權值股；聯電 – 晶圓代工需求回溫 聯電28奈米 火力全開

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轉貼2017年10月26日工商時報，供同學參考

聯電Q3每股賺0.28元 優於預期

工商時報 涂志豪／台北報導



晶圓代工二哥聯電（2303）昨（25）日召開法人說明會及公告第三季財報，受惠於認列業外獲利明顯增加，第三季歸屬母公司稅後淨利達34.73億元，較第二季大幅成長65.5％，表現優於市場預期，每股淨利0.28元。

聯電廈門廠雖已導入28奈米製程，但對第四季營運看法略為保守，預估晶圓出貨將季減3～4％，美元計價平均價格將季減1％，法人推估營收將較上季下滑5％左右。

聯電第三季合併營收季增0.4％達376.98億元，與去年同期相較小幅下滑1.2％，平均毛利率較上季下滑0.5個百分點達17.5％，代表本業獲利的營業利益達16.29億元，較第二季下滑2.3％，但較去年同期成長9.7％。

聯電第三季因認列業外收益達12.36億元，較第二季大增175.9％，因此單季歸屬母公司稅後淨利達34.73億元，較第二季的20.99億元大幅成長65.5％，與去年第三季的29.75億元相較亦成長16.7％，每股淨利達0.28元，表現優於市場預期。

聯電共同總經理王石表示，聯電第三季來自晶圓代工的營收超過376億元，整體產能利用率為96％。第三季來自於電腦周邊及消費性產品強勁的晶片需求，反應了在聯電的8吋及12吋成熟製程穩定的營運表現上。

聯電8吋廠的產能利用率接近滿載，而12吋廠成熟製程的產能利用率也超過90％，因此帶動了本季出貨量達到175萬片8吋約當晶圓。聯電在廈門投資的12吋晶圓廠Fab12X，28奈米產品已經開始量產出貨，產品良率及晶片效能都已經達到南科Fab12A所生產的產品水準。

對於第四季營運展望部份，王石指出，預期第四季的營運狀況將會下滑，主要原因來自於年底典型的季節性調整。

除此之外，聯電也觀察到28奈米高介電金屬閘極（HKMG）的需求將趨緩，對此，聯電將會依市場需求開發新的製程，導入物聯網、5G行動裝置、工業應用等未來趨勢的新領域，藉由新一波成長機會帶來的動能，期待能幫助聯電提升市場占有率。據了解，聯電基於28奈米開發的22奈米低功耗製程可望在2019年進入量產。

聯電共同總經理簡山傑日前接受本報專訪時曾指出，聯電過去專注在先進製程投資及研發，但現在新的方向是追求獲利，並且不會再與同業相互競爭先進製程。

聯電擁有8吋廠及12吋廠且核心技術完整，未來在物聯網、5G、汽車電子等應用上有很大的機會，聯電也朝向射頻模組、先進駕駛輔助系統（ADAS）、微機電及感測器、OLED及LCD驅動IC等利基型晶圓代工市場，積極布局並提升市占率。

評析
聯電過去專注在先進製程投資及研發，但現在新的方向是追求獲利，並且不會再與同業相互競爭先進製程。

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轉貼2017年10月31日工商時報，供同學參考

聯電Fab 12X廠獲美國LEED綠建築黃金級認證

工商時報 涂志豪／台北報導

晶圓代工二哥聯電宣佈，其位於中國廈門Fab 12X廠，已通過美國綠建築協會（U.S. Green Building Council，USGBC）的綠建築評估系統審查，獲得「前瞻能源與環境設計–新建工程類」（Leadership in Energy and Environmental Design–New Construction，LEED-NC）之黃金級認證。

聯電表示，此最先進的晶圓廠在所有中國12吋晶圓廠中，獲得最高的綜合評分，其中用水效率項目更獲得滿分的肯定。此重要的里程碑，進一步表明了聯電對綠建築和環境永續發展的承諾。

聯電負責製造資源整合和環境委員會的副總經理廖木良表示，聯電已啟動並實施綠建築導入計劃多年，除了對既有廠區進行建築節能改善之外，並承諾所有新建廠房都依循最新的綠建築標準規劃興建。Fab 12X的LEED黃金認證是聯電推動永續製造業的重要里程碑。未來，聯電將持續承擔企業公民的責任，落實綠建築的概念，促進形成低碳、永續發展的社會。

Fab 12X為中國華南首座十二吋晶圓專工廠，目前量產的製程技術為40和28奈米，規劃總產能每月高達5萬片十二吋晶圓。聯電選擇在廈門設立晶圓廠，主要著眼於廈門地理位置鄰近臺灣，可獲得臺灣聯電總部的無縫支援。聯電於中國現已有位於蘇州的和艦八吋晶圓廠，而Fab 12X的設立將可為全球客戶提供更完備的晶圓專工服務。

評析
聯電廈門Fab 12X廠主要著眼於廈門地理位置鄰近臺灣，可獲得臺灣聯電總部的無縫支援。

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轉貼2017年11月9日工商時報，供同學參考

聯電、世界10月營收一升一降，Q4一保守一持穩

沈培華／台北報導

晶圓代工廠聯電 (2303) 、世界先進 (5347) 10月業績表現不同調，聯電10月營收138.08億元，創歷史新高，月增率達16.37%。世界先進10月業績則比9月高峰下滑7.3%。

不過，聯電對第四季營運展望相對保守，預料本季整體晶圓出貨下滑3%至4%，因此預料聯電11月及12月業績將自10月的高點下滑。相對而言，世界先進本月營運展望穩定，11月及12月業績並不看淡。

