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[轉貼] 權值股;聯電 – 晶圓代工需求回溫 聯電28奈米 火力全開

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 樓主| 發表於 2018-5-9 19:17:19 | 顯示全部樓層
轉貼2017年10月26日工商時報,供同學參考

聯電Q3每股賺0.28元 優於預期

工商時報 涂志豪/台北報導



晶圓代工二哥聯電(2303)昨(25)日召開法人說明會及公告第三季財報,受惠於認列業外獲利明顯增加,第三季歸屬母公司稅後淨利達34.73億元,較第二季大幅成長65.5%,表現優於市場預期,每股淨利0.28元。

聯電廈門廠雖已導入28奈米製程,但對第四季營運看法略為保守,預估晶圓出貨將季減3~4%,美元計價平均價格將季減1%,法人推估營收將較上季下滑5%左右。

聯電第三季合併營收季增0.4%達376.98億元,與去年同期相較小幅下滑1.2%,平均毛利率較上季下滑0.5個百分點達17.5%,代表本業獲利的營業利益達16.29億元,較第二季下滑2.3%,但較去年同期成長9.7%。

聯電第三季因認列業外收益達12.36億元,較第二季大增175.9%,因此單季歸屬母公司稅後淨利達34.73億元,較第二季的20.99億元大幅成長65.5%,與去年第三季的29.75億元相較亦成長16.7%,每股淨利達0.28元,表現優於市場預期。

聯電共同總經理王石表示,聯電第三季來自晶圓代工的營收超過376億元,整體產能利用率為96%。第三季來自於電腦周邊及消費性產品強勁的晶片需求,反應了在聯電的8吋及12吋成熟製程穩定的營運表現上。

聯電8吋廠的產能利用率接近滿載,而12吋廠成熟製程的產能利用率也超過90%,因此帶動了本季出貨量達到175萬片8吋約當晶圓。聯電在廈門投資的12吋晶圓廠Fab12X,28奈米產品已經開始量產出貨,產品良率及晶片效能都已經達到南科Fab12A所生產的產品水準。

對於第四季營運展望部份,王石指出,預期第四季的營運狀況將會下滑,主要原因來自於年底典型的季節性調整。

除此之外,聯電也觀察到28奈米高介電金屬閘極(HKMG)的需求將趨緩,對此,聯電將會依市場需求開發新的製程,導入物聯網、5G行動裝置、工業應用等未來趨勢的新領域,藉由新一波成長機會帶來的動能,期待能幫助聯電提升市場占有率。據了解,聯電基於28奈米開發的22奈米低功耗製程可望在2019年進入量產。

聯電共同總經理簡山傑日前接受本報專訪時曾指出,聯電過去專注在先進製程投資及研發,但現在新的方向是追求獲利,並且不會再與同業相互競爭先進製程。

聯電擁有8吋廠及12吋廠且核心技術完整,未來在物聯網、5G、汽車電子等應用上有很大的機會,聯電也朝向射頻模組、先進駕駛輔助系統(ADAS)、微機電及感測器、OLED及LCD驅動IC等利基型晶圓代工市場,積極布局並提升市占率。

評析
聯電過去專注在先進製程投資及研發,但現在新的方向是追求獲利,並且不會再與同業相互競爭先進製程。

 樓主| 發表於 2018-5-11 21:14:47 | 顯示全部樓層
轉貼2017年10月31日工商時報,供同學參考

聯電Fab 12X廠獲美國LEED綠建築黃金級認證

工商時報 涂志豪/台北報導

晶圓代工二哥聯電宣佈,其位於中國廈門Fab 12X廠,已通過美國綠建築協會(U.S. Green Building Council,USGBC)的綠建築評估系統審查,獲得「前瞻能源與環境設計–新建工程類」(Leadership in Energy and Environmental Design–New Construction,LEED-NC)之黃金級認證。

聯電表示,此最先進的晶圓廠在所有中國12吋晶圓廠中,獲得最高的綜合評分,其中用水效率項目更獲得滿分的肯定。此重要的里程碑,進一步表明了聯電對綠建築和環境永續發展的承諾。

聯電負責製造資源整合和環境委員會的副總經理廖木良表示,聯電已啟動並實施綠建築導入計劃多年,除了對既有廠區進行建築節能改善之外,並承諾所有新建廠房都依循最新的綠建築標準規劃興建。Fab 12X的LEED黃金認證是聯電推動永續製造業的重要里程碑。未來,聯電將持續承擔企業公民的責任,落實綠建築的概念,促進形成低碳、永續發展的社會。

