電腦CPU控制，是電腦主要的儲存區域，指令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤 (Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔助記憶體 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如印表機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的速度越快。
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% G$ Q- F* @# R' F- Y9 o5 h8 q0 e, M0 M( U RDRAM 動態隨機存取記憶體	; `4 u6 ?. _' Q) ]% T; h, @4 q+ f RDRAM (Rambus DRAM ) 這是一種主要用於影像加速的記憶體 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會間斷，比起動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然RDRA無法完全取代現有記憶體，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機存取記憶體 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達600MHz，記憶體也只有8或9位元 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬 (Bandwidth) ，將記憶體增為32或64位元。
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( ~! ]; M9 k- P+ Q ROM 唯讀記憶體	3 K2 X3 p2 k$ g. \; E Rom ( Read Only Memory ) 唯讀記憶體，這種記憶體 ( Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，電腦與使用者只能讀取保存在這裡的指令，和使用儲存在ROM的資料，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一個非揮發性晶片上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種記憶體多用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟動電腦的指令，開機的時候ROM提供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確認其儲存資料的能力。此外其他電子元件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
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: }0 Z# C7 K) p4 \; ?/ f/ s# d, R; ~+ r. Z2 A$ c SDRAM 同步動態隨機存取記憶體	& t1 k: ?) [. ` S# C2 W! a3 T' B1 i1 h$ M j n SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) 的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模組 (EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是大家所熟知的PC100記憶體 (Memory ) 。
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! k$ Y7 |0 G! W. P/ B2 }/ J: b/ r0 ^2 p$ @% \+ D SIMM 單直列記憶體模組	SIMM ( Single In-Line Memory Module )記憶體 (Memory ) 模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板 (Mother Board ) 上， 當時的接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line) ，一次資料存取 (Access) 為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。 而今一條SIMM為72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的資料匯流排 (Data Bus) 為64位元組 (bite ) ， 因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料 (Data) 處理工作。
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8 R$ ~/ J$ d; L* k5 O n# h$ L! l" k0 u _! T, H& D' P- _% o( l8 g4 N l8 q9 n8 B SRAM 動態隨機存取記憶體	( H# F/ A, S: T H% g, `! e+ S5 _+ I7 p; p SRAM (Static Random Access Memory )SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體 (DRAM ) 不同，每個位元使用6個電晶體(transistor)組成，不需要不斷充電以保持資料不流失，其存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體 (Cache Memory) 。 由於常用作快取記憶體，SRAM常被叫做Cache RAM。如果SRAM壞了，或是沒有插好，主機板會每隔幾秒發出連續3次的嗶聲以示警告。
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9 f. h' u; n; @ VCM SDRAM 虛擬通道記憶體	& q5 y+ N( o; l& V7 K5 |+ }$ D3 B( r, {! I; x VCM SDRAM ( Virtual Channel Memory SDRAM ) 1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組 (Chipset) 業者， 大力推廣所謂的VCM模組技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉將VCM的規格推向工業級標準。 VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加強原有的SDRAM功能。 昔日的SDRAM須等待中央處理器 (CPU ) 處理完資料或VGA卡處理完資料後， 才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬通道（Virtual Channel）， 每一個通道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少記憶體 (Memory ) 介面的負擔， 進而增加電腦使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與日本NEC技術合作， 在台灣推出以PC133 (PC133) VCM記憶體模組為設計的筆記型電腦， 由於VCM技術可以減少記憶體介面的負擔，以及本身低耗電的特性， 相當適合筆記型電腦的運用，品質與一般個人電腦相較之下毫不遜色。

 

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2 ~' b7 y; q6 f 認識財務報表專有名詞	認識財務比率分析 (上)	3 [' V/ O" q' K1 \ 認識財務比率分析 (下)	認識每股盈餘 EPS	! x9 m3 `$ R/ Z% N L r   認識本益比 P/E Ratio (PER)
# ` ?! J3 N6 ] 認識股價淨值比 P/B Ratio (PBR)	6 @ h7 @0 b- h0 Y   減資的基本認知	) Q0 n2 E6 }& ] a7 p, D: A 除權息的基本教戰手則	1 d R1 ~4 F8 \ 如何衡量個股投資的風險	& k" s3 E" J& t M! F: C2 P 認識現金殖利率

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NAND快閃記憶體由原Toshiba的舛岡富士雄發明，並於1989年發表。它有更低的寫入和擦除時間、高密度、10倍的壽命和比NOR快閃記憶體低的製造成本。但是它的I/O界面只允許連續讀取，所以NAND快閃記憶體不適合電腦內存，但是卻很適合儲存卡。第一種使用NAND快閃記憶體的儲存卡是SmartMedia，還有很多種的儲存卡跟隨使用：MMC、Secure Digital、Memory Stick和xD卡等。 NAND型快閃記憶體除了在儲存卡大量應用外，手機、MP3播放器、數位多媒體播放器也大量使用NAND型快閃記憶體，作為存放多媒體檔案的媒介之一，著眼點就是NAND型快閃記憶體的成本、存放空間與寫入資料的速度。在2006年開始，NAND型快閃記憶體的產能陸續開出，價格也滑落到很普及的水準，業界也進一步利用NAND型快閃記憶體，製作出固態硬碟，也就是Solid State Disk或Solid State Drive，可稱作SSD硬碟，擁有高速、省電的優勢，但價格較一般以磁性物質儲存資料的硬碟高，SSD可應用在筆記型電腦、桌上型電腦上。

shng

SRAM
動態隨機存取記憶體
==> 應該是“靜態”隨機存取記憶體吧？
因應平板電腦與手持裝置的需求，現在又有一個新的“Mobile RAM"的分類：
“Mobile RAM主要適用於手持式產品，包括智慧型手機、電子書、可攜式衛星導航裝置、數位相機和MP3播放器等。主要包含 Pseudo SRAM及Low Power DRAM兩種產品，與標準型DRAM相異之處在於，Mobile RAM因為用於可攜式領域，因此相當強調省電和低功率效能，滿足輕、薄、短、小系統的設計需求，以技術能力而言，進入障礙高於標準型DRAM。”

DIGITIMES中文網 原文網址: Mobile RAM http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?CnlID=10&cat=25&id=0000178904_ZUG817IQ1NBKRB3BSOXKU&ct=2#ixzz1Id0vIOw6

jack0910

好深奧喔~~~~

liwin888

真是專業阿  佩服佩服