聯電公布，10月營收138.08億元，月增16.37%，超越去年6月創下的135.26億元單月營收歷史最高紀錄，也比去同期成長7.6%。

聯電於上季法說會中表示，本季8吋廠產能需求強勁，產能利用率可望維持近滿載，但隨著傳統淡季效應逐步發酵，28奈米HKMG需求趨緩。

聯電預期，第四季晶圓出貨量將較第三季減少3%至4%，平均銷售價格季減約1%。由此推估，聯電本季營收將季減約在4~5%。

世界先進10月晶圓出貨減少，單月營收20.86億元，月減7.3%，為近3個月新低。

但隨著本季電源管理與小面板驅動IC需求持續下，世界先進整體第四季營收估約62億至66億元，相較第三季大致持平。由此來看，世界先進11月及12月業績有機會將優於10月水準。

評析
第四季8吋廠產能需求強勁，產能利用率可望維持近滿載，但隨著傳統淡季效應逐步發酵，28奈米HKMG需求趨緩。

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轉貼2017年11月16日經濟日報，供同學參考

聯電攜賽普拉斯 攻航空晶片

經濟日報 記者簡永祥／台北報導

晶圓代工大廠聯電（2303）昨（15）日宣布與賽普拉斯（Cypress）攜手合作，合攻航空用記憶體市場。

聯電表示，賽普拉斯採用65和40奈米的高密度靜態隨機存取記憶體（SRAM），率先業界完成先進產品流程合格製造商清單（ QML） 認證，這項高密度記憶體是透過聯電位於南科12A為其代工生產，並通過嚴格的軍規認證。

聯電強調，QML認證由美國陸地及海上國防後勤局（DLA）管理，是美國政府實施最嚴格的驗證程序之一，旨在確保微電子元件供應的可靠性和品質管制。

聯電與賽普拉斯合作開發的SRAM是屬於下一代的產品，在通過嚴格等級的QML-V類航空等級的認證後，也凸顯聯電在記憶體製程一項重大突破，為聯電重返記憶體市場，開創新頁。

評析
通過嚴格等級的QML-V類航空等級的認證，凸顯聯電在記憶體製程一項重大突破，為聯電重返記憶體市場，開創新頁。

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轉貼2017年11月28日經濟日報，供同學參考

聯電加碼廈門聯芯 間接增資180億元

經濟日報 記者杜宗熹、張瑞益╱台北報導

經濟部投審會昨（27）日通過聯華電子申請匯出6億美元（約新台幣180億元），間接增資大陸廈門聯芯集成電路製造有限公司，從事經營12吋晶圓之生產等業務，將為聯芯廈門12吋晶圓廠的二期建廠開發和生產做準備。

聯電財務長劉啟東表示，廈門聯芯目前月產能已達1.2萬片，預計明年第2季前可望拉升到1.6萬片。

廈門聯芯是由聯電、廈門市政府，以及福建省電子資訊集團三方共同合資興建的12吋晶圓代工廠，初期資本額20.5億美元，其中，聯電出資13.5億美元，其餘由廈門市政府、以及福建省電子資訊集團出資，聯電過去已投入7.5億美元，投審會昨日通過聯電申請匯出的6億美元後，預定的資本額已全數到位。

經濟部投審會昨日共審議通過三件台商對陸投資案，其中外界關注的聯電增資廈門聯芯案，投審會執行秘書張銘斌在受訪時表示，該筆資金將用於原先預留的廈門廠二期工程做使用。

投審會指出，聯電本次主要申請廈門聯芯，將從事經營各類商品和技術進出口、晶片廠相關事項諮詢服務等業務。

投審會昨日還通過富邦人壽申請匯出人民幣17.5億元（約新台幣80億元），受讓取得大陸中華聯合保險集團5.6335％之股權，暨取得大陸中華聯合財產保險等公司之股權，從事人身保險業務。

而瀚宇彩晶匯出2,050萬美元（約新台幣6.15億元），並第三地事業自有資金450萬美元（約新台幣1.35億元），合計共2,500萬美元（約新台幣7.5億元），增資南京瀚宇彩欣科技從事液晶裝置模組組裝業務，也一併獲得通過。

在對外投資方面，投審會通過鴻海匯出5,000萬美元（約新台幣15億元），間接增資英屬開曼群島商ICREATE INVESTMENT LIMITED，預料將從事美國新創事業等相關投資。

評析
聯電本次主要申請廈門聯芯，將從事經營各類商品和技術進出口、晶片廠相關事項諮詢服務等業務。

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轉貼2017年12月14日經濟日報，供同學參考

聯電動作保守 先拚毛利率

經濟日報 記者張瑞益／台北報導

聯電昨（13）日公布，董事會通過資本預算執行案，預計投資金額為189.9億元，是2009年以來資本預算最低，顯示出明年擴產動作將趨保守。法人認為，聯電明年應是希望先提高產能利用率，以提升近幾季走跌的毛利率表現。

聯電公告2018年度資本預算執行的金額是189.9億元新台幣，換算約是6.3億美元，依聯電近幾年公告的財報來看，是2009年以來，聯電最低的資本預算，聯電指出，主要由於過去幾年大舉擴建12吋廠，明年擴產動作趨保守，主要將著眼於廈門廠所致。

聯電表示，該公司自2010年以來，積極擴建12吋廠及其餘產線產能，因此，自2010年起全年的資本預算就由2009年的5.5億美元，開始大幅提升當年度的18億美元，之後每年的資本預期都自10億美元起跳，2016年及2017年更分別達到28億美元及20億美元。

對於聯電明年資本預算轉趨保守，市場分析師認為，主要也因為，近幾年來全球半導體廠積極擴產，除了高階製程產品，報價其實並不理想，且透過財報觀察聯電毛利率表現，去年3、4季單季毛利率都還有20%以上，今年第2、3季單季毛利率分別都下滑至18%以下水準，累計今年前三季平均毛利率也僅有18.43%，由於去年全年毛利率仍有20.54%，可以預期今年毛利率將是2014年以來最低。分析師認為，聯電明年對產能擴產轉趨保守頗有拉高產能利用率之後，才能拉回毛利率水準企圖。