Fab 12X為中國華南首座十二吋晶圓專工廠,目前量產的製程技術為40和28奈米,規劃總產能每月高達5萬片十二吋晶圓。聯電選擇在廈門設立晶圓廠,主要著眼於廈門地理位置鄰近臺灣,可獲得臺灣聯電總部的無縫支援。聯電於中國現已有位於蘇州的和艦八吋晶圓廠,而Fab 12X的設立將可為全球客戶提供更完備的晶圓專工服務。

評析
聯電廈門Fab 12X廠主要著眼於廈門地理位置鄰近臺灣,可獲得臺灣聯電總部的無縫支援。
 樓主| 發表於 2018-7-2 19:37:31 | 顯示全部樓層
轉貼2017年11月9日工商時報,供同學參考

聯電、世界10月營收一升一降,Q4一保守一持穩

沈培華/台北報導

晶圓代工廠聯電 (2303) 、世界先進 (5347) 10月業績表現不同調,聯電10月營收138.08億元,創歷史新高,月增率達16.37%。世界先進10月業績則比9月高峰下滑7.3%。

不過,聯電對第四季營運展望相對保守,預料本季整體晶圓出貨下滑3%至4%,因此預料聯電11月及12月業績將自10月的高點下滑。相對而言,世界先進本月營運展望穩定,11月及12月業績並不看淡。

聯電公布,10月營收138.08億元,月增16.37%,超越去年6月創下的135.26億元單月營收歷史最高紀錄,也比去同期成長7.6%。

聯電於上季法說會中表示,本季8吋廠產能需求強勁,產能利用率可望維持近滿載,但隨著傳統淡季效應逐步發酵,28奈米HKMG需求趨緩。

聯電預期,第四季晶圓出貨量將較第三季減少3%至4%,平均銷售價格季減約1%。由此推估,聯電本季營收將季減約在4~5%。

世界先進10月晶圓出貨減少,單月營收20.86億元,月減7.3%,為近3個月新低。

但隨著本季電源管理與小面板驅動IC需求持續下,世界先進整體第四季營收估約62億至66億元,相較第三季大致持平。由此來看,世界先進11月及12月業績有機會將優於10月水準。

評析
第四季8吋廠產能需求強勁,產能利用率可望維持近滿載,但隨著傳統淡季效應逐步發酵,28奈米HKMG需求趨緩。
 樓主| 發表於 2018-7-2 19:37:47 | 顯示全部樓層
轉貼2017年11月16日經濟日報,供同學參考

聯電攜賽普拉斯 攻航空晶片

經濟日報 記者簡永祥/台北報導

晶圓代工大廠聯電(2303)昨(15)日宣布與賽普拉斯(Cypress)攜手合作,合攻航空用記憶體市場。

聯電表示,賽普拉斯採用65和40奈米的高密度靜態隨機存取記憶體(SRAM),率先業界完成先進產品流程合格製造商清單( QML) 認證,這項高密度記憶體是透過聯電位於南科12A為其代工生產,並通過嚴格的軍規認證。

聯電強調,QML認證由美國陸地及海上國防後勤局(DLA)管理,是美國政府實施最嚴格的驗證程序之一,旨在確保微電子元件供應的可靠性和品質管制。

聯電與賽普拉斯合作開發的SRAM是屬於下一代的產品,在通過嚴格等級的QML-V類航空等級的認證後,也凸顯聯電在記憶體製程一項重大突破,為聯電重返記憶體市場,開創新頁。

評析
通過嚴格等級的QML-V類航空等級的認證,凸顯聯電在記憶體製程一項重大突破,為聯電重返記憶體市場,開創新頁。
 樓主| 發表於 2018-7-2 19:38:14 | 顯示全部樓層
轉貼2017年11月28日經濟日報,供同學參考

聯電加碼廈門聯芯 間接增資180億元

經濟日報 記者杜宗熹、張瑞益╱台北報導

經濟部投審會昨(27)日通過聯華電子申請匯出6億美元(約新台幣180億元),間接增資大陸廈門聯芯集成電路製造有限公司,從事經營12吋晶圓之生產等業務,將為聯芯廈門12吋晶圓廠的二期建廠開發和生產做準備。