評析
聯電明年應是希望先提高產能利用率，以提升近幾季走跌的毛利率表現。

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轉貼2017年12月22日聯合晚報 ，供同學參考

聯電40奈米製程 東芝將採用

聯合晚報 記者鐘惠玲／台北報導

晶圓代工廠聯電（2303）在製程技術有新斬獲，推出40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程，已獲東芝旗下開始評估其微處理器（MCU）晶片可採用此製程。

目前聯電已有超過20個客戶與產品，正使用其55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程，生產包括SIM卡、汽車、物聯網與MCU等應用產品。而後續聯電推出的40奈米SST嵌入式快閃記憶體，可較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上，並使整體記憶體面積縮小20%至30%。

東芝電子元件與存儲產品公司混合信號晶片部門副總松井俊表示，期待採用聯電40奈米SST技術，有助於提升其MCU產品的性能。與聯電合作，可有穩定的製造供應，並配合該公司的生產需求，提供靈活產能。

聯電特殊技術組織協理丁文琪表示，該公司自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來，一直受到客戶高度關注，此製程平台具有低功耗、高可靠度及數據保留和高耐久性的特性，可用於汽車、工業、物聯網等應用。該公司正努力將嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米技術平台。

評析
聯電40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程，已獲東芝旗下開始評估其MCU晶片可採用此製程。

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轉貼2017年12月25日工商時報，供同學參考

聯電新記憶體製程 東芝MCU可望採用

工商時報 涂志豪／台北報導

晶圓代工大廠聯電（2303）日前宣布，推出40奈米結合美商超捷（Silicon Storage Technology，SST）嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體的製程平台。新推出的40奈米SST嵌入式快閃記憶體，較量產的55奈米單元尺寸減少20％以上，並使整體記憶體面積縮小了20～30％。東芝電子元件暨存儲產品公司已開始評估其微處理器（MCU）晶片於聯電40奈米SST技術平台的適用性。

東芝電子元件暨存儲產品公司混合信號晶片部門副總經理松井俊也表示，預期採用聯電40奈米SST嵌入式快閃記憶體技術，有助於提升東芝MCU產品的性能。與聯電合作，透過穩定的製造供應，及配合東芝的生產需求提供靈活的產能，將能夠保持強勁的業務連續性計劃（BCP）。

聯電表示，已有超過20個客戶和產品正以聯電55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產，包含了SIM卡、金融交易、汽車電子、物聯網、MCU及其他應用產品。

聯電特殊技術組織協理丁文琪表示，自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來，一直受到客戶的高度關注，藉此製程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性，可用於汽車、工業、消費者和物聯網的應用。聯電正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米的技術平台，期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶。

聯電分離式閘極記憶體單元SST製程，依據JEDEC所制定的規範標準，具100K耐久性和在攝氏85度、及工作溫度範圍為攝氏零下40度到125度的寬溫溫度下，數據可保存10年以上。除40奈米 SST製程外，還有20多家客戶使用聯電的55奈米SST技術生產各類應用產品。

聯電已公告11月合併營收月減12.0％達121.55億元，較去年同期下滑5.9％，累計今年前11個月合併營收達1386.17億元，為歷年同期新高，較去年同期成長2.4％。聯電預期第四季營運狀況將會下滑，主要原因來自於年底典型的季節性調整。此外，並觀察到28奈米高介電金屬閘極（HKMG）的需求將趨緩。

評析
已有超過20個客戶和產品正以聯電55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產

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轉貼2017年12月26日工商時報，供同學參考

聯電簡山傑：聯電自主研發DRAM  絕不竊用他人營業祕密

工商時報 涂志豪／專訪



美國記憶體大廠美光（Micron）大動作在美對聯電可能竊取及使用營業祕密一事提出訴訟，聯電總經理簡山傑對此予以駁斥，強調聯電早年就生產過DRAM，本身擁有不少DRAM專利，事隔15年後決定自主研發DRAM技術，目的是為了替台灣半導體產業落實技術扎根。以下是專訪紀要。

問：聯電重新投入DRAM技術研發原因為何？

答：聯電的本業是晶圓代工，順應市場趨勢並強化晶圓代工的服務，聯電研發DRAM的經驗有助於新世化記憶體的發展，包括MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）等，等於可以搶先進入有潛力的新市場。再者，聯電是借外部力量來研發DRAM技術，福建晉華支持研發費用，雙方共同投入研發設備及技術，可快速研發速度，不會擠壓聯電的獲利表現。

聯電要獨立自主研發DRAM技術，另一個重要意義是為台灣半導體產業落實技術扎根，這是當年聯電與世界先進完成自主研發DRAM技術後，相隔15年後再次有台灣企業投入難度最大的DRAM研發工作，意義格外重大。

問：美光對聯電提告的關鍵在於聯電多年未涉及DRAM研發及生產，聯電的技術來源為何？

答：聯電要自主研發DRAM技術。聯電在晶圓代工市場多年，長期投入研發已有很好的技術實力，連最先進囗最複雜的14奈米邏輯IC製程都自主研發成功並開始投產，而且許多DRAM技術與聯電既有的邏輯技術相通。至於在DRAM特有技術部分，則透過公開的技術報告、逆向工程方式了解，再依據開發路線落實。事實上，DRAM工作原理沒有改變，現今的DRAM只是藉由更先進的製程技術，達到每位元更低成本的目標，操作原理與15年前研發DRAM時相同。

問：聯電的DRAM事業的營運模式為何？

答：聯電目前與國外DRAM設計公司合作，以達成及加速DRAM技術研發。不同於三大DRAM廠有自己的設計團隊，聯電本業是晶圓代工，所以與DRAM設計公司合作最符合聯電的營運模式，與經驗豐富的DRAM設計團隊合作，可以減少研發過程中的許多不確定性因素，加快問題解決的速度。再者，聯電未來的DRAM技術研發成功後，會授權給晉華生產，但聯電並沒有投資晉華，未來也可爭取其它DRAM代工訂單。聯電目前沒有自建DRAM產能計畫，不會與台灣現有DRAM廠商競爭。

問：聯電自行研發的DRAM技術與美光的DRAM技術並不相同？

答：聯電不了解美光製造DRAM的內容，因此無從說明兩者之差異，但根據第三方TechInsights於2013年發表文章，有分析美光、爾必達、三星、SK海力士在30奈米製程世代的DRAM，美光採用直行式主動區（Active Area，AA）設計，但聯電DRAM選擇交錯式AA設計，與美光的記憶胞架構明顯不同。DRAM的記憶胞是技術上最核心之處，選擇不同的記憶胞架構，代表了不同的研發道路，證明聯電和美光的技術核心不相同。

評析
聯電事隔15年後決定自主研發DRAM技術，目的是為了替台灣半導體產業落實技術扎根。

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轉貼2017年12月26日工商時報，供同學參考

簡：美光跨洋提告 意圖嚇阻台灣研發

工商時報 涂志豪／台北報導

台灣地檢署起訴美光離職員工竊密案後，美國記憶體大廠美光（Micron）選擇在美國加州法院向向聯電和技術團隊成員提起民事訴訟和損害賠償。聯電總經理簡山傑昨（25）日接受本報專訪時表示，美光跨國起訴的挑戰性大，顯然是想要藉由美國的主場優勢抑制對手，才選擇「異地」求償，並嚇阻聯電在台灣自主研發DRAM的努力。

簡山傑表示，有關台灣地檢署起訴美光離職員工竊密的刑事起訴是在台灣，但美光卻選擇美國提起民事求償，初步判斷可能原因之一，是美光提出告訴、聯電被起訴已引起科技業和學界的側目，官司挑戰性甚大，美光顯然想藉由美國的主場優勢抑制對手，才選擇「異地」求償。

原因之二是檢察官僅針對聯電「未盡力防止」竊密罪起訴，但美光藉此擴大渲染，將聯電和研發團隊人員統統納入美國民事起訴對象，想藉由訴訟困住聯電的研發進度，顯然意在嚇阻台灣自主研發DRAM。

簡山傑說，第三個可能原因是聯電研發DRAM技術尚在開發進行中，尚無成果也還沒有產品，根本沒使用美光的營業祕密，更沒有造成任何損害，美光起訴請求損害賠償並無任何根據。原因之四則是美光將福建晉華公司列為共同被告，顯示其有意圖囊括中國大陸市場，意在阻止中國大陸製造生產DRAM。

簡山傑強調，聯電的DRAM技術研發雖中斷十幾年，但現在已重啟研發並持續進行中，且聯電沒有使用美光的營業祕密，未來的研發成果也一定不會涉及美光的營業祕密。也就是說，美光不會受到損害，所以請求損害賠償毫無根據，聯電一定會捍衛60萬股東的權益和商譽，採取必要措施。

簡山傑指出，聯電的所有研發及會議都會留下紀錄，聯電自主研發DRAM技術，憑藉的是合法及清楚的起點，以及完整詳實的問題解決途徑，還有自行研發過程中所產生的專利。聯電在邏輯IC製程已做到14奈米，複雜度遠比DRAM高出許多，聯電的DRAM技術研發，也是由位元記憶胞設計開始，流程與步驟都有紀錄，連對應的設備與採用材料等都是從零開始。

簡山傑強調，聯電絕不竊取、使用他人營業祕密，聯電不知道美光的營業祕密為何，也不曾使用過，且核心技術與美光明顯不同，根本沒有必要窺視、侵害美光的營業祕密，外部的營業祕密對聯電的自主研發，並無法產生實質作用，但現在為了避免外界誤傳或散布不實謠言，所以特別予以澄清。

評析
聯電自主研發DRAM技術，憑藉的是合法及清楚的起點，以及問題解決途徑，還有自行研發所產生的專利。

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轉貼2018年1月8日蘋果日報，供同學參考

聯電總座《日經》專訪　透露2大目標

林文彬／綜合外電報導

《日經亞洲評論》今刊出上月對聯華電子（2303）共同總經理簡山傑的專訪，身為全球第3大晶圓代工業者，聯電正尋求拓展新興AI（artificial intelligence，人工智慧）領域業務，以抵銷智慧手機市場快速成熟飽和帶來的逆風。

簡山傑表示，他不認為如手機中央處理器等目前出貨量已大的標準化晶片，還有太多成長空間，但與消費電子裝置和汽車AI功能相關的各類型感測器晶片、微控制器（microcontroller）、驅動IC，料將有大幅成長空間。

報導指出，聯電對開發終端AI（edge AI）有信心，但目前看來聯電仍難負荷跨足雲端AI（cloud AI）。相形之下，勁敵台積電（2330）在雲端AI領域具有優勢。2017年台積電資本支出高達108億美元（約3188.48億元台幣），但未來幾年預計將再投入逾100億美元（約2952.3億元台幣）。

目前僅台積電、三星電子（SMASUNG）、英特爾（intel）等大廠有能力持續興建資本密集型先進晶片製造設施，也只有如蘋果（Apple）、高通（QUALCOMM）、華為、輝達（NVIDIA）、賽靈思（XILINX）等口袋夠深的企業對這類先進技術有所需求。

簡山傑表示，短期內聯電計劃減少開支，專注於提振獲利。今年聯電資本支出將大幅縮減，低於2017年的17億美元（約501.89億元台幣）及2016年的22億美元（約649.51億元台幣），目標是在未來2年恢復毛利率及提升盈餘。