聯電財務長劉啟東表示,廈門聯芯目前月產能已達1.2萬片,預計明年第2季前可望拉升到1.6萬片。

廈門聯芯是由聯電、廈門市政府,以及福建省電子資訊集團三方共同合資興建的12吋晶圓代工廠,初期資本額20.5億美元,其中,聯電出資13.5億美元,其餘由廈門市政府、以及福建省電子資訊集團出資,聯電過去已投入7.5億美元,投審會昨日通過聯電申請匯出的6億美元後,預定的資本額已全數到位。

經濟部投審會昨日共審議通過三件台商對陸投資案,其中外界關注的聯電增資廈門聯芯案,投審會執行秘書張銘斌在受訪時表示,該筆資金將用於原先預留的廈門廠二期工程做使用。

投審會指出,聯電本次主要申請廈門聯芯,將從事經營各類商品和技術進出口、晶片廠相關事項諮詢服務等業務。

投審會昨日還通過富邦人壽申請匯出人民幣17.5億元(約新台幣80億元),受讓取得大陸中華聯合保險集團5.6335%之股權,暨取得大陸中華聯合財產保險等公司之股權,從事人身保險業務。

而瀚宇彩晶匯出2,050萬美元(約新台幣6.15億元),並第三地事業自有資金450萬美元(約新台幣1.35億元),合計共2,500萬美元(約新台幣7.5億元),增資南京瀚宇彩欣科技從事液晶裝置模組組裝業務,也一併獲得通過。

在對外投資方面,投審會通過鴻海匯出5,000萬美元(約新台幣15億元),間接增資英屬開曼群島商ICREATE INVESTMENT LIMITED,預料將從事美國新創事業等相關投資。

評析
聯電本次主要申請廈門聯芯,將從事經營各類商品和技術進出口、晶片廠相關事項諮詢服務等業務。
 樓主| 發表於 2018-7-5 19:40:38 | 顯示全部樓層
轉貼2017年12月14日經濟日報,供同學參考

聯電動作保守 先拚毛利率

經濟日報 記者張瑞益/台北報導

聯電昨(13)日公布,董事會通過資本預算執行案,預計投資金額為189.9億元,是2009年以來資本預算最低,顯示出明年擴產動作將趨保守。法人認為,聯電明年應是希望先提高產能利用率,以提升近幾季走跌的毛利率表現。

聯電公告2018年度資本預算執行的金額是189.9億元新台幣,換算約是6.3億美元,依聯電近幾年公告的財報來看,是2009年以來,聯電最低的資本預算,聯電指出,主要由於過去幾年大舉擴建12吋廠,明年擴產動作趨保守,主要將著眼於廈門廠所致。

聯電表示,該公司自2010年以來,積極擴建12吋廠及其餘產線產能,因此,自2010年起全年的資本預算就由2009年的5.5億美元,開始大幅提升當年度的18億美元,之後每年的資本預期都自10億美元起跳,2016年及2017年更分別達到28億美元及20億美元。

對於聯電明年資本預算轉趨保守,市場分析師認為,主要也因為,近幾年來全球半導體廠積極擴產,除了高階製程產品,報價其實並不理想,且透過財報觀察聯電毛利率表現,去年3、4季單季毛利率都還有20%以上,今年第2、3季單季毛利率分別都下滑至18%以下水準,累計今年前三季平均毛利率也僅有18.43%,由於去年全年毛利率仍有20.54%,可以預期今年毛利率將是2014年以來最低。分析師認為,聯電明年對產能擴產轉趨保守頗有拉高產能利用率之後,才能拉回毛利率水準企圖。

評析
聯電明年應是希望先提高產能利用率,以提升近幾季走跌的毛利率表現。
 樓主| 發表於 2018-7-5 19:40:52 | 顯示全部樓層
轉貼2017年12月22日聯合晚報 ,供同學參考

聯電40奈米製程 東芝將採用

聯合晚報 記者鐘惠玲/台北報導

晶圓代工廠聯電(2303)在製程技術有新斬獲,推出40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程,已獲東芝旗下開始評估其微處理器(MCU)晶片可採用此製程。

目前聯電已有超過20個客戶與產品,正使用其55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程,生產包括SIM卡、汽車、物聯網與MCU等應用產品。而後續聯電推出的40奈米SST嵌入式快閃記憶體,可較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上,並使整體記憶體面積縮小20%至30%。

東芝電子元件與存儲產品公司混合信號晶片部門副總松井俊表示,期待採用聯電40奈米SST技術,有助於提升其MCU產品的性能。與聯電合作,可有穩定的製造供應,並配合該公司的生產需求,提供靈活產能。