聯電已通過今年首輪資本支出計劃約189.9億元台幣，2018全年資本支出預算將於本月24日發布季報時公布。

簡山傑表示，先進尖端晶片技術正面臨客戶減少與市場萎縮，所以未來2年投注特定技術領域，可能比砸大錢追求成本高昂的先進尖端製程更有發展前景。我們相信這樣的策略最終將有助強化公司財務狀況。

拓墣產業研究院（TRI）分析師Lin Jian-Hong指出，聯電採防衛姿態而非積極投資是合理的。如今已非大舉投入資金追趕對手的好時機，那樣的做法成本高昂且具備風險，而產業領導企業目前已在那些先進晶片製程上佔有優勢。不過，削減支出也可能抑制聯電的營收成長。

從這篇專訪來看，聯電眼下有2大目標，其一是專注耕耘AI領域，其二則是提振獲利、恢復毛利率。

評析
聯電眼下有2大目標，其一是專注耕耘AI領域，其二則是提振獲利、恢復毛利率。

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轉貼2018年1月10日經濟日報，供同學參考

聯電去年12月營收反應淡季  Q4仍優於預期

經濟日報 記者張瑞益╱台北報導

晶圓代工廠聯電（2303）去年12月營收降至全年最低，比11月續減12.23%，不過，整體第4季營收較上季微幅下滑2.83%，略優於公司先前預期。

聯電去年12月營收106.67億元，較11月減少12.23%，也較前一年同月減少15.05%。聯電在去年10月營收138.08億元，創歷史新高後，11及12月營收逐月下降，主要仍是季節性因素影響，累計該公司去年第4季營收約366.3億元，比去年第3季376.98億元小幅減少約2.83%，略優於公司先前預估。

聯電公司於上季法說會預估，去年第4季8吋廠產能需求仍強勁，但隨著進入傳統淡季，28奈米HKMG（柵極結構製程）需求趨緩。聯電預期，第4季晶圓出貨量將較第3季減少約3%至4%，平均銷售價格季減約1%，對應該公司去年第4季營收季減幅度2.83%，略優於先前預期，聯電去年全年營收為1492.84億元，較前一年小增0.96%。

至於12月營收表現較上月持續下滑，主要由於已進入年底產業淡季，年底庫存盤點都是營收續減的原因。

對於今年首季，大致上仍會因淡季及長假效應，首季營運仍有不會明顯回升，產能布局上，今年仍有部分大陸廠新產能開出，不過，聯電強調，對於未來的營運規劃，未來二年聯電將不會積極擴產，而是會致力於提升產能利用率及強化財務結構。市場分析師認為，聯電明年擴產轉趨保守，應是希望先拉升產能利用率，以提升近幾季持續走跌的毛利率表現。

此外，聯電昨（9）日傳出公安意外，該公司南科廠傳出外包廠商在進行電氣室的歲修工作時，疑似因為施工不慎，造成配電盤短路爆炸，所幸經搶救後，傷者暫無生命危險。

評析
未來二年聯電將不會積極擴產，而是會致力於提升產能利用率及強化財務結構。

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轉貼2018年1月13日工商時報，供同學參考

聯電反告美光侵權 求償12億

工商時報 蘇嘉維／台北報導

晶圓代工廠聯電與記憶體大廠美光在記憶體領域的訴訟戰火升溫，聯電宣布，於昨（12）日上午已向中國大陸福州市中級人民法院遞狀，控告美光在DRAM及固態硬碟（SSD）等記憶體產品涉嫌侵害聯電大陸公司專利，總共將求償2.7億元人民幣（約新台幣12.34億元）。

聯電表示，美光製造、生產及銷售的Crucial DDR4 2400 8G筆記型電腦記憶體、Crucial MX300 2.5-inch SSD 525GB固態硬碟與七彩虹iGame1080烈焰戰神X-8GD5X顯示卡中的儲存晶片涉嫌侵害該公司的大陸專利。

聯電為維護自身權益，已於昨日上午按不同侵權產品分別向福州市中級人民法院遞狀，對美光半導體（西安）有限責任公司、美光半導體銷售（上海）有限公司、廈門市思明區信通源電腦經營部、廈門安泰勝電子科技有限公司起訴，共計3件訴訟。

聯電將請求法院判令該等被告停止製造、加工、進口、銷售、許諾銷售被訴侵權產品的行為，銷毀全部庫存及相關模具及工具，並請求美光於3件訴訟各賠償9,000萬元人民幣（約新台幣4.11億元）。

聯電表示，美光為國際知名公司，最近1年對聯電動作頻頻，明顯將其與離職員工間的爭議，渲染為企業間的侵害行為，並在美國本土對該公司興訟，經聯電深入檢視，發現有美光在大陸地區銷售的產品確實侵害聯電專利權，因而在大陸地區進行專利侵權訴訟，期能獲得公正裁判。

美光與聯電掀起訴訟戰起因，外界普遍認為，起源於聯電在2016年與福建省晉華集成電路有限公司簽約合作，聯電也受晉華公司委託開發DRAM相關技術，但事實上聯電僅負責技術研發，並未有投入DRAM產業的規劃。

評析
美光與聯電掀起訴訟戰起因，起源於聯電在2016年與福建省晉華集成電路有限公司簽約合作

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轉貼2018年1月20日經濟日報，供同學參考

聯電加碼投資廈門聯芯 匯出4億美元

經濟日報 記者張瑞益╱台北報導

聯電（2303）去年11月向投審會申請匯出6億美元，是當初規劃投資廈門聯芯的投資額，19日聯電公告此次已匯出4億美元，持股廈門聯芯股權也提升到61.5%，預計最後的2億美元投資額明年匯出。

聯電昨日公告投資廈門聯芯新台幣112.13億元，廈門聯芯是由聯電、廈門市政府、以及福建省電子資訊集團三方共同合資的12吋晶圓代工廠，資本額設計是20.7億美元，其中，聯電預計出資13.5億美元，其餘由廈門市政府、以及福建省電子資訊集團出資。