聯電特殊技術組織協理丁文琪表示,該公司自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來,一直受到客戶高度關注,此製程平台具有低功耗、高可靠度及數據保留和高耐久性的特性,可用於汽車、工業、物聯網等應用。該公司正努力將嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米技術平台。

評析
聯電40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程,已獲東芝旗下開始評估其MCU晶片可採用此製程。
 樓主| 發表於 2018-7-11 20:30:00 | 顯示全部樓層
轉貼2017年12月25日工商時報,供同學參考

聯電新記憶體製程 東芝MCU可望採用

工商時報 涂志豪/台北報導

晶圓代工大廠聯電(2303)日前宣布,推出40奈米結合美商超捷(Silicon Storage Technology,SST)嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體的製程平台。新推出的40奈米SST嵌入式快閃記憶體,較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上,並使整體記憶體面積縮小了20~30%。東芝電子元件暨存儲產品公司已開始評估其微處理器(MCU)晶片於聯電40奈米SST技術平台的適用性。

東芝電子元件暨存儲產品公司混合信號晶片部門副總經理松井俊也表示,預期採用聯電40奈米SST嵌入式快閃記憶體技術,有助於提升東芝MCU產品的性能。與聯電合作,透過穩定的製造供應,及配合東芝的生產需求提供靈活的產能,將能夠保持強勁的業務連續性計劃(BCP)。

聯電表示,已有超過20個客戶和產品正以聯電55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產,包含了SIM卡、金融交易、汽車電子、物聯網、MCU及其他應用產品。

聯電特殊技術組織協理丁文琪表示,自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來,一直受到客戶的高度關注,藉此製程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性,可用於汽車、工業、消費者和物聯網的應用。聯電正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米的技術平台,期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶。

聯電分離式閘極記憶體單元SST製程,依據JEDEC所制定的規範標準,具100K耐久性和在攝氏85度、及工作溫度範圍為攝氏零下40度到125度的寬溫溫度下,數據可保存10年以上。除40奈米 SST製程外,還有20多家客戶使用聯電的55奈米SST技術生產各類應用產品。

聯電已公告11月合併營收月減12.0%達121.55億元,較去年同期下滑5.9%,累計今年前11個月合併營收達1386.17億元,為歷年同期新高,較去年同期成長2.4%。聯電預期第四季營運狀況將會下滑,主要原因來自於年底典型的季節性調整。此外,並觀察到28奈米高介電金屬閘極(HKMG)的需求將趨緩。

評析
已有超過20個客戶和產品正以聯電55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產
 樓主| 發表於 2018-7-11 20:30:58 | 顯示全部樓層
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聯電簡山傑:聯電自主研發DRAM  絕不竊用他人營業祕密

工商時報 涂志豪/專訪



美國記憶體大廠美光(Micron)大動作在美對聯電可能竊取及使用營業祕密一事提出訴訟,聯電總經理簡山傑對此予以駁斥,強調聯電早年就生產過DRAM,本身擁有不少DRAM專利,事隔15年後決定自主研發DRAM技術,目的是為了替台灣半導體產業落實技術扎根。以下是專訪紀要。

問:聯電重新投入DRAM技術研發原因為何?

答:聯電的本業是晶圓代工,順應市場趨勢並強化晶圓代工的服務,聯電研發DRAM的經驗有助於新世化記憶體的發展,包括MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)等,等於可以搶先進入有潛力的新市場。再者,聯電是借外部力量來研發DRAM技術,福建晉華支持研發費用,雙方共同投入研發設備及技術,可快速研發速度,不會擠壓聯電的獲利表現。

聯電要獨立自主研發DRAM技術,另一個重要意義是為台灣半導體產業落實技術扎根,這是當年聯電與世界先進完成自主研發DRAM技術後,相隔15年後再次有台灣企業投入難度最大的DRAM研發工作,意義格外重大。

問:美光對聯電提告的關鍵在於聯電多年未涉及DRAM研發及生產,聯電的技術來源為何?

答:聯電要自主研發DRAM技術。聯電在晶圓代工市場多年,長期投入研發已有很好的技術實力,連最先進囗最複雜的14奈米邏輯IC製程都自主研發成功並開始投產,而且許多DRAM技術與聯電既有的邏輯技術相通。至於在DRAM特有技術部分,則透過公開的技術報告、逆向工程方式了解,再依據開發路線落實。事實上,DRAM工作原理沒有改變,現今的DRAM只是藉由更先進的製程技術,達到每位元更低成本的目標,操作原理與15年前研發DRAM時相同。

問:聯電的DRAM事業的營運模式為何?

答:聯電目前與國外DRAM設計公司合作,以達成及加速DRAM技術研發。不同於三大DRAM廠有自己的設計團隊,聯電本業是晶圓代工,所以與DRAM設計公司合作最符合聯電的營運模式,與經驗豐富的DRAM設計團隊合作,可以減少研發過程中的許多不確定性因素,加快問題解決的速度。再者,聯電未來的DRAM技術研發成功後,會授權給晉華生產,但聯電並沒有投資晉華,未來也可爭取其它DRAM代工訂單。聯電目前沒有自建DRAM產能計畫,不會與台灣現有DRAM廠商競爭。

問:聯電自行研發的DRAM技術與美光的DRAM技術並不相同?

答:聯電不了解美光製造DRAM的內容,因此無從說明兩者之差異,但根據第三方TechInsights於2013年發表文章,有分析美光、爾必達、三星、SK海力士在30奈米製程世代的DRAM,美光採用直行式主動區(Active Area,AA)設計,但聯電DRAM選擇交錯式AA設計,與美光的記憶胞架構明顯不同。DRAM的記憶胞是技術上最核心之處,選擇不同的記憶胞架構,代表了不同的研發道路,證明聯電和美光的技術核心不相同。

評析
聯電事隔15年後決定自主研發DRAM技術,目的是為了替台灣半導體產業落實技術扎根。
 樓主| 發表於 2018-7-11 20:31:17 | 顯示全部樓層
轉貼2017年12月26日工商時報,供同學參考

簡:美光跨洋提告 意圖嚇阻台灣研發

工商時報 涂志豪/台北報導

台灣地檢署起訴美光離職員工竊密案後,美國記憶體大廠美光(Micron)選擇在美國加州法院向向聯電和技術團隊成員提起民事訴訟和損害賠償。聯電總經理簡山傑昨(25)日接受本報專訪時表示,美光跨國起訴的挑戰性大,顯然是想要藉由美國的主場優勢抑制對手,才選擇「異地」求償,並嚇阻聯電在台灣自主研發DRAM的努力。

簡山傑表示,有關台灣地檢署起訴美光離職員工竊密的刑事起訴是在台灣,但美光卻選擇美國提起民事求償,初步判斷可能原因之一,是美光提出告訴、聯電被起訴已引起科技業和學界的側目,官司挑戰性甚大,美光顯然想藉由美國的主場優勢抑制對手,才選擇「異地」求償。

原因之二是檢察官僅針對聯電「未盡力防止」竊密罪起訴,但美光藉此擴大渲染,將聯電和研發團隊人員統統納入美國民事起訴對象,想藉由訴訟困住聯電的研發進度,顯然意在嚇阻台灣自主研發DRAM。

簡山傑說,第三個可能原因是聯電研發DRAM技術尚在開發進行中,尚無成果也還沒有產品,根本沒使用美光的營業祕密,更沒有造成任何損害,美光起訴請求損害賠償並無任何根據。原因之四則是美光將福建晉華公司列為共同被告,顯示其有意圖囊括中國大陸市場,意在阻止中國大陸製造生產DRAM。

簡山傑強調,聯電的DRAM技術研發雖中斷十幾年,但現在已重啟研發並持續進行中,且聯電沒有使用美光的營業祕密,未來的研發成果也一定不會涉及美光的營業祕密。也就是說,美光不會受到損害,所以請求損害賠償毫無根據,聯電一定會捍衛60萬股東的權益和商譽,採取必要措施。

簡山傑指出,聯電的所有研發及會議都會留下紀錄,聯電自主研發DRAM技術,憑藉的是合法及清楚的起點,以及完整詳實的問題解決途徑,還有自行研發過程中所產生的專利。聯電在邏輯IC製程已做到14奈米,複雜度遠比DRAM高出許多,聯電的DRAM技術研發,也是由位元記憶胞設計開始,流程與步驟都有紀錄,連對應的設備與採用材料等都是從零開始。

簡山傑強調,聯電絕不竊取、使用他人營業祕密,聯電不知道美光的營業祕密為何,也不曾使用過,且核心技術與美光明顯不同,根本沒有必要窺視、侵害美光的營業祕密,外部的營業祕密對聯電的自主研發,並無法產生實質作用,但現在為了避免外界誤傳或散布不實謠言,所以特別予以澄清。

評析
聯電自主研發DRAM技術,憑藉的是合法及清楚的起點,以及問題解決途徑,還有自行研發所產生的專利。
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