聯電過去已投入7.5億美元，持股比重是51%，而昨日再投資投審會去年11月已通過的投資額6億美元中的4億美元，聯電投資廈門聯芯金額也拉高到11.5億美元，持股比重提升到61.5%，聯電表示，最後的2億美元投資額，預計將在明年完成投資，屆時，聯電持有廈門聯芯股權將提升到65%，總投資金額將達當初規劃的13.5億美元。

隨著去年第1季聯電正式量產旗下最新的14奈米製程之後，依照投審會規定，聯電可以向子公司聯芯半導體輸出次世代的製程技術，聯電即開始協助聯芯導入 28奈米製程技術。如今，聯電與聯芯已順利導入28奈米製程。

評析
隨著去年第1季聯電正式量產旗下最新的14奈米製程之後，如今，聯電與聯芯已順利導入28奈米製程。

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轉貼2018年1月21日經濟日報，供同學參考

聯電24日法說 聚焦毛利率

經濟日報 記者劉芳妙、張瑞益／台北報導

晶圓代工廠聯電及微投影模組大廠揚明光學本周舉行法說會，其中，聯電近幾年毛利率走低，今年提升產能利用率、毛利率的做法及匯率影響，將是法說焦點，揚明光法說會則是聚焦在微投影光學模組及車用等市場布局進度。

聯電將於24日舉行線上法說，該公司去年第3季毛利率持續下滑至17.49%，已是2016年第2季以來最低，今年資本預算執行案，預計投資金額為189.9億元，創2009年以來資本預算最低。公司表示，今年擴產動作將趨保守，是希望先拉升產能利用率，並提升毛利率表現，此部分的具體做為及規劃是市場關注焦點。

另外，今年以來新台幣持續強勢升值，對聯電的營收及毛利率也相對不利，公司方面評估匯率影響程度及如何因應，也是法人圈關注事項。

聯電轉投資的廈門聯芯方面，大陸廈門12吋廠的28奈米製程產能計劃自目前的月產1.2萬片，擴增至今年第1季底前將達1.6萬片規模；並將於一年內達到月產2.5萬片目標。
微投影模組大廠揚明光學則於26日舉行線上法說會，由總經理徐誌鴻主持，依去年前三季每股淨損1.31元估計，去年恐面臨連兩年虧損，預期會中將關注其應用於零售店鋪的貨架顯示單元產品進展、微投影光學模組及車用等市場布局進度。

揚明光去年下半年來自微投影光學模組、取像鏡頭、智能家居及智慧製造等產品出貨動能強，整體下半年業績及毛利率優於上半年，預料去年下半年虧損有望收斂。去年全年營收44.55億元，年增8.24%，這是營收連續六年衰退之後，首度回到成長軌道。

揚明光近年調整產品結構，淡出傳統超短焦產品市場，希望拉高高毛利率的工業光學模組成本，帶動營運成長，估去年下半年工業光學模組產品營收占比達兩成。

評析
聯電近幾年毛利率走低，今年提升產能利用率、毛利率的做法及匯率影響，將是法說焦點

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轉貼2018年1月25日工商時報，供同學參考

聯電去年每股賺0.79元 Q1不看淡

工商時報 涂志豪／台北報導



晶圓代工二哥聯電（2303）昨（24）日召開法人說明會，去年雖受新台幣兌美元匯率升值衝擊，但全年營收仍較前年成長1.0％達1,492.85億，歸屬母公司稅後淨利年增15.8％達96.29億元，每股淨利0.79元，符合市場預期。聯電預期今年資本支出降至11億美元，第一季晶圓出貨將較上季增加2～4％，營運不看淡。

聯電去年第四季合併營收季減2.8％達366.31億元，與前年同期相較亦下滑4.4％，平均毛利率季減0.3個百分點達17.2％，但營業利益季增16.7％達19.01億元。由於第四季並無大筆業外收益認列，單季歸屬母公司稅後淨利季減49.0％達17.71億元，每股淨利0.15元。

聯電2017年合併營收年增1.0％達1,492.85億元，平均毛利率年減2.4個百分點達18.1％，主要是受到新台幣升值影響，但營業利益年增6.0％達65.68億元，本業獲利能利持續改善。加計業外收益後，全年歸屬母公司稅後淨利達96.29億元，年成長率達15.8％，每股淨利0.79元。

對於第一季市況，由於聯電廈門廠已進入量產階段，預估整體晶圓出貨量將季增2～4％，晶圓平均美元價格季減2％，晶圓代工產能利用率約90％，法人預估本季營收將與上季持平或小幅成長2％以內。但因1月以來新台幣大幅升值，加上14奈米製程量產初期毛利率低，因此聯電預期第一季毛利率將降至11～13％。

聯電總經理王石表示，去年第四季聯電晶圓代工事業營收達到365.4億元，雖然28奈米高介電金屬閘極（HKMG）晶圓出貨量下滑，但聯電的8吋與12吋成熟製程的產能利用率維持高檔，持續反應了市場強勁的需求。整年來看，2017年聯電以美元計價的晶圓代工營收成長了7％，全年晶圓出貨量年增11％。雖然有新台幣在外匯市場升值的不利因素，但2017年歸屬母公司的淨利仍較2016年成長16％。

王石表示，展望2018年第一季，預期晶圓專工需求將會相對持平，聯電也會持續努力確保新的28奈米產品設計商機，藉由新產品設計定案及生產，在接下來的幾個月內重新布建聯電28奈米產品的成長動能。

王石表示，聯電也會充分運用在製造能力上的優勢，投入在投資報酬率較佳的產品線方面，這包含了12吋成熟技術及8吋機器設備的升級。為此，聯電在2018年的資本支出約為美金11億元。聯電將以提供8吋及12吋成熟製程產品最佳化組合，同時穩健擴充先進製程產能的經營方向，能讓聯電維持健全的財務體質，確保股東及員工的最佳利益。

評析
聯電今年資本支出降至11億美元，第一季晶圓出貨將較上季增加2～4％，營運不看淡。

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轉貼2018年2月6日科技新報，供同學參考

蘋果將棄高通，台積電、聯電受衝擊

作者 黃 敬哲

日前凱基證券的報告指出，蘋果公司下一代 iPhone 可能將以英特爾晶片取代高通。Cowen 分析師也表示，這才是高通股價大跌的元兇，而非博通的惡意購併。值得注意的是，目前台積電及聯電等半導體廠商訂單也將受到影響。

凱基投顧分析師郭明錤指出，蘋果今年 iPhone 產品線可能會全面改用英特爾的基頻晶片，不再是高通占 7 成，英特爾分 3 成，而是全由英特爾獨占。這可能是因為英特爾報價較有競爭力以及有利於目前與高通正進行專利訴訟，以藉此對高通施壓。

2018 年，蘋果 iPhone 系列產品將全部採用英特爾的方案，射頻元件也將可能由 Avago 轉用 Qorvo。且據了解，原本英特爾和高通出貨給蘋果的手機基頻晶片都是由台積電代工，但英特爾已開始規劃擴大自家晶圓產能，預計在 2019 年也能量產 10 奈米製程，揚言反超台積電。

衝擊有限
若如此，台積電及聯電等原本佔超過 10% 營收的高通訂單將受衝擊。不過據消息指出，台積電並不太擔心轉單問題，其營運模式並非仰賴高通，蘋果也只是高通訂單的部份而已，衝擊有限。

而在射頻元件方面，原本高通平台搭配的是 Avago 的產品，然而若由英特爾獨占，恐怕會影響替 Avago 代工的穩懋，不過如京元電等英特爾的供應商將會受惠。市場擔心的是，理論上高通的元件性能還是比英特爾的好，在 5G 技術上，英特爾也是略有不如，將影響未來 iPhone 的通訊性能，以及銷售表現。

目前英特爾晶片在 iPhone X 系列仍然有這樣的現象，若未來真的全部使用英特爾的晶片，可謂是一種退而求其次的做法，儘管今年的新 iPhone 將採用 4×4 MIMO 天線，但性能可能不如預期。不過無論如何新技術還是比較優秀，目前英特爾最新的 XMM 7560 通訊晶片，已能同時支援 GSM 和 CDMA，就算沒有高通仍然能應付蘋果的需求。

郭明錤也表示，目前蘋果與高通的訴訟仍如火如荼，此舉更像是對高通施壓的手段，畢竟多元化供應商才是對蘋果而言最好的策略，若高通肯讓步，蘋果未必不會再改變心意。而在高通方面，自 2 月初以來股價正持續下跌，6 日更重挫近 6.57%，而為了彌補失去的蘋果訂單，恐怕將會更抓緊中國市場。

評析
蘋果今年全面改用英特爾的基頻晶片，若如此，台積電及聯電等原本佔超過 10% 營收的高通訂單將受衝擊。

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轉貼2018年2月8日《萬寶週刊》1267期，供同學參考

法說會誤殺才有好買點

【撰文／張文赫】

農曆年節前夕，美股黑天鵝再現，主因經濟成長增強、失業率創歷史新低、美國勞工薪資成長，在基本面轉好的狀況，加快升息的腳步賣壓湧現。即將下任的FED主席葉倫，認為美股現在目前的本益比接近歷史區間的上緣，包括商用不動產等資產的估值都處於高水位，再加上加密貨幣全面崩盤，變成大泡沫，如同過去的科技泡破，比特幣跌破到6000美元，美國十年期公債殖利率推升到2.85％，直逼3％，市場資金亂了方向，導致全球股市大崩盤。台股目前跌到年線支撐，不管基本面好壞的公司，都因為恐慌性賣壓，紛紛出現重挫的狀況，近期法說會密集召開，必須密切留意，因為展望好的公司在誤殺後會有超跌的買點浮現，大盤回穩後反彈的力道會更強更快速。

台積電法說點名挖礦 但先盛後衰
台積電受惠之前比特幣大漲，相關訂單暴增，帶動對虛擬貨幣強勁的挖礦需求，讓生產挖礦用ASIC晶片的台積電不再靠蘋果維持成長動能，引爆了挖礦概念股全面大漲，讓銷售超微AMD顯卡的撼訊(6150)創天價，微星(2377)、技嘉(2376)也創下波段新高104元、76.6元，而熱潮擴散到了散熱廠，與Nvidia合作多年的雙鴻(3324)是主力供應商，今年Nvidia繪圖卡是兩年一次的大改版，將使雙鴻業績重回成長，股價也創下波段新高91.9元，以自有品牌Thermaltake闖出名堂的曜越(3540)，針對挖礦市場，推出高瓦數1000W以上的電源供應器，平均毛利率可達30％以上，股價也創下波段新高41.05元。

但好景不長，加密貨幣遭遇全球嚴打寒冬，繼美、英等禁止信用卡買賣比特幣之後，中共央行亦將加強監管，對虛擬貨幣境外交易平台網站採取進一步監管措施，堵截大陸投資者湧向境外，比特幣短短2個月從最高19891美金，跌破6000美金大關，跌幅超過60％，造成這些挖礦概念股，從高點反轉，呈現先盛後衰。目前加密貨幣大崩盤，將會使挖礦暫緩，供應鏈間會出現砍單，如同油價一樣，當過去油價跌破30％美元時，美國頁岩油業者全數停產，直到油價超越頁岩油生產成本時，才會重新復工，出現一波回補潮，因此挖礦概念股短線停看聽。

聯家軍盛群、聯詠最強勢
聯電(2303)法說公布去年EPS 0.15元，2017年全年0.79元，比2016年小幅成長，2018年的資本支出則由去年的17億美元大幅調降35.29％至11億美元，長期競爭力仍不足，但旗下的兩檔小金雞可以留意。

盛群(6202)法說會報喜，去年EPS 4.1元創下新高，產品線來看，iPhone帶動無線充電風潮，盛群去年無線充電出貨90萬顆，今年挑戰千萬顆，32位元MCU出貨1150萬顆，今年拚2000萬顆，目前訂單能見度達3月，今年Q1將比去年成長，觸控MC U部分，盛群已經成功打入門禁鎖及家電應用，去年觸控MCU出貨量約1.24億套，年成長幅度也有37.78％。工控產品上，去年馬達控制MCU出貨量為900萬套，相較前年400萬套已經翻倍成長，行動電源MCU出貨量也有明顯成長。盛群主要以人民幣計價，因此並沒有因為新台幣強升的匯損問題，外資一路買超，受股災影響，股價壓回季線支撐區，逢低留意。

產品漲價熱潮從被動元件、矽晶元、MOSFET、二極體，現在驅動IC也喊漲，聯詠(3034)驅動觸控整合TD DI放量，將大幅倍增至2000萬顆。聯詠在2013～2014年於電視SoC市占大幅提升，今年可望重演，有機會拿下三星4K2K電視，更首次打進創維Skyworth，預期今年電視SoC出貨量將看增30～35％，平均單價同步提升，整體SoC產品將看增逾20％，明年有望在滲透至中國其他OEM訂單，而因為8吋晶圓廠產能吃緊下，驅動IC漲價轉嫁給下游客戶，毛利率將成長，股價股災當天僅跌5％，抗跌力道強勁，守穩月線。

法說地雷變法會 短線停看聽
TPK-KY(3673)去年營收約1072億、年成長20.17％，也是自從2013年以來，營收再度恢復成長，受惠於iPhone 7等機種追單效應，去年第4季營收逐月攀高，表現逆勢成長，近期又傳出將打入今年下半年會發售的6.1吋LCD面板的蘋果新機，觸控結構改為外掛薄膜觸控面板(on-cell)，但種種的利多，遠不如Q4財報的利空，全年EPS 6.6元，Q4單季僅1.5元，比Q3還衰退，引爆外資、投信砍出持股，股價破底非常弱勢。在市場一片看好AI人工智慧之際，創意(3443)受到比特幣暴跌影響，以及1月營收月減36.5％，直接跳空跌停鎖死，公司強調保守看比特幣挖礦業務對今年營收貢獻程度，預期相關業務營收占比將降回至15％，短線搶反彈的風險仍高。

【完整內容請見《萬寶週刊》1267期】

評析
聯電2018年的資本支出則由去年的17億美元大幅調降35.29％至11億美元，長期競爭力仍不足

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轉貼2018年2月22日聯合晚報，供同學參考

車用電子需求大增 世界聯電8吋訂單排到5月

聯合晚報 記者張家瑋／台北報導

2018年車用電子需求大增，IDM大廠委外代工訂單塞爆世界先進（5347）及聯電（2303）8吋晶圓代工產能，到5月前產能爆滿，不少IC設計加價才有機會拿到產能。

由於過去多數晶圓廠逐漸將產能由8吋轉向12吋，全球8吋產能逐漸減少，且目前投資8吋晶圓設備昂貴，不符合成本經濟效益，這幾年8吋晶圓代工產能有減無增。此外，指紋辨識在智慧型手機逐漸普及，需求量大增，指紋辨識相當吃8吋產能，另外，去年一路喊漲MOSFET需求上揚，兩大產品應用占去8吋晶圓相多大的產能。

世界先進去年陸續接獲外商IDM廠委外生產訂單，尤以車用電子為大宗，今年在電源管理IC、指紋辨識IC將出現雙位數成長，其中電源管理IC受惠於外商委外生產趨勢，去年已取得客戶訂單，在今年陸續量產，占去大量產能，因而排擠到不少IC設計小廠訂單，需要加價才有機會排到產能。

由於8吋產能吃緊、利用率達滿載，世界先進在反映8吋矽晶圓的成本增加，逐步調整晶圓代工報價，法人預估每季的漲幅介於1%至2%，連調四季，預估全年漲幅4%至8%。在產能利用率達滿載、產品組合優化及成本控制得當，今年世界先進毛利率大幅上揚。

評析
2018年車用電子需求大增，IDM大廠委外訂單塞爆世界先進及聯電8吋晶圓代工產能，到5月前產能爆滿

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轉貼2018年3月8日工商時報，供同學參考

聯電配息0.7元 7年新高

工商時報 蘇嘉維／台北報導

聯電（2303）昨（7）日公告將配發0.7元現金股利，寫下7年以來新高，換算現金殖利率達4.98％。此外，聯電也將啟動買回庫藏股計畫，預計買回20萬張股票。

聯電去年受惠於8吋晶圓代工需求旺盛，加上廈門廠開始投片量產並挹注營收，帶動全年營收達1,492.85億元，創下歷史新高，年增率為1％，稅後純益為96.29億元、年增幅15.8％，每股純益0.79元，表現優於市場預期。

聯電昨日召開董事會通過今年股利政策，每股將配0.7元現金股利，配發總額為85.57億。若以昨日收盤價14.05元計算，現金殖利率為4.98％。

聯電將於今（8）日啟動庫藏股買回計畫，一共買回20萬張股票，主要是為維護公司信用及股東權益。

聯電董事會同時通過資本預算執行案，金額為35.71億元。聯電表示，預算案為提供產能建置需求。此外，按照聯電往例，今年仍將規畫引進策略性投資人的私募案，同樣以不超過聯電股本10％辦理，惟近幾年皆未實行該私募案。

評析
聯電啟動庫藏股買回計畫，一共買回20萬張股票，主要是為維護公司信用及股東權益。